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提供一种场效应晶体管(10)及场效应晶体管的制备方法。场效应晶体管包括衬底(110)，衬底包括第一表面(110a)；栅极(120)，栅极自第一表面嵌设于衬底，且栅极的一端面与第一表面平齐；栅介质层(130)，覆盖第一表面及栅极与第一表面平齐...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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