低镀膜金属耗量的镀膜坩埚制造技术

本实用新型专利技术提供一种低镀膜金属耗量的镀膜坩埚，包括：坩埚内胆和坩埚套，坩埚套套设于坩埚内胆的外侧，坩埚内胆的一端设置开口端，坩埚内胆的内径为25～39mm；坩埚内胆的壁厚为6～15mm。通过改变蒸发源坩埚的内径，从而改变靶材蒸发的有效角度，在薄膜厚度确定情况下，调整金属靶材蒸发的有效角度，能使金属靶材最大程度的附着于镀膜的有效区域内，从而提高镀膜过程中贵金属的回收率。而优化金属材料的蒸发角度可以降低贵重进度的耗量，可以降低LED芯片厂制造成本。

Coated crucible for low coating metal consumption

The utility model provides a coating crucible with low metal consumption, which comprises a crucible inner liner and a crucible sleeve, a crucible sleeve arranged outside the crucible inner liner, an open end arranged at one end of the crucible inner liner, an inner diameter of the crucible inner liner being 25-39 mm, and a wall thickness of the crucible inner liner being 6-15 mm. By changing the inner diameter of the crucible, the effective angle of target evaporation can be changed. When the thickness of the film is determined, the effective angle of metal target evaporation can be adjusted to make the metal target adhere to the effective area of the coating to the greatest extent, thus improving the recovery of precious metals during the coating process. Optimizing the evaporation angle of metal materials can reduce the consumption of precious schedule and reduce the manufacturing cost of LED chip factories.

