一种负离子釉制备方法技术

本发明专利技术涉及一种负离子釉制备方法，其包括以下步骤：负离子辅强干料制备的步骤，将聚偏二氯乙烯纤维投入γ‑聚谷氨酸溶液浸泡，进行高温干燥以及吸湿器中干燥，得到负离子辅强干料；釉干料制备的步骤，将制备釉料的原材料按照一定比例加入到球磨罐混合并球磨，制得釉干料；负离子釉浆料制备的步骤，将负离子辅强干料以及一定量的水加入到球磨罐混合并球磨，制得负离子釉浆料。本发明专利技术可以使聚偏二氯乙烯纤维的表面被γ‑聚谷氨酸覆盖、负离子釉具备负离子发生功能，不含放射性元素以及重金属元素，有利于人体的健康。可以使聚偏二氯乙烯纤维充分的散开，可以聚偏二氯乙烯纤维不会聚积在一起，还可以保证负离子散发效果。

【技术实现步骤摘要】
一种负离子釉制备方法
本专利技术涉及一种负离子釉制备方法，属于建筑材料领域。
技术介绍
瓷砖等陶瓷品是一种极其常用的建筑材料，为保证瓷砖等陶瓷品等外观，通常会在瓷砖等陶瓷品的表面喷涂一层釉面并进行烧制。但是，传统的负离子釉，其通常采用含有重金属【比如氧化锌等】或者放射性元素【比如，含铟的耐高温稀土复合材料】的物质作为负离子发生剂，不利于人体健康。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术的目的在于提供一种负离子釉制备方法，以使聚偏二氯乙烯纤维的表面被γ-聚谷氨酸覆盖、负离子釉具备负离子发生功能，并且无辐射。本专利技术采用表面被γ-聚谷氨酸覆盖的聚偏二氯乙烯纤维的作为负离子发生剂，在提高负离子釉层的强度的同时，还可以产生一定量的负离子、单独的负离子釉层的负离子释放量平均达91个/cm3；若施釉在负离子陶瓷品可以达到更好的负离子释放效果。同时采用表面被γ-聚谷氨酸覆盖的聚偏二氯乙烯纤维的作为负离子发生剂，其并不含放射性元素以及重金属元素，有利于人体的健康。本专利技术采取的详细技术方案为：一种负离子釉制备方法，其包括以下步骤：负离子辅强干料制备的步骤，将聚偏二氯乙烯纤维投入γ-聚谷氨酸溶液浸泡，进行高温干燥以及吸湿器中干燥，得到负离子辅强干料；釉干料制备的步骤，将制备釉料的原材料按照一定比例加入到球磨罐混合并球磨，制得釉干料；负离子釉浆料制备的步骤，将负离子辅强干料以及一定量的水加入到球磨罐混合并球磨，制得负离子釉浆料。优选地，所述负离子釉的原料为，负离子辅强干料；工业碳酸钡；钾长石；硅酸锆；氧化铝粉；白滑石；高岭土。优选地，所述负离子釉的原料为，负离子辅强干料：5-15份；工业碳酸钡：15-30份；钾长石：30-50份；硅酸锆：20-40份；氧化铝粉：3-10份；白滑石：5-15份；高岭土：5-15份。进一步地，负离子釉浆料制备的步骤之前，还包括负离子辅强湿料制备的步骤。进一步地，所述负离子辅强湿料制备的步骤为，将5-15份负离子辅强干料投入一定量的水中浸泡24h，制得负离子辅强湿料。以使聚偏二氯乙烯纤维充分的散开，可以聚偏二氯乙烯纤维不会聚积在一起，还可以保证负离子散发效果。优选地，所述负离子辅强干料制备，将聚偏二氯乙烯纤维切断为0.5-2mm、投入平均质量分子量60万~300万的γ-聚谷氨酸0.4±0.1wt%溶液、40±5℃浸泡1-2h后，40±5℃干燥2-3h，吸湿器中干燥12h以上。与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：1、以使聚偏二氯乙烯纤维的表面被γ-聚谷氨酸覆盖、负离子釉具备负离子发生功能，2、不含放射性元素以及重金属元素，有利于人体的健康。3、可以使聚偏二氯乙烯纤维充分的散开，可以聚偏二氯乙烯纤维不会聚积在一起，还可以保证负离子散发效果。具体实施方式实施例一，一种负离子釉制备方法，该生产方法包括如下步骤：一、负离子辅强干料制备，将聚偏二氯乙烯纤维切断为0.5-2mm、投入γ-聚谷氨酸【平均质量分子量60万~300万】溶液【0.4±0.1wt%】40±5℃浸泡1-2h后，40±5℃干燥2-3h，吸湿器中干燥12h以上，制得负离子辅强干料，备用。以使聚偏二氯乙烯纤维的表面被γ-聚谷氨酸覆盖、负离子釉具备负离子发生功能，并且无辐射。二、釉干料制备，将制备釉料的原材料按照一定比例加入到球磨罐混合并球磨4-6h，制得釉干料；其中，釉料的原材料为工业碳酸钡：15-30份；钾长石：30-50份；硅酸锆：20-40份；氧化铝粉：3-10份；白滑石：5-15份；高岭土：5-15份。三、负离子釉浆料制备，将制备的负离子辅强干料、以及一定量的水【釉干料总重量的0.6-1.5倍】加入到球磨罐混合并球磨1-2h，即可制得负离子釉浆料。