场效应晶体管及场效应晶体管的制备方法技术

提供一种场效应晶体管(10)及场效应晶体管的制备方法。场效应晶体管包括衬底(110)，衬底包括第一表面(110a)；栅极(120)，栅极自第一表面嵌设于衬底，且栅极的一端面与第一表面平齐；栅介质层(130)，覆盖第一表面及栅极与第一表面平齐的端面；石墨烯层(140)，设置在栅介质层背离衬底的表面；源极(150)，设置在石墨烯层背离栅介质层的表面；及漏极(160)，设置在石墨烯层背离栅介质层的表面，且与源极之间设有间隙。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】PCT国内申请，说明书已公开。

【技术保护点】
PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】PCT国内申请，...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐慧龙，秦旭东，张臣雄，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44