一种基于双半球碲锌镉探测器及双前置放大器的剂量率仪制造技术

技术编号:14821567 阅读:84 留言:0更新日期:2017-03-15 20:01
本发明专利技术属于辐射监测技术领域,公开了一种基于双半球碲锌镉探测器及双前置放大器的剂量率仪。该剂量率仪包括探测器系统、信号处理系统和控制电路系统;所述探测器系统包括两个半球型CZT晶体、前置放大器及电路板;所述控制电路系统包括高压电源模块、低压电源模块、便携式模组电源及电池管理芯片;所述信号处理系统包括双通道数字多道、信号处理软件、液晶触摸屏和计算机。该剂量率仪具有能量分辨率高、探测效率高的有益效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于辐射监测
,具体涉及一种基于双半球碲锌镉探测器及双前置放大器的剂量率仪
技术介绍
国内外将碲锌镉(以下简称CZT)晶体用于辐射监测方面的技术比较成熟,目前已经公开了平面型、混合手持型、弗里希栅型以及半球型碲锌镉探测器等,其中半球型CZT探测器形状一般为长方体形,电场为类半球型,因此本领域技术人员一般称之为半球型CZT探测器。王莹等2014年公开了《基于半球型碲锌镉探测器的多功能剂量率仪适用性研究》这一文献,并从能量范围、能量分辨率、环境适应性和角响应等方面阐述了基于半球型CZT探测器作为多功能剂量率仪的适用性,该文献是利用两个半球型CZT探测器共阳极合并成一个类球型CZT探测器,但是该文献公开的探测器仍然存在探测效率和能量分辨率较低的问题。
技术实现思路
(一)专利技术目的根据现有技术所存在的问题,本专利技术提供了一种能量分辨率高、探测效率高的剂量率仪。(二)技术方案为了解决现有技术所存在的问题,本专利技术提供的技术方案如下:一种基于双半球碲锌镉探测器及双前置放大器的剂量率仪,该剂量率仪包括探测器系统、信号处理系统和控制电路系统;所述探测器系统包括两个半球型CZT本文档来自技高网...
一种基于双半球碲锌镉探测器及双前置放大器的剂量率仪

【技术保护点】
一种基于双半球碲锌镉探测器及双前置放大器的剂量率仪,其特征在于,该剂量率仪包括探测器系统、信号处理系统和控制电路系统;所述探测器系统包括两个半球型CZT晶体、前置放大器及电路板,两个半球型CZT晶体的形状、结构和尺寸完全相同,均为长方体形;所述每个半球型CZT晶体面积最大的一个面接正高压,为阳极,其他5面接地为阴极;该两个晶体采用左右摆放的方式安装在电路板上,电路板下方对应每个CZT晶体处都设置有一个前置放大器,X、γ射线在半球型CZT晶体上产生的信号传输至前置放大器上;该两个晶体面积最大的阴极面为左右相邻面,且该两个相邻面紧密贴合;该两个晶体、电路板及前置放大器位于一个圆筒形外壳内,两个晶体...

【技术特征摘要】
1.一种基于双半球碲锌镉探测器及双前置放大器的剂量率仪,其特征在于,该剂量率仪包括探测器系统、信号处理系统和控制电路系统;所述探测器系统包括两个半球型CZT晶体、前置放大器及电路板,两个半球型CZT晶体的形状、结构和尺寸完全相同,均为长方体形;所述每个半球型CZT晶体面积最大的一个面接正高压,为阳极,其他5面接地为阴极;该两个晶体采用左右摆放的方式安装在电路板上,电路板下方对应每个CZT晶体处都设置有一个前置放大器,X、γ射线在半球型CZT晶体上产生的信号传输至前置放大器上;该两个晶体面积最大的阴极面为左右相邻面,且该两个相邻面紧密贴合;该两个晶体、电路板及前置放大器位于一个圆筒形外壳内,两个晶体的正中位置处于圆筒的径向中心线上且阳极面对着筒壁;所述控制电路系统包括高压电源模块、低压电源模块、便携式模组电源及电池管理芯片,其中高压电源模块、低压电源模块分别通过线路与前置放大器连接,且线路与圆筒形外壳之间密封处理;高压电源模块为两个半球型CZT晶体提供高压,低压电源模块为前置放大器提供±12V的工作电压;所述信号处理系统包括双通道数字多道、信号处理软件、液晶触摸屏...

【专利技术属性】
技术研发人员:王莹陈凌骆志平黄金峰熊文俊庞洪超刘阳
申请(专利权)人:中国原子能科学研究院
类型:发明
国别省市:北京;11

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