图像传感器及其形成方法技术

一种图像传感器及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，所述基底包括若干相互分离的像素区；在相邻像素区之间的基底表面形成阻挡结构，所述阻挡结构的底部尺寸大于顶部尺寸，且所述阻挡结构的侧壁与底部呈锐角；在各所述像素区的基底表面形成滤色镜，所述滤色镜覆盖阻挡结构的侧壁。所述方法形成的图像传感器的性能较好。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种图像传感器及其形成方法。
技术介绍
图像传感器是将光学图像信号转换为电信号的半导体器件。CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器是一种快速发展的固态图像传感器，由于CMOS图像传感器中的图像传感器部分和控制电路部分集成于同一芯片中，因此CMOS图像传感器的体积小、功耗低、价格低廉，相较于传统的CCD(电荷耦合)图像传感器更具优势，也更易普及。现有的CMOS图像传感器中包括用于将光信号转换为电信号的光电传感器，所述光电传感器为形成于硅衬底中的光电二极管。此外，在形成有光电二极管的硅衬底表面还形成有介质层，所述介质层内形成有金属互联层，所述金属互联层用于使光电二极管与外围电路电连接。对于上述CMOS图像传感器来说，所述硅衬底具有介质层和金属互联层的一面为CMOS图像传感器的正面，与正面相对的一面为CMOS图像传感器的背面，根据光线照射方向的差异，所述CMOS图像传感器能够分为前照式(Front-sideIllumination，FSI)CMOS图像传感器和后照式(Back-sideIllumination)CMOS图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括若干相互分离的像素区；在相邻像素区之间的基底表面形成阻挡结构，所述阻挡结构的底部尺寸大于顶部尺寸，且所述阻挡结构的侧壁与底部表面呈锐角；在各所述像素区的基底表面分别形成滤色镜，所述滤色镜覆盖阻挡结构的侧壁。

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括若干相互分离的像素区；在相邻像素区之间的基底表面形成阻挡结构，所述阻挡结构的底部尺寸大于顶部尺寸，且所述阻挡结构的侧壁与底部表面呈锐角；在各所述像素区的基底表面分别形成滤色镜，所述滤色镜覆盖阻挡结构的侧壁。2.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述阻挡结构的材料为金属；所述金属包括钨或者铝。3.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述夹角的范围为：60度～85度。4.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述阻挡结构底部尺寸为：0.1微米～0.16微米。5.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述阻挡结构顶部尺寸为：0.02微米～0.08微米。6.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述基底内具有阱区，所述阱区内具有第一掺杂离子；所述像素区的阱区内具有光电掺杂区，所述光电掺杂区内具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与第一掺杂离子的导电类型相反。7.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，形成所述阻挡结构之前，所述形成方法还包括：在所述基底表面形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：周艮梅，穆钰平，黄晓橹，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32