The application discloses an array substrate and a display panel. The display area of the array substrate comprises at least one anti-static line and a plurality of scanning lines, and the anti-static line is used to guide the static electricity; the anti-static line and the scanning line are interlaced and insulated; and the anti-static line includes the first line part and the second line part connected. The first line part and the second line part are in different layers. The application also discloses a display panel. By this way, the application can avoid abnormal display due to electrostatic breakdown of anti-static wiring.
【技术实现步骤摘要】
阵列基板及显示面板
本申请涉及显示领域,特别是涉及阵列基板及显示面板。
技术介绍
目前,显示面板特别是利用低温多晶硅技术(LowTemperaturePoly-silicon,LTPS)的液晶显示面板,由于具有高开口率和高解析度的优点,已被广泛应用各种领域中以进行显示。为了保护显示面板上的器件,显示面板上设置防静电走线(也可以称为dummy走线或dummyM2走线)。然而,由于防静电走线容易积累静电,从而出现静电击穿阵列基板膜层的情况,进而导致显示面板显示异常。
技术实现思路
本申请主要解决的技术问题是提供一种阵列基板及显示面板,能够避免由于防静电走线的静电击穿阵列基板的膜层而导致显示面板显示异常。为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:提供一种阵列基板,该阵列基板的显示区包括至少一条防静电走线和多条扫描线,防静电走线用于导走静电;防静电走线与扫描线交错且绝缘设置;其中,防静电走线包括相连的第一走线部分和第二走线部分,第一走线部分和第二走线部分处于不同层。为解决上述技术问题,本申请采用的另一个技术方案是:提供一种显示面板,该显示面板包括上述的阵列基板。本申请的有益效果是:区别于现有技术的情况,本申请阵列基板的显示区包括至少一条防静电走线和多条扫描线,防静电走线用于导走静电;防静电走线与扫描线交错且绝缘设置;其中,防静电走线包括相连的第一走线部分和第二走线部分,第一走线部分和第二走线部分处于不同层。由于防静电走线包括相连的第一走线部分和第二走线部分,且第一走线部分和第二走线部分处于不同层,因此,能够减少防静电走线的电荷积累,以避免防静电走线的静电击穿防静 ...
【技术保护点】
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板的显示区包括至少一条防静电走线和多条扫描线,所述防静电走线用于导走静电;所述防静电走线与所述扫描线交错且绝缘设置;其中,所述防静电走线包括相连的第一走线部分和第二走线部分,所述第一走线部分和第二走线部分处于不同层。
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板的显示区包括至少一条防静电走线和多条扫描线,所述防静电走线用于导走静电;所述防静电走线与所述扫描线交错且绝缘设置;其中,所述防静电走线包括相连的第一走线部分和第二走线部分,所述第一走线部分和第二走线部分处于不同层。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一走线部分与所述扫描线交错,所述第二走线部分位于所述扫描线的两侧,和/或;所述防静电走线位于所述显示区中靠近非显示区的位置。3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述显示区包括依序设置在基板上的第一功能层、第二功能层、信号线层以及第二金属层,所述第二功能层用于形成薄膜晶体管;其中,所述第一功能层包括所述第一走线部分,所述第二金属层包括所述第二走线部分,所述第二功能层设有第一通孔,所述第二走线部分穿过所述第一通孔与所述第一走线部分连接。4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第二功能层包括层叠设置的缓冲层、半导体层、第一绝缘层;所述信号线层包括层叠设置的第一金属层和第二绝缘层,所述第一金属层包括所述扫描线和所述薄膜晶体管的栅极,所述第二金属层还包括薄膜晶体管的源极和漏极。5....
【专利技术属性】
技术研发人员:余朋飞,张嘉伟,
申请(专利权)人:武汉华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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