确定钻孔参数的方法技术

本发明专利技术公开了一种确定钻孔参数的方法，包括：选定作为基材参照标准的基准树脂，作为芯板硬度参照标准的第一硬度，以及作为基材玻璃转变温度参照标准的基准温度；根据基准树脂、第一硬度以及基准温度的值，预设第一钻孔参数、第二钻孔参数、第三钻孔参数和一级钻孔参数；确定PCB新材料中基材的树脂类型，并测量所述基材的玻璃化转变温度以及芯板硬度；本发明专利技术通过简单测试并确定新材料基材的树脂类型、测量所述基材的玻璃化转变温度以及芯板硬度即可得出新材料适合的钻孔参数，节省材料评估时间以及节省投入的人力物力，并保证钻孔质量，满足当前PCB产品开发周期短、时间紧的要求，达到快速应用的目的。

Method of determining drilling parameters

The invention discloses a method for determining drilling parameters, including: selecting a reference resin as a substrate reference standard, a first hardness as a core board hardness reference standard, and a reference temperature as a substrate glass transition temperature reference standard; presetting a first according to the values of the reference resin, the first hardness and the reference temperature. The drilling parameters, the second drilling parameters, the third drilling parameters and the first drilling parameters, determine the resin type of the substrate in the new PCB material, and measure the glass transition temperature of the substrate and the hardness of the core plate; the invention determines the resin type of the new material substrate through simple testing, and measures the glass transition temperature of the substrate. Degree and hardness of core plate can be used to obtain suitable drilling parameters of new materials, save material evaluation time and input of manpower and material resources, and ensure drilling quality, meet the current PCB product development cycle is short, tight time requirements, to achieve rapid application purposes.

