一种移位寄存器、阵列基板及其驱动方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种移位寄存器、阵列基板及其驱动方法、显示装置，该移位寄存器包括：移位寄存模块、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管；在第一控制信号端和第二控制信号端的控制下，使第二信号输出端输出栅极扫描信号，或使第信号二输出端输出栅极关闭信号。当第二信号输出端向阵列基板上的栅线输出栅极扫描信号时，该栅线对应的显示区域进行正常的刷新；当第二信号输出端向阵列基板上的栅线输出栅极关闭信号时，该栅线对应的显示区域不进行刷新。通过该种设置可以使显示面板进行局部显示，以达到降低显示面板功耗的目的。

Shift register, array substrate, driving method and display device thereof

The invention discloses a shift register, an array substrate, a driving method thereof and a display device. The shift register comprises a shift register module, a first transistor, a second transistor, a third transistor, a fourth transistor, a fifth transistor and a sixth transistor, a first control signal terminal and a second control signal terminal. Under the control, the output end of the second signal is made to output the gate scanning signal, or the output end of the second signal is made to output the gate closing signal. When the output of the second signal outputs the gate scan signal to the grid line on the array substrate, the display area corresponding to the grid line is normally refreshed; when the output of the second signal outputs the gate close signal to the grid line on the array substrate, the display area corresponding to the grid line is not refreshed. Through this setting, the display panel can be displayed locally to reduce the power consumption of the display panel.

