一种直插型发光二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种直插型发光二极管，包括外封胶、金属引线架和芯片，金属引线架的一端位于外封胶内，另一端延迟至外封胶外，金属引线架位于外封胶内的端部设有一个碗杯状的凹槽，芯片固定在凹槽底部，金属引线架的凹槽内填充有用于光学漫反射的扩散层，芯片整体位于扩散层内。由于在金属引线架的凹槽内填充有覆盖包裹芯片的扩散层，使得芯片发出的光先经过漫反射再透过外封胶发射出去，用于光学漫反射的扩散层在靠近芯片的位置进行漫反射，保证了出光的均匀度，在小范围内进行漫反射极大的降低光能的损耗。与现有技术相比，外封胶不需要再分布光学扩散颗粒，或者只需分布远比现有技术中密度低很的光学扩散颗粒。

A direct insertion light emitting diode

The utility model discloses a direct-inserted light-emitting diode, which comprises an external sealing glue, a metal lead frame and a chip. One end of the metal lead frame is located in the external sealing glue, and the other end is delayed to the external sealing glue. A cup-shaped groove is arranged at the end of the metal lead frame in the external sealing glue, the chip is fixed at the bottom of the groove, and the metal lead wire is arranged. A diffusion layer for optical diffuse reflection is filled in the groove of the rack, and the chip is located in the diffusion layer as a whole. Because the diffuse layer covering the chip is filled in the groove of the metal lead frame, the light emitted by the chip is diffused through the diffuse reflection and then emitted through the outer sealing glue. The diffuse layer used for optical diffuse reflection is diffused near the chip position to ensure the uniformity of the light emitted and diffuse reflection is great in a small range. Reduce the loss of light energy. Compared with the prior art, the external sealant does not need to redistribute optical diffusion particles, or only needs to distribute optical diffusion particles with much lower density than the prior art.