【技术实现步骤摘要】
确定钻孔参数的方法
本专利技术涉及印制电路板领域，更具体地，涉及一种确定钻孔参数的方法。
技术介绍
近年来，大数据、物联网及移动通信等产业的兴起和普及促使信号传输不断向高速化方向发展，作为信号载体的PCB也不断趋于高速化。高速PCB的快速发展促进了高速材料市场的增长，高速材料呈现数量多，增长快的趋势。针对越来越多未使用过的材料，当前业内通用的做法是通过设计正交试验确定该材料相对较优的钻孔参数或在现有参数基础上进行调整得出钻孔参数，而由于PCB的叠层结构、图形设计等存在较大的变动，往往需要设计多组测试板，反复测试方能获得适合该材料的钻孔参数，这需要花费大量的时间、投入较多的人力、物力，无法满足当前PCB产品开发周期短、时间紧的要求。且当前新材料种类繁多，针对每个材料进行试验获取各自的参数是不太可取的。经过对现有文献搜索，至今未发现有关快速确定任意新材料钻孔参数的方法。
技术实现思路
基于此，本专利技术在于克服现有技术的PCB新材料的钻孔参数确定方法无法满足当前PCB产品开发周期短、时间紧的要求的缺陷，提供一种确定钻孔参数的方法。其技术方案如下：一种确定钻孔参数的方法，包括：选定作为基材参照标准的基准树脂，作为芯板硬度参照标准的第一硬度，以及作为基材玻璃转变温度参照标准的基准温度；根据基准树脂、第一硬度以及基准温度的值，预设第一钻孔参数、第二钻孔参数、第三钻孔参数和一级钻孔参数；确定PCB新材料中基材的树脂类型，并测量所述基材的玻璃化转变温度以及芯板硬度；当所述基材的树脂类型为基准树脂且芯板硬度大于第一硬度时，采用第一钻孔参数进行钻孔；当所述基材的树脂类型为基准树脂且芯板硬度小于第一硬度时，采用第二钻孔参数进行钻孔；当所述基材的树脂类型为基准树脂之外的树脂类型，且所述基材的玻璃转变温度小于基准温度，则采用第三钻孔参数进行钻孔；当所述基材的树脂类型为基准树脂之外的树脂类型，且所述基材的玻璃转变温度大于基准温度，则采用一级钻孔参数进行钻孔。本技术方案通过简单测试并确定新材料基材的树脂类型、测量所述基材的玻璃化转变温度以及芯板硬度即可得出新材料适合的钻孔参数，节省材料评估时间以及节省投入的人力物力，并保证钻孔质量，满足当前PCB产品开发周期短、时间紧的要求，达到快速应用的目的。进一步地，还包括：选定作为芯板硬度参照标准的第二硬度，其中所述第二硬度大于所述第一硬度；所述一级钻孔参数包括第四钻孔参数和第五钻孔参数，根据第一硬度和第二硬度的值，确定第四钻孔参数和第五钻孔参数；当所述基材的树脂类型为基准树脂之外的树脂类型，所述基材的玻璃转变温度大于所述基准温度，且所述芯板硬度在第一硬度与第二硬度之间，则采用第四钻孔参数进行钻孔；当所述基材的树脂类型为基准树脂之外的树脂类型，所述基材的玻璃转变温度大于所述基准温度，且所述芯板硬度大于第二硬度时，则采用第五钻孔参数进行钻孔。进一步地，还包括：选定作为晕圈长度参照标准的第一长度和第二长度，所述第二长度大于第一长度；对新材料的电路板进行钻孔，并垂直切片测量所述新材料的晕圈长度；所述第五参数包括第一次级参数、第二次级参数和第三次级参数，根据第一长度和第二长度的值，确定第一次级参数、第二次级参数和第三次级参数；当新材料的晕圈长度小于第一长度时，则采用第一次级参数进行钻孔；当新材料的晕圈长度介于第一长度和第二长度之间时，则采用第二次级参数进行钻孔；当新材料的晕圈长度大于第二长度时，则采用第三次级参数进行钻孔。进一步地，所述第二硬度为50HV，和/或所述第一长度为25μm，所述第二长度为35μm。进一步地，所述第一硬度为25HV，和/或所述基准温度为170℃。进一步地，所述基准树脂包括PI和PTFE。进一步地，所述第一钻孔参数的范围为：进刀速度F：20mm/s-30mm/s、转速S：120krpm-150krpm、孔限H：800个-1500个。进一步地，当所述基材的树脂类型为PI时，所述第二钻孔参数的范围为：进刀速度F：20mm/s-30mm/s、转速S：120krpm-150krpm、孔限H：300个-1000个。进一步地，当所述基材的树脂类型为PTFE时，所述第二钻孔参数的范围为：进刀速度F：20mm/s-30mm/s、转速S：80krpm-120krpm、孔限H：800个-1500个。进一步地，所述第一次级参数的范围为：进刀速度F：35mm/s-45mm/s、转速S：140krpm-180krpm、孔限：1500个-2000个；所述第二次级参数的范围为：进刀速度F：30mm/s-40mm/s、转速S：140krpm-180krpm、孔限：1200个-1800个；所述第三次级参数的范围为：进刀速度F：20mm/s-30mm/s、转速S：100krpm-150krpm、孔限：800个-1200个。附图说明图1为本专利技术的确定钻孔参数的方法的流程图一；图2为本专利技术的确定钻孔参数的方法的流程图二；图3为本专利技术的确定钻孔参数的方法的流程图三；图4为本专利技术的新材料的晕圈结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施方式，对本专利技术进行进一步的详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用以解释本专利技术，并不限定本专利技术的保护范围。如图1所示的一种确定钻孔参数的方法，包括：选定作为基材参照标准的基准树脂A，作为芯板硬度参照标准的第一硬度H1，以及作为基材玻璃转变温度参照标准的基准温度Tg；根据基准树脂A、第一硬度H1以及基准温度Tg的值，预设第一钻孔参数、第二钻孔参数、第三钻孔参数和一级钻孔参数；确定PCB新材料中基材的树脂类型，并测量所述基材的玻璃化转变温度以及芯板硬度；当所述基材的树脂类型为基准树脂A且芯板硬度大于第一硬度H1时，采用第一钻孔参数进行钻孔；当所述基材的树脂类型为基准树脂A且芯板硬度小于第一硬度H1时，采用第二钻孔参数进行钻孔；当所述基材的树脂类型为基准树脂A之外的树脂类型，且所述基材的玻璃转变温度小于基准温度Tg，则采用第三钻孔参数进行钻孔；当所述基材的树脂类型为基准树脂A之外的树脂类型，且所述基材的玻璃转变温度大于基准温度Tg，则采用一级钻孔参数进行钻孔。本实施方式通过简单测试并确定新材料基材的树脂类型、测量所述基材的玻璃化转变温度以及芯板硬度即可得出新材料适合的钻孔参数，节省材料评估时间以及节省投入的人力物力，并保证钻孔质量，满足当前PCB产品开发周期短、时间紧的要求，达到快速应用的目的。如图2和图3所示，本实施方式中，所述基准树脂A包括PI和PTFE两种树脂类型，所述基准温度Tg设为170℃，且所述第一硬度H1设为25HV。并选取第一钻孔参数的范围为进刀速度F：20mm/s-30mm/s、转速S：120krpm-150krpm、孔限H：800个-1500个；第二钻孔参数则由于基准树脂为PI或PTFE分为两种情况，具体地，当所述新材料的基材的树脂类型为PTFE，且所述新材料的芯板硬度小于25HV时，所述第二钻孔参数的范围为：进刀速度F：20mm/s-30mm/s、转速S：120krpm-150krpm、孔限H：300个-1000个；当所述新材料的基材的树脂类型为PI，且所述新材料的芯板硬度小于25HV时，所述第二钻孔参数的范本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种确定钻孔参数的方法，其特征在于，包括：选定作为基材参照标准的基准树脂，作为芯板硬度参照标准的第一硬度，以及作为基材玻璃转变温度参照标准的基准温度；根据基准树脂、第一硬度以及基准温度的值，预设第一钻孔参数、第二钻孔参数、第三钻孔参数和一级钻孔参数；确定PCB新材料中基材的树脂类型，并测量所述基材的玻璃化转变温度以及芯板硬度；当所述基材的树脂类型为基准树脂且芯板硬度大于第一硬度时，采用第一钻孔参数进行钻孔；当所述基材的树脂类型为基准树脂且芯板硬度小于第一硬度时，采用第二钻孔参数进行钻孔；当所述基材的树脂类型为基准树脂之外的树脂类型，且所述基材的玻璃转变温度小于基准温度，则采用第三钻孔参数进行钻孔；当所述基材的树脂类型为基准树脂之外的树脂类型，且所述基材的玻璃转变温度大于基准温度，则采用一级钻孔参数进行钻孔。