【技术实现步骤摘要】
一种移位寄存器、阵列基板及其驱动方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤指一种移位寄存器、阵列基板及其驱动方法、显示装置。
技术介绍
在平板显示面板中，通常通过栅极驱动电路向像素区域的各个薄膜晶体管(TFT，ThinFilmTransistor)的栅极提供栅极开启信号。栅极驱动电路可以通过阵列工艺形成在平板显示面板的阵列基板上，即阵列基板行驱动(GateDriveronArray，GOA)工艺，这种集成工艺不仅节省了成本，而且可以做到平板显示面板(Panel)两边对称的美观设计，同时，也省去了栅极集成电路(IC，IntegratedCircuit)的绑定(Bonding)区域以及扇出(Fan-out)的布线空间，从而可以实现窄边框的设计。相关技术中的栅极驱动电路是由多个级联的移位寄存器级联组成，各级移位寄存器用于向与该级移位寄存器的信号输出端相连的栅线提供栅极开启信号以开启对应行的像素区域的TFT。其中，除第一级移位寄存器之外，其余各级移位寄存器的输入信号端分别与上一级移位寄存器的信号输出端相连。但是该种设置在显示面板仅需要进行局部显示时，并不能仅对设置在阵列基板上的部分栅线输出控制信号，还是会逐级向阵列基板上的每条栅线输出控制信号，这样使显示面板整体的功耗会大大的增加。因此，如何实现显示面板的局部显示，从而节约显示面板的功耗是一个亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种移位寄存器、阵列基板及其驱动方法、显示装置，用以实现显示面板的局部显示，以减少显示面板的功耗。本专利技术实施例提供的一种移位寄存器，包括：移位寄存模块、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管；其中，所述移位寄存模块用于在第一时钟信号端、第二时钟信号端、输入信号端和第一参考电压信号端的控制下将第一时钟信号端的信号提供给所述第一晶体管的第一极，将第二时钟信号端的信号提供给第一信号输出端；所述第一晶体管用于在第一控制信号端的控制下将所述第一晶体管的第一极的信号提供给所述第五晶体管的栅极；所述第二晶体管用于在所述第一控制信号端的控制下将所述第一信号输出端的信号提供给所述第六晶体管的栅极；所述第三晶体管用于在第二控制信号端的控制下将第三参考电压信号端的信号提供给所述第六晶体管的栅极；所述第四晶体管用于在所述第二控制信号端的控制下将第二参考电压信号端的信号提供给所述第五晶体管的栅极；所述第五晶体管用于在所述第一晶体管的第二极的电压或所述第四晶体管的第二极的电压的控制下将所述第三参考电压信号端的信号提供给第二信号输出端；所述第六晶体管用于在所述第二晶体管的第二极的电压或所述第三晶体管的第二极的电压的控制下将所述第二参考电压信号端的信号提供给第二信号输出端。另一方面，本专利技术实施例还提供了一种阵列基板，包括级联的多个如上述实施例所述的移位寄存器和栅线；除最后一级移位寄存器之外，其余每一级移位寄存器的第一信号输出端分别与其相邻的下一级移位寄存器的输入信号端相连；所述移位寄存器的第二信号输出端与所述栅线相连。另一方面，本专利技术实施例还提供了一种上述实施例提供的阵列基板的驱动方法，包括：获取一帧时间内的待显示图像；判断本帧所述待显示图像与上一帧图像是否存在相同图像；当本帧所述待显示图像与上一帧图像存在不相同图像时，根据不相同图像对应的区域的栅线扫描所需的时间，确定向所述第一控制信号端输入第一信号的时间，以及向所述第二控制信号端输入第二信号的时间；当本帧所述待显示图像与上一帧图像存在相同图像时，根据本帧图像中所述相同图像对应的区域的栅线扫描所需的时间，确定向所述第一控制信号端输入第二信号的时间，以及向所述第二控制信号端输入第一信号的时间。另一方面，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括：本专利技术实施例提供的上述阵列基板。本专利技术有益效果如下：本专利技术实施例提供的一种移位寄存器、阵列基板及其驱动方法、显示装置，该移位寄存器包括：移位寄存模块、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管；通过上述移位寄存模块与各晶体管的相互配合，在第一控制信号端和第二控制信号端的控制下，使第二信号输出端输出栅极扫描信号，或使第信号二输出端输出栅极关闭信号。当第二信号输出端向阵列基板上的栅线输出栅极扫描信号时，该栅线对应的显示区域进行正常的刷新；当第二信号输出端向阵列基板上的栅线输出栅极关闭信号时，该栅线对应的显示区域不进行刷新。通过该种设置可以使显示面板进行局部显示，以达到降低显示面板功耗的目的。附图说明图1为相关技术中的栅极驱动电路的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种移位寄存器的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的另一种移位寄存器的结构示意图；图4为图3中提供的移位寄存器对应的一种时序图；图5为图3中提供的移位寄存器对应的另一种时序图；图6为本专利技术实施例提供的一种栅极驱动电路的结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的阵列基板的驱动方法的流程图；图8为本专利技术实施例提供的显示装置的结构示意图。具体实施方式如图1所示，图1为相关技术中的栅极驱动电路的结构示意图，相关技术中的栅极驱动电路，包括级联的多个移位寄存器：SR(1)、SR(2)…SR(n)…SR(N-1)、SR(N)(共N个移位寄存器，1≤n≤N)；其中，除第一级移位寄存器SR(1)之外，其余每一级移位寄存器SR(n)的信号输出端output分别与其相邻的上一级移位寄存器SR(n-1)的复位信号端reset相连；除最后一级移位寄存器SR(N)之外，其余每一级移位寄存器SR(n)的信号输出端output分别与其相邻的下一级移位寄存器SR(n+1)的输入信号端input相连。该种栅极驱动电路的设置每级移位寄存器均向所对应的栅线发送栅极扫描信号，即在显示面板进行显示时只能进行全屏显示，而不能仅使显示面板的局部区域进行显示，但是在显示面板进行显示时，并不是每一帧都需要对显示面板的全部区域都进行刷新，可以只进行局部区域的刷新，以减少显示面板的功耗。有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种移位寄存器、阵列基板及其驱动方法、显示装置，用以降低显示面板的能耗。为了使本专利技术的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本专利技术实施例提供的移位寄存器、阵列基板及其驱动方法、显示装置的具体实施方式进行详细地说明。应当理解，下面所描述的优选实施例仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。具体地，本专利技术实施例提供了一种移位寄存器，如图2所示，图2为本专利技术实施例提供的一种移位寄存器的结构示意图；该移位寄存器包括：移位寄存模块、第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5和第六晶体管M6；其中，移位寄存模块用于在第一时钟信号端CLK、第二时钟信号端CLKB、输入信号端INPUT和第一参考电压信号端VREF1的控制下将第一时钟信号端CLK的信号提供给第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种移位寄存器，其特征在于，包括：移位寄存模块、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管；其中，所述移位寄存模块用于在第一时钟信号端、第二时钟信号端、输入信号端和第一参考电压信号端的控制下将第一时钟信号端的信号提供给所述第一晶体管的第一极，将第二时钟信号端的信号提供给第一信号输出端；所述第一晶体管用于在第一控制信号端的控制下将所述第一晶体管的第一极的信号提供给所述第五晶体管的栅极；所述第二晶体管用于在所述第一控制信号端的控制下将所述第一信号输出端的信号提供给所述第六晶体管的栅极；所述第三晶体管用于在第二控制信号端的控制下将第三参考电压信号端的信号提供给所述第六晶体管的栅极；所述第四晶体管用于在所述第二控制信号端的控制下将第二参考电压信号端的信号提供给所述第五晶体管的栅极；所述第五晶体管用于在所述第一晶体管的第二极的电压或所述第四晶体管的第二极的电压的控制下将所述第三参考电压信号端的信号提供给第二信号输出端；所述第六晶体管用于在所述第二晶体管的第二极的电压或所述第三晶体管的第二极的电压的控制下将所述第二参考电压信号端的信号提供给第二信号输出端。

