半导体激光器制造技术

本实用新型专利技术公开一种半导体激光器，包括基座、红外芯片、红光芯片、镀红光窄带反射膜、耦合透镜、中心穿设有光纤的陶瓷插针体及限位套，红外芯片、镀红光窄带反射膜、耦合透镜及限位套沿第一方向依次间隔设置于基座上，陶瓷插针体位于限位套内且光纤具有光纤入射端及光纤发射端，红光芯片沿与第一方向相交的第二方向设置于基座上，镀红光窄带反射膜所在平面与第二方向相交，红光芯片打出的红光经过镀红光窄带反射膜反射后与从红外芯片打出的红外激光一并进入耦合透镜耦合后形成一聚焦点，聚焦点打在光纤入射端。本实用新型专利技术的半导体激光器，保证半导体激光器具有红光指示的前提下减小了激光器的封装体积，使用较便利。

semiconductor laser

The utility model discloses a semiconductor laser, which comprises a base, an infrared chip, a red light chip, a red-plated narrow-band reflective film, a coupling lens, a ceramic pin insert body with a fiber in the center and a limiting sleeve, and an infrared chip, a red-plated narrow-band reflective film, a coupling lens and a limiting sleeve are arranged on the base in sequence along the first direction. The red light chip is arranged on the base along the second direction intersecting with the first direction. The plane where the red light narrow-band reflective film lies intersects the second direction. The red light emitted by the red light chip is reflected by the red light narrow-band reflective film. The infrared laser emitted by the external chip is coupled into the coupling lens to form a focus, and the focus is hit at the incident end of the fiber. The semiconductor laser of the utility model ensures that the semiconductor laser has red light indication and reduces the encapsulation volume of the laser and is convenient to use.

