显示装置及其阵列基板制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种显示装置及其阵列基板，阵列基板包括呈阵列设置的多个像素单元，每一个像素单元包括遮光层、薄膜晶体管、触控电极、扫描线及数据线，扫描线沿第一方向设置，数据线沿第二方向设置，扫描线与数据线交叉，像素单元还包括触控信号线，触控信号线与扫描线位于同一层，在第一方向上的相邻两个触控信号线之间通过遮光层连接，触控信号线通过第一过孔与遮光层连接，触控信号线通过第二过孔与所述触控电极连接。本发明专利技术将遮光层作为相邻两个触控信号线之间的桥接线，通过触控信号线来传递触控信号，避免将触控信号的传输线直接设置在数据线所在的金属层上，造成数据线所在的金属层的密度过大而限制像素的大小，从而提升了开口率、降低功耗。

Display device and its array substrate

The invention provides a display device and an array substrate. The array substrate comprises a plurality of pixel units arranged in an array. Each pixel unit comprises a light-shield layer, a thin film transistor, a touch electrode, a scanning line and a data line. The scanning line is arranged in the first direction, the data line is arranged in the second direction, and the scanning line intersects the data line. The fork and the pixel unit also include a touch signal line, which is located in the same layer with the scanning line, and is connected by a light-shielding layer between two adjacent touch signal lines in the first direction. The touch signal line is connected with the light-shielding layer through the first hole, and the touch signal line is connected with the touch electrode through the second hole. In the invention, the light-shielding layer is used as the bridge connection between two adjacent touch signal lines, and the touch signal is transmitted by the touch signal line, so as to avoid setting the transmission line of the touch signal directly on the metal layer where the data line is located, thus causing the density of the metal layer where the data line is located to be too large and limiting the size of the pixel, thereby increasing the opening. Rate and power consumption.