【技术实现步骤摘要】
低镀膜金属耗量的镀膜坩埚
本技术涉及半导体
，具体的涉及一种低镀膜金属耗量的镀膜坩埚。
技术介绍
随着第三代半导体技术的蓬勃发展，LED照明以节能，环保，亮度高，寿命长等优点，成为社会发展的焦点。但是相比传统的白炽灯与荧光灯相比，LED灯具的价格仍处于偏高水平。为了保证优良的导电性与稳定性，目前大多数LED芯片的电极结构的主材料都是黄金和铂金，而黄金和铂金都是价格不菲的贵重金属，这导致LED芯片制造成本居高不下。在采用高真空电子束镀膜时，通过电子枪产生的电子束，轰击欲蒸发的靶材使之受热蒸发，蒸发后的靶材经电子加速极加速后，靶材沉积到晶片材料表面。但在镀膜过程中因靶材蒸发角度的问题，常会导致部分靶材附着于腔体内的衬板上，在回收衬板上的贵重金属时，难以保证贵金属完全被回收，造成回收成本。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种低镀膜金属耗量的镀膜坩埚，该专利技术解决了降低LED芯片制造成本；高真空电子束镀膜时贵金属难以完全回收的技术问题。本技术提供一种低镀膜金属耗量的镀膜坩埚，包括：坩埚内胆和坩埚套，坩埚套套设于坩埚内胆的外侧，坩埚内胆的一端设置开口端，坩埚内胆的内径为25～39mm；坩埚内胆的壁厚为6～15mm。进一步地，坩埚内胆的开口端并朝向镀膜面设置。进一步地，坩埚内胆的内径为26～38mm。进一步地，坩埚内胆的壁厚为8～13mm。进一步地，坩埚内胆的内径为29～32mm。进一步地，坩埚内胆的壁厚为9～11mm。进一步地，坩埚套的一端设置开口端，坩埚套的开口端与坩埚内胆的开口端朝向相同。进一步地，坩埚套的开口端的周缘与坩埚内胆底面中心的连线的交点处，连线所成夹角为最大镀膜角度，最大镀膜角度为90°～119°。进一步地，最大镀膜角度为95°～110°。进一步地，最大镀膜角度为96°～105°。本技术的技术效果：本技术提供低镀膜金属耗量的镀膜坩埚，通过改变蒸发源坩埚的内径，从而改变靶材蒸发的有效角度，在薄膜厚度确定情况下，调整金属靶材蒸发的有效角度，能使金属靶材最大程度的附着于镀膜的有效区域内。从而提高镀膜过程中贵金属的回收率。而优化金属材料的蒸发角度可以降低贵重进度的耗量，可以降低LED芯片厂制造成本。具体请参考根据本技术的低镀膜金属耗量的镀膜坩埚提出的各种实施例的如下描述，将使得本技术的上述和其他方面显而易见。附图说明图1是本技术优选实施例低镀膜金属耗量的镀膜坩埚使用状态示意图。图例说明：1、镀膜面；2、最大镀膜角度；3、靶材；4、坩埚内胆；5、坩埚套。具体实施方式构成本申请的一部分的附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。参见图1，本技术提供的低镀膜金属耗量的镀膜坩埚包括坩埚内胆4和坩埚套5，坩埚套5套设于坩埚内胆4的外侧。坩埚内胆4的一端设置开口端，并朝向镀膜面1设置。坩埚内胆4的内腔用于容纳靶材。坩埚内胆4的内径为25～39mm。坩埚内胆4的壁厚为6～15mm。坩埚内胆4的开口端正对镀膜面1设置。优选的，坩埚套5的一端也为开口端，开口端与坩埚内胆4的开口端朝向相同，同时坩埚套5的开口端的周缘与坩埚内胆4底面中心的交点处，连线所成夹角为最大镀膜角度，最大镀膜角度为90°～119°。优选的，坩埚内胆4的内径为26～38mm。随着以下尺寸的不断优化，靶材的损伤逐渐减少，回收率不断得到提高。优选的，坩埚内胆4的壁厚为8～13mm。优选的，坩埚内胆4的内径为29～32mm。最优值为30mm。优选的，坩埚内胆4的壁厚为9～11mm。最优值为10mm。优选的，最大镀膜角度为95°～110°。优选的，最大镀膜角度为96°～105°。最优值为100°。镀膜中所用电子枪系统包含但不限于：电子枪发射体，阳极板，阴极板，电磁线圈。以下实施例中所用材料为具有PAD光刻图形的外延片，靶材为黄金，晶振，蓝膜，所用坩埚型号参见表1。表1坩埚尺寸表表1中各型号坩埚的镀膜方法均包括以下步骤：1、彻底清洗外延片，在该外延片上制作PAD光刻图形；2、扫胶后采用电子束蒸发，在设定厚度下，对比不同尺寸坩埚下靶材的消耗量；3、蒸镀完后，用蓝膜可将光刻胶上的金属薄膜撕下，然后用去胶液将光刻胶去除；4、测量外延片表面留下的金属薄膜厚度，并对比不同坩埚所得金属薄膜厚度；5、计算靶材消耗量和所得金属薄膜的厚度，得到靶材消耗量；本次实施方案中，对比例和实施例所得镀膜的黄金膜厚为12000A。对比例坩埚的黄金耗用量为37.89g。而实施例坩埚的黄金耗用量为32.74g，比对比例中所用坩埚节约黄金5.24g，降低约13.27％耗用量。本技术提供的镀膜坩埚能提高靶材的利用效率。通过降低靶材的消耗，从而达到了节约LED的生产成本目的。本领域技术人员将清楚本技术的范围不限制于以上讨论的示例，有可能对其进行若干改变和修改，而不脱离所附权利要求书限定的本技术的范围。尽管己经在附图和说明书中详细图示和描述了本技术，但这样的说明和描述仅是说明或示意性的，而非限制性的。本技术并不限于所公开的实施例。通过对附图，说明书和权利要求书的研究，在实施本技术时本领域技术人员可以理解和实现所公开的实施例的变形。在权利要求书中，术语“包括”不排除其他步骤或元素，而不定冠词“一个”或“一种”不排除多个。在彼此不同的从属权利要求中引用的某些措施的事实不意味着这些措施的组合不能被有利地使用。权利要求书中的任何参考标记不构成对本技术的范围的限制。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低镀膜金属耗量的镀膜坩埚，其特征在于，包括：坩埚内胆(4)和坩埚套(5)，所述坩埚套(5)套设于所述坩埚内胆(4)的外侧，所述坩埚内胆(4)的一端设置开口端，所述坩埚内胆(4)的内径为25～39mm；所述坩埚内胆(4)的壁厚为6～15mm。

【技术特征摘要】
1.一种低镀膜金属耗量的镀膜坩埚，其特征在于，包括：坩埚内胆(4)和坩埚套(5)，所述坩埚套(5)套设于所述坩埚内胆(4)的外侧，所述坩埚内胆(4)的一端设置开口端，所述坩埚内胆(4)的内径为25～39mm；所述坩埚内胆(4)的壁厚为6～15mm。2.根据权利要求1所述的低镀膜金属耗量的镀膜坩埚，其特征在于，所述坩埚内胆(4)的开口端并朝向镀膜面(1)设置。3.根据权利要求1所述的低镀膜金属耗量的镀膜坩埚，其特征在于，所述坩埚内胆(4)的内径为26～38mm。4.根据权利要求1所述的低镀膜金属耗量的镀膜坩埚，其特征在于，所述坩埚内胆(4)的壁厚为8～13mm。5.根据权利要求1所述的低镀膜金属耗量的镀膜坩埚，其特征在于，所述坩埚内胆(4)的内径为29～32mm。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁章洁，李康，
申请(专利权)人：湘能华磊光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：湖南,43