【技术实现步骤摘要】
半导体激光器
本技术涉及激光
，特别是涉及一种半导体激光器。
技术介绍
激光装置是一种可以发射激光的器件，在工业、医学及科研领域中得到了广泛的应用。在工业、医学及科研领域中广泛地应用红外激光(如808nm、980nm或1064nm)作为光源，但是红外激光属于不可见光，在应用中很多情况下需要知道这些光的传播路径和照射位置，如此便需要可见波长的红光作指示，以显示出红外激光所传播的路径和照射位置。传统具有红光指示的激光装置通常包括分体设置的红外激光器与红光激光器，红外激光器发射的红外激光与红光激光器发射的红光通过光纤合束器后打出，如此导致整个激光装置的封装体积较大，从而使用不方便。
技术实现思路
基于此，有必要针对具有红外指示的激光装置封装体积大从而带来的使用不方便的问题提供一种封装体积较小的半导体激光器。一种半导体激光器，包括基座、红外芯片、红光芯片、镀红光窄带反射膜、耦合透镜、中心穿设有光纤的陶瓷插针体及限位套，所述红外芯片、所述镀红光窄带反射膜、所述耦合透镜及所述限位套沿第一方向依次间隔设置于所述基座上，所述陶瓷插针体位于所述限位套内且所述光纤具有靠近所述耦合透镜的光纤入射端及远离所述耦合透镜的光纤发射端，所述红光芯片沿与所述第一方向相交的第二方向设置于所述基座上，所述镀红光窄带反射膜所在平面与所述第二方向相交，所述红光芯片打出的红光经过所述镀红光窄带反射膜反射后与从所述红外芯片打出的红外激光一并进入所述耦合透镜耦合后形成一聚焦点，所述聚焦点打在所述光纤入射端。本技术提供的半导体激光器，红光芯片打出的红光可以指示红外芯片打出的红外激光的传播路径和照射位置，且红外芯片与红光芯片同时集成在基座上，避免了将红外芯片与红光芯片分体设置，如此在保证半导体激光器具有红光指示的前提下减小了激光器的封装体积，使用较便利。在其中一个实施例中，所述第一方向与所述第二方向垂直，所述镀红光窄带反射膜所在平面与所述第一方向及所述第二方向均相交。在其中一个实施例中，所述半导体激光器还包括平面镜，所述光纤入射端与所述光纤发射端分别与所述陶瓷插针体的两端平齐，所述平面镜的与所述陶瓷插针体设有所述光纤入射端的一端相贴合并与所述耦合透镜间隔设置，所述聚焦点位于所述平面镜与所述陶瓷插针体的贴合面上。在其中一个实施例中，所述半导体激光器还包括尾纤及套接于所述尾纤外的连接件，所述连接件与所述限位套可拆卸连接，所述尾纤包括尾纤入射端与尾纤发射端，所述尾纤入射端与所述光纤发射端对接。在其中一个实施例中，所述连接件与所述限位套套接。在其中一个实施例中，所述耦合透镜为非球面耦合透镜。在其中一个实施例中，所述半导体激光器还包括设置于所述基座上的第一正极、第一负极、第二正极及第二负极，所述第一正极与所述第一负极均与所述红外芯片电连接，所述第二正极与所述第二负极均与所述红光芯片电连接。在其中一个实施例中，所述基座远离所述限位套的一端设有多个间隔设置的定位孔，所述第一正极、所述第一负极、所述第二正极及所述第二负极分别穿设于相对应的多个所述定位孔内固定。在其中一个实施例中，所述半导体激光器还包括保护套，所述保护套套接于所述基座外并包围所述红外芯片、所述红光芯片、所述镀红光窄带反射膜及所述耦合透镜，所述限位套的一端位于所述保护套内，所述限位套的另一端突伸出所述保护套。在其中一个实施例中，所述基座由无氧铜镀金制作而成。附图说明图1为本技术一实施例提供的半导体激光器的结构图；图2为图1中所提供的半导体激光器的部分结构的正视图；图3为图2中所提供的半导体激光器的部分结构的俯视图；图4为图1中所提供的半导体激光器的光路原理图；图5为本技术另一实施例提供的半导体激光器的结构图。具体实施方式为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的较佳实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容的理解更加透彻全面。需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。参阅图1-图3，本技术一较佳实施例提供一种半导体激光器100，包括基座10、红外芯片21、红光芯片22、镀红光窄带反射膜30、耦合透镜40、光纤51(参见图4)、陶瓷插针体52及限位套60。其中，红外芯片30即为可输出波长在红外波段的芯片，红光芯片22即为可输出波长在红光波段的芯片，镀红光窄带反射膜30可以反射红光并允许红外激光透过，耦合透镜40可以将两种不同波长的光耦合到一聚焦点，光纤51是一种由玻璃或塑料制成的纤维，可作为光传导工具，光纤51穿设于陶瓷插针体52的中心孔内，限位套60可以限制光纤51的位置。红外芯片21、镀红光窄带反射膜30、耦合透镜40及限位套60沿第一方向依次间隔设置于基座10上，陶瓷插针体52位于限位套60内且光纤具有光纤入射端511与光纤发射端512，红光芯片22沿与第一方向相交的第二方向设置于基座10上，红光芯片22打出的红光经过镀红光窄带反射膜30反射后进入耦合透镜40，此时红外芯片21打出的红外激光也进入耦合透镜40，在耦合透镜40的作用下红外激光与红光形成一聚焦点，该聚焦点打在光纤入射端511，即红外激光与红光共同耦合进光纤51并从光纤发射端512传导出，此时红光可以指示红外激光的路径和照射位置，且由于红外芯片21与红光芯片22同时集成在基座10上，避免了将红外芯片21与红光芯片22分体设置，如此在保证半导体激光器具有红光指示的前提下减小了激光器的封装体积，使用较便利。在本实施例中，基座10包括底板11及两个端板12，两个端板12分别连接于底板11的两端以形成开口向上的U字型，红外芯片21、红光芯片22、镀红光窄带反射膜30及耦合透镜40均设置于底板11上，其中一端板12开设有限位套安装孔，限位套60的一端穿设于限位套安装孔内，限位套60的另一端悬空设置。且基座10采用无氧铜镀金制作而成，有利于散热，且便于红外芯片21与红光芯片22的焊接。请参看图3，具体地，半导体激光器100包括第一正极71、第一负极72、第二正极73及第二负极74，第一正极71与第一负极72均与红外芯片21电连接，第二正极73与第二负极74均与红光芯片22电连接，如此红外芯片21可以通过第一正极71与第一负极72与电源连接，红光芯片22通过第二正极73与第二负极74与电源连接，即可以实现对红外芯片21与红光芯片22的单独控制。如在应用在医疗领域中时，通过控制红光芯片22指示好位置后将红光芯片22关闭，而后控制红外芯片21工作即可。第一正极71、第一负本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体激光器，其特征在于，包括基座、红外芯片、红光芯片、镀红光窄带反射膜、耦合透镜、中心穿设有光纤的陶瓷插针体及限位套，所述红外芯片、所述镀红光窄带反射膜、所述耦合透镜及所述限位套沿第一方向依次间隔设置于所述基座上，所述陶瓷插针体位于所述限位套内且所述光纤具有靠近所述耦合透镜的光纤入射端及远离所述耦合透镜的光纤发射端，所述红光芯片沿与所述第一方向相交的第二方向设置于所述基座上，所述镀红光窄带反射膜所在平面与所述第二方向相交，所述红光芯片打出的红光经过所述镀红光窄带反射膜反射后与从所述红外芯片打出的红外激光一并进入所述耦合透镜耦合后形成一聚焦点，所述聚焦点打在所述光纤入射端。

【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器，其特征在于，包括基座、红外芯片、红光芯片、镀红光窄带反射膜、耦合透镜、中心穿设有光纤的陶瓷插针体及限位套，所述红外芯片、所述镀红光窄带反射膜、所述耦合透镜及所述限位套沿第一方向依次间隔设置于所述基座上，所述陶瓷插针体位于所述限位套内且所述光纤具有靠近所述耦合透镜的光纤入射端及远离所述耦合透镜的光纤发射端，所述红光芯片沿与所述第一方向相交的第二方向设置于所述基座上，所述镀红光窄带反射膜所在平面与所述第二方向相交，所述红光芯片打出的红光经过所述镀红光窄带反射膜反射后与从所述红外芯片打出的红外激光一并进入所述耦合透镜耦合后形成一聚焦点，所述聚焦点打在所述光纤入射端。2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向垂直，所述镀红光窄带反射膜所在平面与所述第一方向及所述第二方向均相交。3.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器还包括平面镜，所述光纤入射端与所述光纤发射端分别与所述陶瓷插针体的两端平齐，所述平面镜的与所述陶瓷插针体设有所述光纤入射端的一端相贴合并与所述耦合透镜间隔设置，所述聚焦点位于所述平面镜与所述陶瓷插针体的贴合面上。4.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：文少剑，刘猛，黄海翔，
申请(专利权)人：深圳市杰普特光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44