【技术实现步骤摘要】
显示装置及其阵列基板
本专利技术涉及显示装置
，尤其涉及一种显示装置及其阵列基板。
技术介绍
低温多晶硅面板借着其高分辨率、高迁移率、低功耗等诸多优点已成为了目前平板显示产品中的明星产品，被广泛应用在例如苹果、三星、华为、小米、魅族等各大手机及平板电脑上，由于低温多晶硅器件阵列工艺制程复杂，需要多次光罩(Mask)，因此，在低温多晶硅制程中如果能够降低光罩使用次数将会有效的降低生产成本。在目前生产的In-CellTouchPanel工艺过程中，一般需要13次Mask，而为了节约成本，目前行业内通常使用M2传递触控信号，可实现9次Mask，但由于M2密度过大，将会造成开口率降低等问题。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术提供一种显示装置及其阵列基板，能够提升整个显示装置的开口率、降低功耗。本专利技术提出的具体技术方案为：提供一种阵列基板，所述阵列基板包括呈阵列设置的多个像素单元，每一个所述像素单元包括遮光层、薄膜晶体管、触控电极、扫描线及数据线，所述扫描线沿第一方向设置，所述数据线沿第二方向设置，所述扫描线与所述数据线交叉，所述像素单元还包括触控信号线，所述触控信号线与所述扫描线位于同一层，在第一方向上的相邻两个所述触控信号线之间通过所述遮光层连接，所述触控信号线通过第一过孔与所述遮光层连接，所述触控信号线通过第二过孔与所述触控电极连接。进一步地，所述数据线覆盖所述触控信号线位于第一方向上的部分。进一步地，所述触控信号线包括沿第一方向延伸的垂直部以及由所述垂直部的两端朝向第二方向弯折延伸出的水平部，所述数据线覆盖所述垂直部，所述水平部通过第一过孔与所述遮光层连接，所述水平部通过第二过孔与所述触控电极连接。进一步地，所述水平部与所述扫描线平行。进一步地，所述垂直部与所述扫描线垂直。进一步地，所述触控信号线位于相邻两条扫描线之间。进一步地，所述遮光层包括遮光部和桥接部，所述遮光部与所述薄膜晶体管对应，所述桥接部与所述水平部对应，所述桥接部通过第一过孔与所述水平部连接。进一步地，所述薄膜晶体管为顶栅型。进一步地，所述像素单元包括衬底、遮光层、缓冲层、多晶硅层、第一层间介质层、栅绝缘层、第一金属层、第二层间介质层、第二金属层、第三层间介质层及触控电极，所述第一金属层用于形成所述扫描线和所述触控信号线，所述第二金属层用于形成所述数据线。本专利技术还提供了一种显示装置，所述显示装置包括如上任一所述的阵列基板。本专利技术提出的阵列基板的像素单元包括还包括触控信号线，所述触控信号线与所述扫描线位于同一层，在第一方向上的相邻两个所述触控信号线之间通过所述遮光层连接，所述触控信号线通过第一过孔与所述遮光层连接，所述触控信号线通过第二过孔与所述触控电极连接，将遮光层作为相邻两个触控信号线之间的桥接线，通过触控信号线来传递触控信号，避免将触控信号的传输线直接设置在数据线所在的金属层上，造成数据线所在的金属层的密度过大而限制像素的大小，从而提升了开口率、降低功耗。附图说明下面结合附图，通过对本专利技术的具体实施方式详细描述，将使本专利技术的技术方案及其它有益效果显而易见。图1为阵列基板的结构示意图；图2为图1中不包括第二金属层的阵列基板的结构示意图；图3为图2中不包括第一金属层的阵列基板的结构示意图；图4为图1中的A处在第一方向上的截面图；图5为显示装置的结构示意图。具体实施方式以下，将参照附图来详细描述本专利技术的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本专利技术，并且本专利技术不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本专利技术的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本专利技术的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。在附图中，相同的标号将始终被用于表示相同的元件。参照图1～4，本实施例的图1为省略了不导电膜层和触控电极的阵列基板的结构示意图，图2为图1中不包括第二金属层的阵列基板的结构示意图，图3为图2中不包括第一金属层的阵列基板的结构示意图，图4为图1中的A处在第一方向上的截面图。下面参照图1-3对本实施例的阵列基板的结构进行详细的描述。本实施例提供的阵列基板1包括呈阵列设置的多个像素单元10，每一个像素单元10包括遮光层11、薄膜晶体管12、触控电极13、扫描线14及数据线15，扫描线14沿第一方向设置，数据线15沿第二方向设置，扫描线14与数据线15交叉。像素单元10还包括触控信号线16，触控信号线16与扫描线14位于同一层，在第一方向上的相邻两个触控信号线16之间通过遮光层11连接，触控信号线16通过第一过孔20与遮光层11连接，触控信号线16通过第二过孔21与触控电极13连接。像素单元10还包括像素电极(图未示)，像素电极在触控电极13的上层金属层中形成。像素电极通过薄膜晶体管12与扫描线14、数据线15连接。本实施例中的第一方向为图1中的x轴方向，第二方向为图1中的y轴方向，第一方向与第二方向垂直，沿第一方向排列的多个扫描线14与沿第二方向排列的多个数据线15交叉并呈网格状形成阵列排布的多个像素单元10，每一个网格所在区域形成一个像素单元10。阵列基板1包括显示区域和非显示区域，其中，薄膜晶体管12所在的区域为阵列基板1的非显示区域。本实施例中的像素电极和触控电极13都为透明电极。触控电极13用于接收触控信号并通过第二过孔21将触控信号传递给触控信号线16，触控信号线16再通过第一过孔20将触控信号传递给遮光层11，遮光层11再通过第一过孔20将触控信号传递至在第一方向上与该触控信号线16相邻的另一触控信号线16，遮光层11作为相邻两个触控信号线16之间的桥接线，通过触控信号线16来传递触控信号，避免将触控信号的传输线直接设置在数据线15所在的金属层上，造成数据线15所在的金属层的密度过大而限制像素的大小，从而提升了开口率、降低功耗。较佳地，数据线15覆盖触控信号线16位于第一方向上的部分，即数据线15在触控信号线16所在的平面内的投影与触控信号线16位于x轴上的部分重合。这样，触控信号线16不会影响阵列基板1的像素的大小，从而进一步地提升了开口率、降低功耗。具体地，触控信号线16包括沿第一方向延伸的垂直部16a以及由垂直部16a的两端朝向第二方向弯折延伸出的水平部16b，数据线15覆盖垂直部16a，即数据线15在触控信号线16所在的平面内的投影与垂直部16a重合。水平部16b通过第一过孔20与遮光层11连接，水平部16b通过第二过孔21与触控电极13连接。遮光层11通过第一过孔20分别与在第一方向上的相邻两个触控信号线16连接，从而实现将第一方向上的触控信号线16进行桥接。遮光层11包括遮光部11a和桥接部11b，遮光部11a与薄膜晶体管12对应，桥接部11b与水平部16b对应，桥接部11b通过第一过孔20与水平部16b连接。水平部16b与扫描线14平行，垂直部16b与扫描线14垂直，即水平部16b与垂直部16a垂直。触控信号线16位于相邻两条扫描线14之间。本实施例中的薄膜晶体管12为顶栅型，具体地，像素单元10包括衬底22、遮光层11、缓冲层23、多晶硅层24、第一层间介质层25、栅绝缘层26、第一金属层27、第二层间介质层、第二金属层、第三层间介质层28、触控电极13、第四层间介质本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括呈阵列设置的多个像素单元，每一个所述像素单元包括遮光层、薄膜晶体管、触控电极、扫描线及数据线，所述扫描线沿第一方向设置，所述数据线沿第二方向设置，所述扫描线与所述数据线交叉，所述像素单元还包括触控信号线，所述触控信号线与所述扫描线位于同一层，在第一方向上的相邻两个所述触控信号线之间通过所述遮光层连接，触控信号线通过第一过孔与遮光层连接，所述触控信号线通过第二过孔与所述触控电极连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括呈阵列设置的多个像素单元，每一个所述像素单元包括遮光层、薄膜晶体管、触控电极、扫描线及数据线，所述扫描线沿第一方向设置，所述数据线沿第二方向设置，所述扫描线与所述数据线交叉，所述像素单元还包括触控信号线，所述触控信号线与所述扫描线位于同一层，在第一方向上的相邻两个所述触控信号线之间通过所述遮光层连接，触控信号线通过第一过孔与遮光层连接，所述触控信号线通过第二过孔与所述触控电极连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线覆盖所述触控信号线位于第一方向上的部分。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述触控信号线包括沿第一方向延伸的垂直部以及由所述垂直部的两端朝向第二方向弯折延伸出的水平部，所述数据线覆盖所述垂直部，所述水平部通过第一过孔与所述遮光层连接，所述水平部通过第二过孔与所述触控电极连接。4.根据权利要求3所述的阵列...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩约白，张嘉伟，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42