【技术实现步骤摘要】
一种直插型发光二极管
本技术涉及光学
，具体涉及一个直插型发光二极管。
技术介绍
随着LED作为新一代发光源日益深入人们的工作和生活，其应用越来越广泛。其中LED全彩显示屏画面色彩鲜艳，立体感强，静如油画，动如电影。广泛应用于交通运输、广告、厂矿企业、教育系统、车站、码头、机场等各种场所。为了达到使用者从任意角度观看显示屏，显示屏均能表现优异的显示效果，要求显示屏采用的LED原价的发光光形尽量趋于圆滑，相邻可视角度的亮度为渐变而非突变，具体如图1和图2所示，图1为相邻可视角的亮度为突变的光形示例图，其显示效果差，图2为相邻可视角的亮度为渐进圆滑的光形示例图，其显示效果好。为了追求图2中好的显示效果，目前市场上LED产品均采用外封胶内均匀添加光学扩散剂的技术手段来提高LED出光光形的圆润度，如图3所示，此种方法将LED芯片101发出的光，通过照射外封胶102内均匀分布的扩散粉103(扩散粉为扩散剂的主要有效材料)，利用扩散粉103之间反复的漫反射来达到出光均匀的目的，此方法虽然可以的达到目的，但是会有大量的光能在内部损耗掉。
技术实现思路
本申请提供一种在保证光形在同等圆滑程度下(即保证出光均匀的前提下)，极大降低光能损耗的直插型发光二极管。一种实施例中提供一种直插型发光二极管，包括外封胶、金属引线架和芯片，金属引线架的一端位于外封胶内，另一端延迟至外封胶外，金属引线架位于外封胶内的端部设有一个碗杯状的凹槽，芯片固定在凹槽底部，金属引线架的凹槽内填充有用于光学漫反射的扩散层，芯片整体位于扩散层内。进一步地，扩散层内均匀分布有用于光学漫反射的扩散颗粒。进一步地，扩散颗粒为无机硅粉末。进一步地，扩散层为环氧树脂层。进一步地，扩散层的表面为圆弧面。进一步地，外封胶内分布有用于光学漫反射的扩散颗粒。进一步地，金属引线架包括第一金属引线架和第二金属引线架，第一金属引线架和第二金属引线架的并排间隔设置，两者的同一端位于外封胶内，另一延伸至外封胶外，第一金属引线架位于外封胶内的端部岔分为靠近第二金属引线架端部的发光端和远离第二金属引线架端部的接线端，发光端上设有一个凹槽。进一步地，直插型发光二极管还包括位于外封胶内的第一金属键合线，第一金属键合线的一端与插入扩散层内与芯片连接，另一端与第二金属引线架位于外封胶腔体内的端部连接。进一步地，直插型发光二极管还包括位于外封胶内的第二金属键合线，第二金属键合线的一端与插入扩散层内与芯片连接，另一端与第一金属引线架的接线端连接。进一步地，芯片通过固晶胶固定在金属引线架的凹槽底部。依据上述实施例的直插型发光二极管，由于在金属引线架的凹槽内填充有覆盖包裹芯片的扩散层，使得芯片发出的光先经过漫反射再透过外封胶发射出去，用于光学漫反射的扩散层在靠近芯片的位置进行漫反射，保证了出光的均匀度，在小范围内进行漫反射极大的降低光能的损耗。与现有技术相比，外封胶不需要再分布光学扩散颗粒，或者只需分布远比现有技术中密度低很的光学扩散颗粒。附图说明图1为突变光形示例图；图2为圆滑光形示例图；图3为现有技术中直插式发光二极管的结构示意图；图4为实施例一中直插式发光二级管的结构示意图；图5为图4的局部放大图A；图6为实施例二中直插式发光二极管的激光示意图；图7为图6的局部放大图B。具体实施方式下面通过具体实施方式结合附图对本专利技术作进一步详细说明。实施例一：本实施例提供了一种直插式发光二极管，本直插式发光二极管具有光能损耗低，出光均匀的优点。如图4和5所示，本实施例的直插式发光二极管主要包括外封胶10，金属引线架20、芯片30和第一金属键合线41。外封胶10由环氧树脂制成。金属引线架20包括第一金属引线架21和第二金属引线架22，第一金属引线架21和第二金属引线架22并排间隔设置，并且两者的同一端位于外封胶10内，被外封胶10包裹住，两者的同另一端延伸出外封胶10外，形成引脚。第一金属引线架21位于外封胶10内的端部岔分为发光端211和接线端212，发光端211靠近第二金属引线架22的端部设置，接线端212远离第二金属引线架22的端部设置。在发光端211的端面上设有一个碗杯状的凹槽213，凹槽213底部小，开口大，侧面倾斜。芯片30通过固晶胶31固定在凹槽213的底部，并且凹槽213内填充有扩散层50，优选的，扩散层50填满凹槽213。芯片30整体位于扩散层50内，扩散层50将芯片30包裹住，使得芯片30发出的光全部经过扩散层50漫反射后再射出。本实施例中，扩散层50为环氧树脂层，扩散层50的内部均匀分布用于光学漫反射的扩散颗粒51，例如扩散颗粒51为无机硅粉末，在其他实施例中，也可采用其他具有光学漫反射作用的颗粒物。为了更好的实现漫反射，扩散层50中扩散颗粒51与环氧树脂的比例大于等于5:100，本实施例中的外封胶10本体内不含扩散颗粒51。在其他实施例中，外封胶10本体内可分布有微量的扩散颗粒，外封胶10本体内扩散颗粒与环氧树脂的比例小于等于1:100。或者，在其他实施例中，扩散层50直接采用均匀分布衍射孔的衍射层，衍射层通过衍射孔将光均化后外射。本实施例中，为了使得扩散层50漫反射出更为均匀的光，将扩散层50的表面设为圆弧面。本实施例中，第一金属键合线41位于外封胶10内，第一金属键合线41的一端插入扩散层50内与芯片30连接，第一金属键合线41的另一端与第二金属引线架22位于外封胶10内的端部连接，用于形成回路。本实施例提供的直插型发光二极管，由于在金属引线架20的凹槽213内填充有覆盖包裹芯片30的扩散层50，使得芯片30发出的光先经过漫反射再透过外封胶10发射出去，用于光学漫反射的扩散层50在靠近芯片30的位置进行漫反射，保证了出光的均匀度，在小范围内进行漫反射极大的降低光能的损耗。与现有技术相比，外封胶10不需要再分布光学扩散颗粒，或者只需分布远比现有技术中密度低很的光学扩散颗粒。实施例二：本实施例提供了另一种直插型发光二极管，与上述实施例一的直插型发光二极管相比，仅增加了第二金属键合线42，其他部分与上述实施例一的直插型发光二极管一致。如图6和7所示，本实施例的直插型发光二极管还包括第二金属键合线42，第二金属键合线42的一端插入扩散层50内与芯片30连接，另一端与第一金属引线架21的接线端212连接。本实施例的直插型发光二极管增加了一条金属键合线，形成了双线芯片结构。本专利技术的凹槽213内填充有覆盖包裹芯片30的扩散层50的结构，不仅适用于凹槽213内具有单个芯片30的直插型发光二极管，也适用于凹槽213内具有多个芯片30的直插型发光二极管；并且本专利技术结构不仅适用于具有一条或两条金属键合线的直插型发光二极管，也适用于具有多条金属键合线的直插型发光二极管。实施例三：本实施例提供了一种直插型发光二极管的制作方法，本制作方法以制作实施例一中的直插型发光二极管为例进行说明。本实施例的制作方法包括如下步骤：S001：芯片固定；先在第一金属引线架21的凹槽213底部点上固晶胶31，再将芯片30放置在固晶胶31上，然后送入烤箱中以一定的温度烘烤一段分钟，对固晶胶31进行固化，以使得芯片30固定在第一金属引线架21的凹槽213内。S002：焊线；将固定有芯片30的第一金属引线架21和第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种直插型发光二极管，包括外封胶、金属引线架和芯片，所述金属引线架的一端位于所述外封胶内，另一端延迟至所述外封胶外，所述金属引线架位于所述外封胶内的端部设有一个碗杯状的凹槽，所述芯片固定在所述凹槽底部，其特征在于，所述金属引线架的凹槽内填充有用于光学漫反射的扩散层，所述芯片整体位于所述扩散层内。

【技术特征摘要】
1.一种直插型发光二极管，包括外封胶、金属引线架和芯片，所述金属引线架的一端位于所述外封胶内，另一端延迟至所述外封胶外，所述金属引线架位于所述外封胶内的端部设有一个碗杯状的凹槽，所述芯片固定在所述凹槽底部，其特征在于，所述金属引线架的凹槽内填充有用于光学漫反射的扩散层，所述芯片整体位于所述扩散层内。2.如权利要求1所述的直插型发光二极管，其特征在于，所述扩散层内均匀分布有用于光学漫反射的扩散颗粒。3.如权利要求2所述的直插型发光二极管，其特征在于，所述扩散颗粒为无机硅粉末。4.如权利要求2所述的直插型发光二极管，其特征在于，所述扩散层为环氧树脂层。5.如权利要求2所述的直插型发光二极管，其特征在于，所述扩散层的表面为圆弧面。6.如权利要求1所述的直插型发光二极管，其特征在于，所述外封胶内分布有用于光学漫反射的扩散颗粒。7.如权利要求1至6任一项所述的直插型发光二极管，其特征在于，所述金...

【专利技术属性】
技术研发人员：马骏，何凌波，文银，
申请(专利权)人：深圳市天思彩光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44