The invention discloses a preparation method of ultra-thin silicon dioxide passivation layer. After thoroughly cleaning the silicon wafer, the method uses 68% HNO3 to grow a silicon dioxide film with a low density of interfacial states of 1-2 nm thick, and then passivates an unsaturated hanging key by PECVD, thereby realizing the effective passivation of the silicon wafer. The invention not only achieves good passivation effect, but also solves the problem that the thickness of silicon dioxide grown by thermal oxidation is uncontrollable, and the chemical wet method has high efficiency, and the PECVD method has no use of toxic gases for hydrogen passivation.
【技术实现步骤摘要】
超薄二氧化硅钝化层的制备方法
本专利技术属于太阳能电池制造
，特别涉及一种利用等离子体化学气相沉积法进行氢钝化辅助湿法的超薄二氧化硅钝化层的制备方法。
技术介绍
在硅基太阳能电池中，带有本征非晶硅薄层的异质结电池(heterojunctionwithintrinsicthin-layer,HIT)由于本征层的良好钝化作用得到了750mV以上的高开路电压，效率达到了26％。本征层的钝化大大地降低了异质结电池衬底与薄膜之间的界面态密度，但其制备窗口窄，工艺参数难以控制，制备中使用了危险气体硅烷，且本征层与晶硅衬底之间也存在着界面问题。二氧化硅(SiO2)作为硅片的天然钝化层，其晶格匹配度高。于是在各种高效率太阳能电池中，二氧化硅层由于可以有益地用作太阳能电池的功能元件而引起了很多关注。二氧化硅作为绝缘层，同时又要作为太阳能电池的功能元件，对于厚度要求非常高，只有1～2nm厚的二氧化硅才会通过隧道效应传送载流子。传统的硅片钝化主要通过热氧化生长二氧化硅，包括干氧氧化、湿氧氧化。干氧氧化即在高温下通入氧气与硅片直接反应生成二氧化硅，该方法生长的氧化膜致密性良好，针孔...
【技术保护点】
1.一种超薄二氧化硅钝化层的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：S1、选取单晶硅片为样品；S2、对样品进行彻底清洗；S3、将样品浸泡于浓HNO3共沸溶液中生长1～2nm的SiO2；S4、将样品放入PECVD腔室，通入H2进行双面钝化；S5、用少子寿命测量仪测量样品有效少子寿命。
【技术特征摘要】
1.一种超薄二氧化硅钝化层的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：S1、选取单晶硅片为样品；S2、对样品进行彻底清洗；S3、将样品浸泡于浓HNO3共沸溶液中生长1～2nm的SiO2；S4、将样品放入PECVD腔室，通入H2进行双面钝化；S5、用少子寿命测量仪测量样品有效少子寿命。2.如权利要求1所述的一种超薄二氧化硅钝化层的制备方法，其特征在于：在步骤S1中，所述样品为面积40mm*40mm，厚190μm，电阻率为1～5Ω·cm的N<100>型单晶非抛光硅片。3.如权利要求1所述的一种超薄二氧化硅钝化层的制备方法，其特征在于：在步骤S2中，对所述样品统一进行KOH去损伤层30μm，然后进行标准RCA清洗，最后用1％HF溶液完全去除硅片表面氧化层。4.如权利要求1所述的一种超薄二氧化硅钝化层的制备方法，其特征在于：在步骤S3中，所述浓HNO3为68％的HNO3，...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄仕华，黄玉清，芮哲，王佳，
申请(专利权)人：浙江师范大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33
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