【技术特征摘要】
1.一种移位寄存器，其特征在于，包括：移位寄存模块、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管；其中，所述移位寄存模块用于在第一时钟信号端、第二时钟信号端、输入信号端和第一参考电压信号端的控制下将第一时钟信号端的信号提供给所述第一晶体管的第一极，将第二时钟信号端的信号提供给第一信号输出端；所述第一晶体管用于在第一控制信号端的控制下将所述第一晶体管的第一极的信号提供给所述第五晶体管的栅极；所述第二晶体管用于在所述第一控制信号端的控制下将所述第一信号输出端的信号提供给所述第六晶体管的栅极；所述第三晶体管用于在第二控制信号端的控制下将第三参考电压信号端的信号提供给所述第六晶体管的栅极；所述第四晶体管用于在所述第二控制信号端的控制下将第二参考电压信号端的信号提供给所述第五晶体管的栅极；所述第五晶体管用于在所述第一晶体管的第二极的电压或所述第四晶体管的第二极的电压的控制下将所述第三参考电压信号端的信号提供给第二信号输出端；所述第六晶体管用于在所述第二晶体管的第二极的电压或所述第三晶体管的第二极的电压的控制下将所述第二参考电压信号端的信号提供给第二信号输出端。2.如权利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，所述第一晶体管的栅极与所述第一控制信号端相连，所述第一晶体管的第一极与所述移位寄存模块相连，所述第一晶体管的第二极与所述第五晶体管的栅极相连。3.如权利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，所述第二晶体管的栅极与所述第一控制信号端相连，所述第二晶体管的第一极与所述第一信号输出端相连，所述第二晶体管的第二极与所述第六晶体管的栅极相连。4.如权利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，所述第三晶体管的栅极与所述第二控制信号端相连，所述第三晶体管的第一极与所述第三参考电压信号端相连，所述第三晶体管的第二极与所述第六晶体管的栅极相连。5.如权利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，所述第四晶体管的栅极与所述第二控制信号端相连，所述第四晶体管的第一极与所述第二参考电压信号端相连，所述第四晶体管的第二极与所述第五晶体管的栅极相连。6.如权利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，所述第五晶体管的栅极分别所述第四晶体管的第二极和所述第一晶体管的第二极相连，所述第五晶体管的第一极与所述第三参考电压信号端相连，所述第五晶体管的第二极与所述第二信号输出端相连。7.如权利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，所述第六晶体管的栅极分别所述第二晶体管的第二极和所述第三晶体管的第二极相连，所述第六晶体管的第一极与所述第二参考电压信号端相连，所述第六晶体管的第二极与所述第二信号输出端相连。8.如权利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，所述移位寄存模块包括：第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管、第十四晶体管、第一电容和...

【专利技术属性】
技术研发人员：席克瑞，向东旭，崔婷婷，林柏全，李元，
申请(专利权)人：上海天马有机发光显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31