薄膜晶体管阵列基板、显示面板以及显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种薄膜晶体管阵列基板、显示面板以及显示装置。阵列基板包括基板以及静电释放线路层，静电释放线路层设置在基板一侧的非显示区内，静电释放线路层包括围绕显示区设置的导电线路及与导电线路电连接的静电释放器件；其中，静电释放器件包括多个间隔设置的静电释放单元，静电释放单元一端连接基板边缘，另一端连接导电线路。通过将静电释放器件的截面设置为梳齿状可以解决现有的显示面板在切割的过程中容易出现膜层损坏的问题，从而提高显示面板的切割良率。

Thin film transistor array substrate, display panel and display device

The invention discloses a thin film transistor array substrate, a display panel and a display device. The array substrate comprises a substrate and an electrostatic discharge line layer, which is arranged in a non-display area on one side of the substrate, and the electrostatic discharge line layer comprises a conductive circuit arranged around the display area and an electrostatic discharge device connected with the conductive circuit electrically; wherein the electrostatic discharge device comprises a plurality of electrostatic discharge devices arranged at intervals. One end of the electrostatic releasing unit is connected with the edge of the substrate, and the other end is connected with a conductive line. By setting the cross-section of the electrostatic discharge device as comb tooth, the problem that the existing display panel is easy to be damaged in the cutting process can be solved, and the cutting yield of the display panel can be improved.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管阵列基板、显示面板以及显示装置
本申请涉及显示
，特别是涉及一种薄膜晶体管阵列基板、显示面板以及显示装置。
技术介绍
低温多晶硅薄膜晶体管(LowTemperaturePoly-SiThinFilmTransistor，LTPS-TFT)具有载流子迁移率高，器件尺寸小等突出优点，是发展低功耗、高集成度显示面板的关键技术。LTPS-TFT阵列基板的制作需经历成膜、光刻、清洗等多道工艺，涉及多种制程机台。在生产过程中，阵列基板与制程机台的摩擦接触极易导致静电积累，引起LTPS-TFT膜层静电放电(ElectrostaticDischarge,ESD)损伤，导致器件失效。为防止LTPS-TFT阵列基板制造过程中器件ESD损伤，常用的方案是在屏幕的显示区域外围制作金属防护线路(Guardring),线路的两端使用重掺杂的Poly-Si作为静电释放器件，引导静电在显示区域外释放，从而实现对显示区域半导体器件的保护。然而现有技术中静电释放器件膜层的厚度较大且与其他层的热膨胀系数不同因此会导致静电释放器件膜层与其他层之间形成应力积累；同时静电释放器件膜层结构与其他区域差别较大，从而存在台阶，当阵列基板和彩膜(ColorFilter,CF)基板组立完成切割时，台阶的存在导致重掺杂Poly-Si静电释放器件所受应力较大，造成膜层破裂。
技术实现思路
本申请提出一种薄膜晶体管阵列基板、显示面板以及显示装置，以解决现有技术中的LTPS阵列基板切割时容易造成膜层破裂的问题。为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提出一种薄膜晶体管阵列基板，包括：基板，包括显示区及包围显示区的非显示区；静电释放线路层，设置在基板一侧的非显示区内，静电释放线路层包括围绕显示区设置的导电线路及与导电线路电连接的静电释放器件；其中，静电释放器件包括多个间隔设置的静电释放单元，静电释放单元一端连接沿述基板边缘，另一端与导电线路连接。其中，多个静电释放单元的截面呈梳齿型。其中，基板与静电释放线路层之间还具有缓冲层。其中，静电释放单元的材质包括多晶硅。其中，静电释放单元背对基板的一侧还包括依次层叠设置的栅绝缘层、层间绝缘层、间隔层以及钝化保护层。为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提出一种一种显示面板，包括层叠设置的薄膜晶体管阵列基板和彩膜基板，其中，薄膜晶体管阵列基板包括：基板，包括显示区及包围所述显示区的非显示区；静电释放线路层，设置在所述基板一侧的所述非显示区内，所述静电释放线路层包括围绕所述显示区设置的导电线路及与所述导电线路电连接的静电释放器件；其中，静电释放器件包括多个间隔设置的静电释放单元，静电释放单元一端连接沿述基板边缘，另一端与导电线路连接。