一种高压双向触发二极管扩散片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高压双向触发二极管扩散片，包括壳体，所述壳体的内部填充有环氧树脂封层，且环氧树脂封层的内部中部设有芯片，所述芯片的两侧对称焊接有焊片，两个所述焊片远离芯片的一侧均连接有铜引线接头，且铜引线接头远离焊片的一侧连接有铜引线，所述壳体和环氧树脂封层的内部均设有供铜引线排线的引线框架，所述铜引线置于引线框架的内部，且铜引线穿过引线框架的内壁向外延伸。本实用新型专利技术结构简单，易操作，具有耐高压的特点，能够过压保护电路，避免电路中的负载受到过压损害，提高了整个电路的稳定性和安全性，适宜广泛推广。

A high voltage bidirectional trigger diode diffuser

The utility model discloses a high-voltage bidirectional trigger diode diffuser, which comprises a housing filled with an epoxy resin sealing layer and a chip arranged in the middle of the epoxy resin sealing layer. The two sides of the chip are symmetrically welded with a solder sheet, and the two sides of the solder sheets away from the chip are connected with a copper lead joint. And the copper lead joint is connected with a copper lead far from the one side of the welding pad. The shell and the epoxy resin sealing layer are internally provided with a lead frame for copper lead arrangement. The copper lead is placed inside the lead frame, and the copper lead extends outward through the inner wall of the lead frame. The utility model has the advantages of simple structure, easy operation, high voltage resistance, over-voltage protection circuit, avoiding overload damage in the circuit, improving the stability and safety of the entire circuit, and is suitable for wide application.

