An energy conversion device includes an energy conversion circuit arranged on a substrate for converting an input DC voltage into an output DC voltage higher than the input DC voltage, wherein the substrate comprises a first layer and a second layer. The energy conversion circuit comprises a plurality of semiconductor devices and planar transformers. Each semiconductor device has a flat shape and is mounted on a substrate. The planar transformer comprises a primary side circuit arranged on the first layer and a secondary side circuit arranged on the second layer. The secondary side circuit is insulated from the original side circuit by an insulating layer, wherein the insulating layer is located between the first and second layers.
【技术实现步骤摘要】
能量转换装置,及用于为石油勘探设备供电的供电装置
本专利技术的实施例涉及能量转换装置,特别是用于为石油勘探设备供电的供电装置。
技术介绍
近年来,随着石油、天然气行业的发展,油气勘探和开采方面的需求日益增加,对井下测量设备及其供电设备提出了更高的要求。由于井下的工作环境极其恶劣,井下的供电设备必须满足耐高温高压、抗振动以及结构紧凑的客观要求。然而,现有的井下供电设备往往体积较大,并且不能很好地适应井下高温高压的工作环境。因此,有必要提供新的能量转换装置及用于为石油勘探设备供电的装置来解决上述至少一个问题。
技术实现思路
本专利技术的实施例一方面涉及一种能量转换装置,其包括设置在基板上的能量转换电路,其中,该基板包括第一层和第二层。该能量转换电路用于将输入直流电压转换成高于该输入直流电压的输出直流电压。该能量转换电路包括多个半导体器件和平面变压器。该每个半导体器件具有扁平形状并安装于该基板上。该平面变压器包括设置在所述第一层上的原边电路,及设置在所述第二层上的副边电路。该副边电路通过绝缘层与所述原边电路绝缘,其中,该绝缘层位于所述第一、第二层之间。本专利技术的实施例另一方面涉及一种用于为石油勘探设备供电的供电装置,其包括用于提供输入直流电压的电源;及耦合于所述电源和所述石油勘探设备之间的能量转换电路。该能量转换电路用于将所述输入直流电压转换成高于该输入直流电压的输出直流电压,以提供给该石油勘探设备。所述能量转换电路设置于基板上,其中,该基板包括第一层和第二层。所述能量转换电路包括多个半导体器件,该每个半导体器件具有扁平形状并安装于该基板上。所述能量转换电路进一步 ...
【技术保护点】
1.一种能量转换装置,包括:设置在基板上的能量转换电路,其用于将输入直流电压转换成高于该输入直流电压的输出直流电压,其中,该基板包括第一层和第二层,该能量转换电路包括:多个半导体器件,该每个半导体器件具有扁平形状并安装于所述基板上;及平面变压器,其包括:设置在所述第一层上的原边电路,及设置在所述第二层上的副边电路,其通过绝缘层与所述原边电路绝缘,其中,该绝缘层位于所述第一、第二层之间。
【技术特征摘要】
1.一种能量转换装置,包括:设置在基板上的能量转换电路,其用于将输入直流电压转换成高于该输入直流电压的输出直流电压,其中,该基板包括第一层和第二层,该能量转换电路包括:多个半导体器件,该每个半导体器件具有扁平形状并安装于所述基板上;及平面变压器,其包括:设置在所述第一层上的原边电路,及设置在所述第二层上的副边电路,其通过绝缘层与所述原边电路绝缘,其中,该绝缘层位于所述第一、第二层之间。2.如权利要求1所述的装置,其中,该原边电路和该副边电路在垂直于所述基板的方向上重叠。3.如权利要求1所述的装置,其中,所述绝缘板由包括聚丙烯、聚四氟乙烯或其组合的材料制成。4.如权利要求1所述的装置,其中,所述输入直流电压在大约12伏至大约400伏的范围内,所述输出直流电压在大约10千伏至大约1000千伏的范围内。5.如权利要求1所述的装置,其中,所述半导体器件由包括碳化硅的材料制成,每个半导体器件的最大工作温度在大约150至大约250摄氏度的范围内,每个半导体器件最大工作压力在大约30至大约40千帕的范围内。6.如权利要求1所述的装置,其中,至少一个该半导体器件安装在所述第一层的表面,其他半导体器件安装在所述第二层的表面。7.如权利要求1所述的设备,其中,所有半导体器件均安装在所述第一层的表面或所述第二层的表面。8.一种用于为石油勘探设备供电的供电装置,包括:用于提供输入直流电压的电源;及耦合于所述电源和所述石油勘探设备之...
【专利技术属性】
技术研发人员:毛赛君,斯图尔特·布雷泽尔,
申请(专利权)人:通用电气公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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