【技术特征摘要】
1.一种确定钻孔参数的方法，其特征在于，包括：选定作为基材参照标准的基准树脂，作为芯板硬度参照标准的第一硬度，以及作为基材玻璃转变温度参照标准的基准温度；根据基准树脂、第一硬度以及基准温度的值，预设第一钻孔参数、第二钻孔参数、第三钻孔参数和一级钻孔参数；确定PCB新材料中基材的树脂类型，并测量所述基材的玻璃化转变温度以及芯板硬度；当所述基材的树脂类型为基准树脂且芯板硬度大于第一硬度时，采用第一钻孔参数进行钻孔；当所述基材的树脂类型为基准树脂且芯板硬度小于第一硬度时，采用第二钻孔参数进行钻孔；当所述基材的树脂类型为基准树脂之外的树脂类型，且所述基材的玻璃转变温度小于基准温度，则采用第三钻孔参数进行钻孔；当所述基材的树脂类型为基准树脂之外的树脂类型，且所述基材的玻璃转变温度大于基准温度，则采用一级钻孔参数进行钻孔。2.根据权利要求1所述的确定钻孔参数的方法，其特征在于，还包括：选定作为芯板硬度参照标准的第二硬度，其中所述第二硬度大于所述第一硬度；所述一级钻孔参数包括第四钻孔参数和第五钻孔参数，根据第一硬度和第二硬度的值，确定第四钻孔参数和第五钻孔参数；当所述基材的树脂类型为基准树脂之外的树脂类型，所述基材的玻璃转变温度大于所述基准温度，且所述芯板硬度在第一硬度与第二硬度之间，则采用第四钻孔参数进行钻孔；当所述基材的树脂类型为基准树脂之外的树脂类型，所述基材的玻璃转变温度大于所述基准温度，且所述芯板硬度大于第二硬度时，则采用第五钻孔参数进行钻孔。3.根据权利要求2所述的确定钻孔参数的方法，其特征在于，还包括：选定作为晕圈长度参照标准的第一长度和第二长度，所述第二长度大于第一长度；对新材料的电路板进行钻孔，并垂直切片测量所述新材料的晕圈长度；所述第五参数包括第一次级参数、第二次级参数和第三次级参数，根据第一长度和第二长度的值，确定第一次级参数、第二次级参数和第三次级参数；当新材料的晕圈长度小于...

【专利技术属性】
技术研发人员：何泳仪，李华，程柳军，
申请(专利权)人：广州兴森快捷电路科技有限公司，深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司，天津兴森快捷电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44