A method of treating semiconductor wafers includes depositing silicon layers on the semiconductor wafers. The first slurry is applied to the semiconductor wafer and the silicon layer is polished to make the silicon layer smooth. The second slurry is applied to the semiconductor wafer. The second slurry contains a greater amount of corroding agent than the first slurry.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于处理具有多晶面层的半导体晶片的方法相关申请案的交叉参考本申请案主张2015年9月30日提出申请的第62/235,197号美国临时申请案的优先权，所述美国临时申请案的揭示内容特此以全文引用方式并入。
本专利技术大体来说涉及处理半导体晶片，且更特定来说涉及用于处理半导体晶片(包含对半导体晶片的表面进行抛光)的系统及方法。
技术介绍
半导体晶片用于生产例如集成电路(IC)芯片、绝缘体上硅(SOI)晶片及射频SOI(RF-SOI)晶片等半导体装置。通常，半导体晶片包含可导致形成高导电率反转累积层的高电阻率衬底，这阻碍半导体装置的性能。在一些工艺中，将例如多晶硅层等层沉积到半导体晶片的表面上以提供密度电荷陷阱，且借此抑制高导电率反转累积层的形成。举例来说，可将所述层沉积到形成高电阻率衬底与埋入式氧化物(BOX)之间的界面的表面上以阻碍电荷跨越所述界面移动。一旦被沉积，所述层便往往在半导体晶片上形成粗糙表面。因此，需要将半导体晶片的粗糙表面进一步处理成具有满足用于生产半导体装置(例如IC芯片、SOI晶片及RF-SOI晶片)的严格参数的特性。通常，将半导体晶片的表面抛光以改...
【技术保护点】
1.一种处理半导体晶片的方法，其包括：在所述半导体晶片上沉积硅层；将第一浆液施加到所述半导体晶片；对所述硅层进行抛光以使所述硅层平滑；将第二浆液施加到所述半导体晶片，所述第二浆液包含比所述第一浆液更大量的腐蚀剂。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.30 US 62/235,1971.一种处理半导体晶片的方法，其包括：在所述半导体晶片上沉积硅层；将第一浆液施加到所述半导体晶片；对所述硅层进行抛光以使所述硅层平滑；将第二浆液施加到所述半导体晶片，所述第二浆液包含比所述第一浆液更大量的腐蚀剂。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅层是多晶硅层，所述层在抛光之后具有经减小的粗糙度，且多晶晶粒边界通过抛光而被减小。3.根据权利要求1所述的方法，其中使用所述第一浆液对所述硅层进行抛光达预定时间，所述预定时间处于约1分钟与约5分钟之间的范围内。4.根据权利要求1所述的方法，其中预定时间是大约2分钟。5.根据权利要求1所述的方法，其中使用所述第二浆液对所述硅层进行抛光达预定时间，所述预定时间处于约5分钟与约15分钟之间的范围内。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述腐蚀剂是氢氧化钾。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二浆液的pH大于所述第一浆液的pH。8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在对所述硅层进行抛光之前清洁所述半导体晶片以促进所述硅层上的生长。9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括在对所述硅层进行抛光之前于所述硅层上形成氧化硅层。10.根据权利要求9所述的方法，其中清洁所述半导体晶片包括使用标准清洁1SC1来清洁所述半导体晶片。11.一种处理半导体晶片的方法，其包括：在所述半导体晶片上沉积硅层；将所述半导体晶片定位于第一晶片抛光设备上；当所述半导体晶片定位于所述第一晶片抛光设备上时，对所述硅层进行抛光使得所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：王慧，A·朱，A·格拉贝，
申请(专利权)人：太阳能爱迪生半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：新加坡,SG
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