电磁波屏蔽膜及其制造方法技术

电磁波屏蔽膜（1）包括：由以镍为主要成分的第1金属层（5）和以铜为主要成分的第2金属层（6）构成的屏蔽层（2），设置于屏蔽层2的第2金属层（6）一侧的面上的接合剂层3，设置于屏蔽层2的第1金属层一侧的面上的保护层（4）。第2金属层（6）的平均晶粒尺寸为50nm以上200nm以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电磁波屏蔽膜及其制造方法
本公开涉及一种电磁波屏蔽膜及其制造方法。
技术介绍
近年来智能手机、平板型信息终端对高速传送大容量数据的性能要求越来越高，而为了高速传送大容量数据就需要使用高频信号。但使用高频信号的话，设于印制线路板的信号线路会产生电磁波噪声，容易导致周围机器运行错误。因此，为了防止这种运行错误，屏蔽印制线路板使其不受电磁波影响就很重要。屏蔽印制线路板的方法已有人想到使用含有屏蔽层和导电性接合剂层的电磁波屏蔽膜（例如参照专利文献1～3）。关于这些电磁波屏蔽膜，让导电性接合剂层与用于覆盖印制线路板的接地线路的绝缘层上所设开口部重叠后加热加压，在开口部充填导电性接合剂。由此，屏蔽层和印制线路板的接地线路介由导电性接合剂连接，印制线路板被屏蔽。之后，为了连接印制线路板和电子零部件，被屏蔽的印制线路板在再流焊工序中暴露于270℃程度的高温下。另外，在将电子零部件贴附于印制线路板之后，为了对电子零部件的位置进行微修正，有时会进行一种被称为修理的作业，即加热印制线路板，从印制线路板剥下电子零部件之后再次进行贴附。然后，经过修理作业之后需要将电子零部件贴附于印制线路板，因此电磁波屏蔽膜在再流焊工序中再次暴露于高温下。在先技术文献专利文献专利文献1:特开（日本专利公开）2004－095566号公报；专利文献2:WO2006／088127号单行本；专利文献3:WO2009／019963号单行本。
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题在上述专利文献1～3所述电磁波屏蔽膜中，将屏蔽印制线路板暴露于数次再流焊工序的话，会产生导电性接合剂层的流动和金属表面的氧化，使屏蔽膜和印制线路板的电连接降低，结果产生屏蔽特性降低这一问题。有鉴于上述问题，本专利技术的目标为提供一种即使暴露于数次再流焊工序也能够维持与印制线路板的稳定连接的电磁波屏蔽膜及其制造方法。解决技术问题的技术手段为了达成上述目标，本专利技术的电磁波屏蔽膜包括由以镍为主要成分的第1金属层和以铜为主要成分的第2金属层构成的屏蔽层、设于屏蔽层的第2金属层一侧的接合剂层、以及设于屏蔽层的第1金属层一侧的保护层，其特征在于第2金属层的平均晶粒尺寸为50nm以上200nm以下。专利技术效果关于本专利技术的电磁波屏蔽膜，由于第2金属层的平均晶粒尺寸为50nm以上200nm以下，因此即使暴露于数次再流焊工序也能够维持与印制线路板的稳定连接。附图简单说明[图1]本专利技术实施方式所涉及的电磁波屏蔽膜的截面图；[图2]本专利技术实施方式所涉及的屏蔽印制线路板的截面图；[图3]实施例的耐再流焊性评价中的电阻值的测定方法的说明图。专利技术实施方式以下就本专利技术的电磁波屏蔽膜进行具体说明。本专利技术不受以下实施方式所限，在不变更本专利技术要旨的范围内能够为适用而进行适当变更。＜电磁波屏蔽膜＞如图1所示，本专利技术的电磁波屏蔽膜1包括由第1金属层5和第2金属层6构成的屏蔽层2、设于屏蔽层2的第2金属层6一侧的面上的接合剂层3、以及设于屏蔽层2的第1金属层一侧的面上的保护层4。＜屏蔽层＞如图1所示，屏蔽层2由设于保护层4的单面上的第1金属层5和设于第1金属层5的表面的第2金属层6构成。在本实施方式中，从防止电磁波屏蔽膜1和印制线路板之间的电连接降低的观点出发，需要将第2金属层6的平均晶粒尺寸控制在50nm以上200nm以下，更优选为控制在50nm以上150nm以下。为了抑制表面氧化，平均晶粒尺寸越小越好，但是成膜速度也会变慢，因此通过用真空蒸镀法制膜并使得平均晶粒尺寸为50nm以上能够稳定地进行制造。另外，通过使得平均晶粒尺寸为200nm以下能够获得防止第2金属层6的表面氧化的效果，通过使平均晶粒尺寸为150nm以下能够获得更好的效果。第1金属层5和第2金属层6能够为金属膜或由导电性粒子组成的导电膜等，在本实施方式中，第1金属层5以镍为主要成分，第2金属层6以铜为主要成分。仅用真空蒸镀法在保护层4上形成铜膜的话就无法充分确保保护层4和铜膜的紧密附着力，因此为了确保紧密附着力采取以下方法：通过溅射法在保护层4上形成第1金属层5作为基础层，在第1金属层5上蒸镀以铜为主要成分的第2金属层6。