【技术实现步骤摘要】
一种高压双向触发二极管扩散片
本技术涉及电子元器件
，尤其涉及一种高压双向触发二极管扩散片。
技术介绍
双向触发二极管亦称二端交流器件(DIAC)，与双向晶闸管同时问世。由于它结构简单、价格低廉，所以常用来触发双向晶闸管，还可构成过压保护等电路。双向触发二极管的构造、符号及等效电路。高压双向触发二极管(SIDAC)是一种二端半导体器件，其内部结构与双向晶闸管十分相似，区别在于没有触发门极，是电压自触发器件。SIDAC的工作状态如同一个开关，当电压低于断态峰值电压VDRM时，其漏电流IDRM极小(小于微安量级)，为断开状态；当电压超过其击穿电压UBO时，产生瞬间雪崩效应，该雪崩电流一旦超过开关电流IS，即进入雪崩倍增，在雪崩倍增下器件的阻抗骤然减小，电压降为导通电压(V<1.5V)，此时，SIDAC进入导通状态，允许通过大的通态电流(0.7-2A，RMS值)，当电流降到最小维持电流IH值之下时SIDAC恢复到断开状态。但是现有的高压双向触发二极管可靠性差，耐高压能力差，而且性能极不稳定，不能有效的保护电路中的负载，使得整个电路的安全性不高，导致生产成本的提高和资源的浪费。
技术实现思路
为了解决上述
技术介绍
中提到的问题，本技术提供一种高压双向触发二极管扩散片。为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：一种高压双向触发二极管扩散片，包括壳体，所述壳体的内部填充有环氧树脂封层，且环氧树脂封层的内部中部设有芯片，所述芯片的两侧对称焊接有焊片，两个所述焊片远离芯片的一侧均连接有铜引线接头，且铜引线接头远离焊片的一侧连接有铜引线，所述壳体和环氧树脂封层的内部均设有供铜引线排线的引线框架，所述铜引线置于引线框架的内部，且铜引线穿过引线框架的内壁向外延伸。优选地，所述芯片为NPN三层结构的硅片，芯片包括第一N型半导体、P型半导体和第二N型半导体。优选地，所述引线框架的内壁设有固定块。优选地，所述壳体的外壁设有若干个空脚。优选地，所述壳体的外壁对称设有两个接地端。与现有技术相比，本技术的有益效果是：芯片的外壁封装有环氧树脂封层，具有良好的绝缘性，将二极管安装在电路板中，壳体的外壁设置有用于接地保护的接地端，使用时更加安全，通过固定块将铜引线固定于引线框架的内壁，增加了铜引线的稳定性，避免铜引线松动而造成接触不良的局面，当电路中的电压过大后，高压双向触发二极管进入导通状态，使后面的负载免受过压损害，保护电路。本技术结构简单，易操作，具有耐高压的特点，能够过压保护电路，避免电路中的负载受到过压损害，提高了整个电路的稳定性和安全性，适宜广泛推广。附图说明图1为本技术的结构示意图；图2为本技术芯片的结构示意图。图中：壳体1、环氧树脂封层2、芯片3、焊片4、铜引线接头5、引线框架6、铜引线7、固定块8、空脚9、接地端10、第一N型半导体11、P型半导体12、第二N型半导体13。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。参照图1-2，一种高压双向触发二极管扩散片，包括壳体1，壳体1的内部填充有环氧树脂封层2，且环氧树脂封层2的内部中部设有芯片3，芯片3的两侧对称焊接有焊片4，两个焊片4远离芯片3的一侧均连接有铜引线接头5，且铜引线接头5远离焊片4的一侧连接有铜引线7，壳体1和环氧树脂封层2的内部均设有供铜引线7排线的引线框架6，铜引线7置于引线框架6的内部，且铜引线7穿过引线框架6的内壁向外延伸。具体的，芯片3为NPN三层结构的硅片，芯片3包括第一N型半导体11、P型半导体12和第二N型半导体13，第一N型半导体11与P型半导体12通过电耦合连接，且组成一组PN结，P型半导体12和第二N型半导体13通过电耦合连接，也组成一组PN结。具体的，引线框架6的内壁设有固定块8，通过固定块8将铜引线7固定于引线框架6的内壁，防止铜引线7松动。具体的，壳体1的外壁设有若干个空脚9，通过空脚9能够将二极管安装在电路板中。具体的，壳体1的外壁对称设有两个接地端10，将接地端10接地，能够保护电路，当电路中的电压突然过大时，二极管进入导通状态，保护电路中的其他负载。工作原理：本技术中，通过空脚9能够将二极管安装在电路板中，芯片3的外壁封装有环氧树脂封层2，具有良好的绝缘性，壳体1的外壁设置有用于接地保护的接地端10，使用时更加安全，通过固定块8将铜引线7固定于引线框架6的内壁，增加了铜引线7的稳定性，避免铜引线7松动而造成接触不良的局面，当电路中的电压过大后，高压双向触发二极管进入导通状态，使后面的负载免受过压损害，保护电路。以上所述，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，根据本技术的技术方案及其技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高压双向触发二极管扩散片，包括壳体（1），其特征在于：所述壳体（1）的内部填充有环氧树脂封层（2），且环氧树脂封层（2）的内部中部设有芯片（3），所述芯片（3）的两侧对称焊接有焊片（4），两个所述焊片（4）远离芯片（3）的一侧均连接有铜引线接头（5），且铜引线接头（5）远离焊片（4）的一侧连接有铜引线（7），所述壳体（1）和环氧树脂封层（2）的内部均设有供铜引线（7）排线的引线框架（6），所述铜引线（7）置于引线框架（6）的内部，且铜引线（7）穿过引线框架（6）的内壁向外延伸。

【技术特征摘要】
1.一种高压双向触发二极管扩散片，包括壳体（1），其特征在于：所述壳体（1）的内部填充有环氧树脂封层（2），且环氧树脂封层（2）的内部中部设有芯片（3），所述芯片（3）的两侧对称焊接有焊片（4），两个所述焊片（4）远离芯片（3）的一侧均连接有铜引线接头（5），且铜引线接头（5）远离焊片（4）的一侧连接有铜引线（7），所述壳体（1）和环氧树脂封层（2）的内部均设有供铜引线（7）排线的引线框架（6），所述铜引线（7）置于引线框架（6）的内部，且铜引线（7）穿过引线框架（6）的内壁向外延伸。2.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈创，高萌，
申请(专利权)人：徐州市晨创电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32