一种电磁屏蔽膜制造技术

本发明专利技术提供一种电磁屏蔽膜，所述电磁屏蔽膜包括依次连接的基层(1)、绝缘层(2)、导电胶层(3)、导电聚合物层(4)以及离型层(5)。所述电磁屏蔽膜具有优异的电磁屏蔽性能，同时可以适应在强磁场环境下的使用，使用寿命长。

An electromagnetic shielding film

The invention provides an electromagnetic shielding film, which comprises a base layer (1), an insulating layer (2), a conductive adhesive layer (3), a conductive polymer layer (4) and a release layer (5) connected sequentially. The electromagnetic shielding film has excellent electromagnetic shielding performance, can be used in strong magnetic field environment, and has long service life.

【技术实现步骤摘要】
一种电磁屏蔽膜
本专利技术属于膜
，涉及一种电磁屏蔽膜。
技术介绍
近年来，随着无线电技术的普遍使用，电磁污染越来越普遍，同时电路本身低电压低功耗的使用，使得电路本身的抗电磁干扰(EMI)的能力显著下降。在产品外壳镀覆抗EMI薄膜，既可以保护本产品不受外界EMI影响，又可以降低自身对外界的干扰，欧盟89/336/EEC(EMC)标准已经明确指出电子产品必须在产品外壳内壁镀覆抗EMI薄膜。目前使用的屏蔽材料主要有导电型、填充型、本征型以及吸波型，制备方法主要是贴金属箔、溅射镀、电镀或化学镀和涂敷导电涂料等方法。随着柔性线路板布线线路的越来越密集，对电磁屏蔽膜的要求越来越高，屏蔽效能大于60db的电磁屏蔽膜越来越受到市场的青睐。屏蔽效能与导通有着直接的关系，导通数值越小，屏蔽效能越高。CN106531311A公开了一种用于线缆的电磁屏蔽膜、电磁屏蔽膜的制造方法及线材的制造方法，涉及线材制造领域，用于现有技术在线材的屏蔽处理时，生产效率低、生产成本高等问题。本专利技术用于线缆的电磁屏蔽膜包括第一金属层、导电层以及第二保护膜；第一金属层覆盖在线缆的导体的外被上，用于屏蔽电磁干扰并作为介质；导电层设置于第一金属层上，用于屏蔽电磁干扰；第二保护膜设置于导电层上，用于对电磁屏蔽膜提供保护。所述电磁屏蔽膜以金属为主体，不能适应在高磁场强度下的使用，同时膜寿命较短。CN107333462A公开了一种导电层、电磁屏蔽膜及电磁屏蔽膜的加工方法，涉及电磁屏蔽
电磁屏蔽膜的导电层包括第一导电层以及涂布于第一导电层的一侧的第二导电层；第一导电层的导电粉包括枝状导电粉，枝状导电粉的导电粒子的粒径为5～20μm；第二导电层的导电粉包括片状导电粉或球状导电粉，片状导电粉或球状导电粉的导电粒子的粒径与第二导电层的厚度相同，解决了现有技术中存在的为改善电磁屏蔽膜的导电层外观粗糙、不平整的现象，容易引起成本的增加或是导电性能及屏蔽效能的降低的技术问题，通过设置第二导电层弥补了第一导电层的外观粗糙、不平整，同时使整个电磁屏蔽膜的导电层的屏蔽效果更加优异。所述电磁屏蔽膜同样以金属为主体，没有克服现有电磁屏蔽膜的缺陷。
技术实现思路
针对现有技术中存在的技术问题，本专利技术提供一种电磁屏蔽膜，所述电磁屏蔽膜具有优异的电磁屏蔽性能，同时可以适应在强磁场环境下的使用，使用寿命长。为达上述目的，本专利技术采用以下技术方案：本专利技术提供一种电磁屏蔽膜，所述电磁屏蔽膜包括依次连接的基层、绝缘层、导电胶层、导电聚合物层以及离型层。本专利技术中，基层为PET薄膜、PEN薄膜或PBT薄膜中任意一种或至少两种的组合。本专利技术中，基材层的厚度为50～80μm。本专利技术中，所述绝缘层为油墨绝缘层。本专利技术中，所述绝缘层的厚度为5～10μm。本专利技术中，导电胶层的基材为环氧树脂、聚氨酯或酚醛树脂中的任意一种或至少两种的组合。本专利技术中，导电胶层的导电填料为导电聚合物颗粒。本专利技术中，所述导电聚合物为掺杂聚乙炔、掺杂聚噻吩以及掺杂聚吡咯中的任意一种或至少两种的组合。本专利技术使用的导电胶使用导电聚合物颗粒取代金属颗粒作为导电填料，避免了在强磁场下，金属颗粒会随磁场变化发生迁移，进而使得导电胶的导电性能分布不均，会导致电磁屏蔽膜性能下降的问题。同时，由于金属颗粒比重较大，随着使用时间的增长，金属颗粒会在导电胶中发生沉积和聚集，影响电磁屏蔽膜的使用寿命，而本专利技术导电胶中的导电填料为导电聚合物，导电聚合物的比重要远小于金属颗粒，因此可以提高电磁屏蔽膜的使用寿命。本专利技术中，所述导电胶层的厚度为10～15μm。本专利技术中，所述导电聚合物层为掺杂聚乙炔、掺杂聚噻吩以及掺杂聚吡咯中的任意一种或至少两种的组合。