但是，如果用溅射法形成铜膜作为基础层，即第1金属层5的话，受到以溅射法形成的平均晶粒尺寸大的铜的影响，在其上用真空蒸镀形成的第2金属层6的平均晶粒尺寸也大，难以控制。在此优选为用对第2金属层6的平均晶粒尺寸影响小的镍，通过溅射法形成镍膜作为第1金属层5。当为上述结构时，推测第2金属层6的接合剂层3一侧的表面会形成稳定的薄氧化膜。该薄氧化膜在高温环境下也作为保护膜发挥作用，抑制氧化的发展。因此，即使将屏蔽印制线路板暴露于数次再流焊工序，也能够防止电磁波屏蔽膜1和印制线路板之间由于氧化膜的增加而导致的电连接的降低。因此能够维持电磁波屏蔽膜1和印制线路板的稳定连接。这里所说的“平均晶粒尺寸”是指利用X射线衍射（RIGAKUUltimaIV）测定平均晶粒尺寸的结果。在以下测定条件下进行测定：X射线管的电压和电流：40kV-40mA、扫描速度：2°／min、发散狭缝（DS）：2／3°、散射狭缝（SS）：2／3°、接收狭缝（RS）：0．3mm，在平均晶粒尺寸的测定中，使用谢乐公式用第2金属层6的优先取向面，即（111）衍射峰的半高宽（FWHM）进行计算。在本实施方式中，优选为第1金属层5的厚度T1和第2金属层6的厚度T2合计为0．105μm以上3．03μm以下（即0．105μm≦T1＋T2≦3．03μm）。这是因为当不足0．105μm时电磁波屏蔽性能不够，而且虽然从电磁波屏蔽性能的观点出发第2金属层6的厚度越厚越好，但是如果大于3．03μm的话，第2金属层6的平均晶粒尺寸过大，有时会产生无法获得防止第2金属层6的表面氧化的效果这一问题。在本实施方式中还优选为第2金属层6的厚度T2为0．1μm以上3μm以下，更优选为0．2μm以上1．5μm以下。这是因为当不足0．1μm时有时会产生电磁波屏蔽性能不够这一问题。另外，即使在0．1μm以上，根据用途的不同电磁波屏蔽性能也可能会不够，从提高电磁波屏蔽性能的观点出发第2金属层6的厚度优选为0．2μm以上。还因为如果大于3μm的话，第2金属层6的平均晶粒尺寸会进一步过大，有时会产生无法获得防止第2金属层6的表面氧化的效果这一问题。另外，从防止表面氧化的观点出发，第2金属层6优选为更薄，在由于使用无铅焊料导致再流焊时的加热条件更加严峻时，更优选为第2金属层6的厚度为1．5μm以下。在本实施方式中还优选为第1金属层5的厚度T1为5nm以上30nm以下，更优选为7nm以上15nm以下。这是因为当不足5nm时有时会产生第1金属层5和保护层4的紧密附着性降低这一问题。在用焊料安装等时使用的再流焊中，由于使用无铅焊料导致加热条件更加严峻时需要使得紧密附着力更加稳定，更优选为7nm以上。还因为如果大于30nm的话，在第1金属层5上形成的第2金属层6的平均晶粒尺寸更大，有时会产生无法获得防止第2金属层6的表面氧化的效果这一问题。为了防止表面氧化，优选为第1金属层5的厚度T1薄，在用焊料安装等时使用的再流焊中，在由于使用无铅焊料导致加热条件更加严峻时，优选为15nm以下。＜接合剂层＞接合剂层3只要能够将电磁波屏蔽膜1固定于印制线路本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电磁波屏蔽膜，其特征在于：包括：由以镍为主要成分的第1金属层和以铜为主要成分的第2金属层构成的屏蔽层，设置于所述屏蔽层的所述第2金属层一侧的面上的接合剂层，设置于所述屏蔽层的所述第1金属层一侧的面上的保护层，其中，所述第2金属层的平均晶粒尺寸为50nm以上200nm以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.12.25 JP 2015-2535141.一种电磁波屏蔽膜，其特征在于：包括：由以镍为主要成分的第1金属层和以铜为主要成分的第2金属层构成的屏蔽层，设置于所述屏蔽层的所述第2金属层一侧的面上的接合剂层，设置于所述屏蔽层的所述第1金属层一侧的面上的保护层，其中，所述第2金属层的平均晶粒尺寸为50nm以上200nm以下。2.根据权利要求1所述的电磁波屏蔽膜，其特征在于：所述第1金属层的厚度和所述第2金属层的厚度合计为0．105μm以上3．03μm以下。...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩井靖，柳善治，都地辉明，西山刚司，藤信男，
申请(专利权)人：拓自达电线株式会社，东丽KP薄膜股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP