The present invention relates to a surface passivation solution and its application to surface passivation of tellurium manganese cadmium crystal. Passivation liquid mass percent is potassium persulfate passivation solution 1% ~ 5%, the quality of persulfate and deionized water as the ratio of 1:99 to 5:95, when applied, will have been chemically plating CdMnTe wafer into gold electrode passivation passivation solution prepared in 1 after 20min. Rinse with deionized water, finally dried by nitrogen, obtained CdMnTe crystal surface passivation. The passivation process has the advantages of simple operation, low cost, and high resistance oxide layer formed on the surface of the tellurium cadmium manganese crystal after passivation, so as to effectively reduce the leakage current and improve the performance of the detector.
【技术实现步骤摘要】
一种表面钝化液及其用于碲锰镉晶体表面钝化的应用
本专利技术属于化合物半导体材料制造
,涉及一种表面钝化液及其用于碲锰镉晶体表面钝化的应用,该钝化液能够有效降低探测器表面的漏电流,提高探测器性能。
技术介绍
碲锰镉(CMT)晶体具有平均原子序数高、禁带宽度大、电阻率高和载流子迁移率寿命积大等优点,由其制成的探测器吸收系数大,计数率大,体积小,使用方便并且能在室温下工作,成为目前核辐射探测器材料的发展重点。CMT的电子能带结构和半导体性质与碲锌镉十分相似,并在某些方面表现更为优异:如Mn2+离子可以更快的增加CMT的禁带宽度,Mn的分凝系数接近于1,生长态的CMT晶体的成分分布更加均匀等。CMT探测器可广泛用于医学成像、环境保护、工业监控、核安全检测、违禁品稽查以及天体物理研究等领域。但是,CMT表面的漏电流会使探测器不耐高压,引起本底噪声,导致器件的能量分辨率和载流子迁移率寿命乘积降低,从而影响其作为室温辐射探测器的应用。因此,需要采取有效的措施对CMT探测器表面进行钝化,以减小漏电流。化合物半导体的表面缺陷是产生表面漏电流的主要原因。CMT晶体经过化学腐蚀在 ...
【技术保护点】
一种表面钝化液,其特征在于,所述的表面钝化液的钝化剂为过硫酸钾。
【技术特征摘要】
1.一种表面钝化液,其特征在于,所述的表面钝化液的钝化剂为过硫酸钾。2.如权利要求1所述的表面钝化液,其特征在于,表面钝化液中过硫酸钾的质量百分含量为1%~5%。3.一种表面钝化液,其特征在于,包括过硫酸钾和水,过硫酸钾与水的质量比为1:99~5:95。4.权利要求1、2或3所述的表面钝化液用于室温辐射探测器晶体表面钝化的应用。5.权利要求1、2或3所述的表面钝化液用于碲锰镉晶体表面钝化的应用。6.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员:俞鹏飞,李辉,陈永仁,宋婕,王钰,
申请(专利权)人:长安大学,
类型:发明
国别省市:陕西,61
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