其中，多个静电释放单元的截面呈梳齿型。其中，基板与静电释放线路层之间还具有缓冲层。其中，静电释放单元的材质包括多晶硅；静电释放单元背对基板的一侧还包括依次层叠设置的栅绝缘层、层间绝缘层、间隔层以及钝化保护层。为解决上述技术问题，本申请采用的又一个技术方案是：提出一种显示装置，显示装置包括前文任一项所述的薄膜晶体管阵列基板。本申请的有益效果是：通过将静电释放器件分割为多个间隔设置的静电释放单元可以减小静电释放器件的内应力，同时在切割时静电释放单元之间的间隔可以提供充足的弹性形变空间，从而可以防止在切割时出现显示面板膜层破裂的问题，进而提高了显示面板的切割良率。附图说明图1是本申请一种薄膜晶体管阵列基板一实施例的结构示意图；图2是图1所示薄膜晶体管阵列基板在I区域的局部放大图的结构示意图；图3是图2所示薄膜晶体管阵列基板在A-A’截面的剖面的结构示意图；图4是图1所示薄膜晶体管阵列基板在I区域的局部放大图另一实施例的结构示意图；图5是图1所示薄膜晶体管阵列基板在I区域的局部放大图另一实施例的结构示意图；图6是图1所示薄膜晶体管阵列基板在I区域的局部放大图另一实施例的结构示意图；图7是本申请提供的一种显示面板一实施例的结构示意图；图8是本申请提供的一种显示装置一实施例的结构示意图。具体实施方式为使本申请解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面将结合附图对本申请实施例的技术方案作进一步的详细描述。本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。本申请实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。请参阅图1至图3，其中图1是本申请一种薄膜晶体管阵列基板一实施例的结构示意图，图2是图1所示薄膜晶体管阵列基板I区域的局部放大图的结构示意图，图3是图2所示薄膜晶体管阵列基板在A-A’截面的剖面的结构示意图。其中薄膜晶体管阵列基板100包括基板110以及设置在基板110一侧的静电释放线路层120；其中基板110包括显示区域111和非显示区域112，显示区域111位于基板110的中间区域，非显示区域112设置在基板110的边缘区域以将显示区域111包围，静电释放线路层120设置在非显示区域112内，静电释放线路层120包括导电线路121和静电释放器件122，其中导电线路121将显示区域111包围，导电线路121的两端分别连接一个静电释放器件122，其中静电释放器件122包括多个间隔设置的静电释放单元1221，每一个静电释放单元1221的一端均连接基板110的边缘，其另一端向基板110的内侧延伸，因此将静电释放器件122分割为多个间隔设置的静电释放单元1221可以减小静电释放器件的内应力，同时在切割时静电释放单元1221之间的间隔可以提供充足的弹性形变空间，从而可以防止在切割时出现显示面板膜层破裂的问题，进而提高了显示面板的切割良率。请进一步参阅图2及图3，在本实施例中，多个静电释放单元1221可以呈梳齿状排布，以使得静电释放器件122的结构紧凑，从而可以减小静电释放器件122的设置空间，进而提高薄膜晶体管阵列基板100结构的紧凑性。在其他的实施例中，多个静电释放单元1221也可以不呈梳齿状排布。请参阅图4，图4是图1所示薄膜晶体管阵列基板在I区域的局部放大图另一实施例的结构示意图。其中，在由基板100的边缘到基板100内侧的反向上，至少一个静电释放单元1221可以设置为宽度逐渐减小。请参阅图5，图5是图1所示薄膜晶体管阵列基板在I区域的局部放大图另一实施例的结构示意图。其中，在由基板100的边缘到基板100内侧的方向上，至少一个静电释放本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：基板，包括显示区及包围所述显示区的非显示区；静电释放线路层，设置在所述基板一侧的所述非显示区内，所述静电释放线路层包括围绕所述显示区设置的导电线路及与所述导电线路电连接的静电释放器件；其中，所述静电释放器件包括多个间隔设置的静电释放单元，所述静电释放单元一端连接沿述基板边缘，另一端与所述导电线路连接。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：基板，包括显示区及包围所述显示区的非显示区；静电释放线路层，设置在所述基板一侧的所述非显示区内，所述静电释放线路层包括围绕所述显示区设置的导电线路及与所述导电线路电连接的静电释放器件；其中，所述静电释放器件包括多个间隔设置的静电释放单元，所述静电释放单元一端连接沿述基板边缘，另一端与所述导电线路连接。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，多个所述静电释放单元的截面呈梳齿型。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述基板与所述静电释放线路层之间还具有缓冲层。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述静电释放单元的材质包括多晶硅。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述静电释放单元背对所述基板的一侧还包括依次层叠设置的栅绝缘层、层间绝缘层、间隔层以及钝化保护层。6.一种显示面板，其特征在于，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：聂晓辉，张嘉伟，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42