本专利技术使用到点聚合物作为导电层，导电聚合物中存在着π-π共轭体系，电子可以在π-π共轭体系中自由移动，即使在强磁场作用下，电子随磁场发生聚集，但是由于π-π共轭体系可以是电子能量平均化，也不会造成导电层屏蔽性能的下降。而金属在强磁场下，电子随磁场迁移和聚集，会造成金属的部分区域导电性能急剧下降，从而使得屏蔽膜的屏蔽性能下降。本专利技术中，所述导电聚合物层的厚度为15～20μm。本专利技术中，所述导电聚合物层与导电胶层中的导电聚合物的质量比为(10～30):1。本专利技术控制导电聚合物层与导电胶层中的导电聚合物的质量比，使得导电聚合物层的电流密度大于导电胶层，从形成由电磁屏蔽膜内部向外部的电势差，可以提高电磁屏蔽膜的屏蔽能力。如果其比例小于10:1，会减弱电势差，造成屏蔽性能下降，如果其比例大于30:1，会导致电磁屏蔽膜内部电势差过大，使得导电胶层的导电线能逐渐下降，影响电磁屏蔽膜的使用寿命。本专利技术中，所述离型层包括PE离型膜、PET离型膜、PC离型膜、PS隔离膜、PMMA离型膜、PVC剥离膜或PTFE离型膜中的任意一种或至少两种的组合。本专利技术中，所述离型层的厚度为50～100μm。与现有技术方案相比，本专利技术至少具有以下有益效果：本专利技术提供一种电磁屏蔽膜，所述电磁屏蔽膜具有优异的电磁屏蔽性能，屏蔽效能可达125DB，同时可以适应在强磁场环境下的使用，相较于常规环境，在强磁场(10万高斯)下，屏蔽效能仅下降10％左右，且使用寿命长。附图说明图1是本专利技术提供的电磁屏蔽膜的结构示意图。图中：1-基层，2-绝缘层，3-导电胶层，4-导电聚合物层，5-离型层。下面对本专利技术进一步详细说明。但下述的实例仅仅是本专利技术的简易例子，并不代表或限制本专利技术的权利保护范围，本专利技术的保护范围以权利要求书为准。具体实施方式下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本专利技术的技术方案。为更好地说明本专利技术，便于理解本专利技术的技术方案，本专利技术的典型但非限制性的实施例如下：实施例1一种结构如图1所示的电磁屏蔽膜，所述电磁屏蔽膜包括依次连接的基层1、绝缘层2、导电胶层3、导电聚合物层4和离型层5。其中，所述载体膜层1为PET膜，厚度为50μm；所述绝缘层2为油墨绝缘层，厚度为5μm；所述导电胶层3的基材为环氧树脂，导电填料为掺杂聚乙炔，厚度为10μm；所述导电聚合物层4的材料为掺杂聚乙炔，厚度为15μm；所述离型层5为PET离型膜，厚度为50μm。其中，导电聚合物层与导电胶层中的导电聚合物的质量比为10:1。实施例2一种结构如图1所示的电磁屏蔽膜，所述电磁屏蔽膜包括依次连接的基层1、绝缘层2、导电胶层3、导电聚合物层4和离型层5。其中，所述载体膜层1为PBT膜，厚度为80μm；所述绝缘层2为油墨绝缘层，厚度为10μm；所述导电胶层3的基材为聚氨酯，导电填料为掺杂聚吡咯，厚度为15μm；所述导电聚合物层4的材料为掺杂聚吡咯，厚度为20μm；所述离型层5为PC离型膜，厚度为100μm。其中，导电聚合物层与导电胶层中的导电聚合物的质量比为30:1。实施例3一种结构如图1所示的电磁屏蔽膜，所述电磁屏蔽膜包括依次连接的基层1、绝缘层2、导电胶层3、导电聚合物层4和离型层5。其中，所述载体膜层1为PEN膜，厚度为60μm；所述绝缘层2为油墨绝缘层，厚度为8μm；所述导电胶层3的基材为酚醛树脂，导电填料为掺杂聚噻吩，厚度为12μm；所述导电聚合物层4的材料为掺杂聚噻吩，厚度为18μm；所述离型层5为PVC剥离膜，厚度为60μm。其中，导电聚合物层与导电胶层中的导电聚合本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电磁屏蔽膜，其特征在于，所述电磁屏蔽膜包括依次连接的基层(1)、绝缘层(2)、导电胶层(3)、导电聚合物层(4)以及离型层(5)。

【技术特征摘要】
1.一种电磁屏蔽膜，其特征在于，所述电磁屏蔽膜包括依次连接的基层(1)、绝缘层(2)、导电胶层(3)、导电聚合物层(4)以及离型层(5)。2.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述基层(1)的厚度为50～80μm。3.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述绝缘层(2)的厚度为5～10μm。4.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述导电胶层(3)的导电填料为导电聚合物颗粒。5.根据权利要求4所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述导电聚合物为掺杂聚乙炔、掺杂聚噻吩以及掺杂聚吡咯中的任意一种或至少两种的组合。6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：杭飞，李春燕，
申请(专利权)人：蔡志浩，杭飞，李春燕，
类型：发明
国别省市：广东,44