使用负离子釉浆时，将制得的负离子釉浆料，在陶瓷坯体表面用压釉的方式进行施釉，负离子釉浆料层的厚度为2-4mm，然后将施釉的陶瓷坯体压制成型、干燥、渗花得到渗花后的陶瓷坯体；然后将渗花后的陶瓷坯体放入隧道窑内进行烧制，烧制温度为1100-1200℃，需要时可以降低烧制温度，烧制时间为40-60min，得到烧制后的陶瓷坯体，待烧制后的陶瓷坯体冷却后，对烧制后的陶瓷坯体进行抛光以及其他后处理，即可得到覆盖有负离子釉层的陶瓷品。负离子釉层的负离子释放量平均达91个/cm3。本专利技术中的负离子釉制备方法所制得到的负离子釉浆料，可以施釉在普通的陶瓷品【即不具备负离子发生功能的陶瓷品】上使用，也可以施釉在负离子陶瓷品上使用。实施例二，一种负离子釉制备方法，该生产方法包括如下步骤：一、负离子辅强干料制备，将聚偏二氯乙烯纤维切断为0.5-2mm、投入γ-聚谷氨酸【平均质量分子量60万~300万】溶液【0.4±0.1wt%】40±5℃浸泡1-2h后，40±5℃干燥2-3h，吸湿器中干燥12h以上，制得负离子辅强干料，备用。以使聚偏二氯乙烯纤维的表面被γ-聚谷氨酸覆盖、负离子釉具备负离子发生功能，并且无辐射。二、负离子辅强湿料制备，将5-15份负离子辅强干料投入一定量的水【釉干料总重量的0.6-1.5倍】中浸泡24h，制得负离子辅强湿料，备用。以使聚偏二氯乙烯纤维充分的散开，可以聚偏二氯乙烯纤维不会聚积在一起【影响釉层的纤维凹陷的外观】，还可以保证负离子散发效果。三、釉干料制备，将制备釉料的原材料按照一定比例加入到球磨罐混合并球磨4-6h，制得釉干料；其中，釉料的原材料为工业碳酸钡：15-30份；钾长石：30-50份；硅酸锆：20-40份；氧化铝粉：3-10份；白滑石：5-15份；高岭土：5-15份。四、负离子釉浆料制备，将制备的负离子辅强湿料加入到球磨罐混合并球磨1-2h，即可制得负离子釉浆料。使用负离子釉浆时，将制得的负离子釉浆料，在陶瓷坯体表面用压釉的方式进行施釉，负离子釉浆料层的厚度为2-4mm，然后将施釉的陶瓷坯体压制成型、干燥、渗花得到渗花后的陶瓷坯体；然后将渗花后的陶瓷坯体放入隧道窑内进行烧制，烧制温度为1100-1200℃，需要时可以降低烧制温度，烧制时间为40-60min，得到烧制后的陶瓷坯体，待烧制后的陶瓷坯体冷却后，对烧制后的陶瓷坯体进行抛光以及其他后处理，即可得到覆盖有负离子釉层的陶瓷品。负离子釉层的负离子释放量平均达91个/cm3。本专利技术中的负离子釉制备方法所制得到的负离子釉浆料，可以施釉在普通的陶瓷品【即不具备负离子发生功能的陶瓷品】上使用，也可以施釉在负离子陶瓷品上使用。对于本领域技术人员而言，显然本专利技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本专利技术的精神或基本特征的情况下，能够以其它的具体形式实现本专利技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本专利技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本专利技术内。以上所述，仅为本专利技术的较佳实施例，并不用以限制本专利技术，凡是依据本专利技术的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同替换和改进，均应包含在本专利技术技术方案的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种负离子釉制备方法，其特征在于包括以下步骤：负离子辅强干料制备的步骤，将聚偏二氯乙烯纤维投入γ‑聚谷氨酸溶液浸泡，进行高温干燥以及吸湿器中干燥，得到负离子辅强干料；釉干料制备的步骤，将制备釉料的原材料按照一定比例加入到球磨罐混合并球磨，制得釉干料；负离子釉浆料制备的步骤，将负离子辅强干料以及一定量的水加入到球磨罐混合并球磨，制得负离子釉浆料。

【技术特征摘要】
1.一种负离子釉制备方法，其特征在于包括以下步骤：负离子辅强干料制备的步骤，将聚偏二氯乙烯纤维投入γ-聚谷氨酸溶液浸泡，进行高温干燥以及吸湿器中干燥，得到负离子辅强干料；釉干料制备的步骤，将制备釉料的原材料按照一定比例加入到球磨罐混合并球磨，制得釉干料；负离子釉浆料制备的步骤，将负离子辅强干料以及一定量的水加入到球磨罐混合并球磨，制得负离子釉浆料。2.如权利要求1所述的一种负离子釉制备方法，其特征在于：所述负离子釉的原料为，负离子辅强干料；工业碳酸钡；钾长石；硅酸锆；氧化铝粉；白滑石；高岭土。3.如权利要求2所述的一种负离子釉制备方法，其特征在于：所述负离子釉的原料为，负离子辅强干料：5-15份；工业碳酸钡：15-30份；钾长石：30-50份；硅酸锆：20-40份；氧化铝粉：3-...

【专利技术属性】
技术研发人员：全春辉，
申请(专利权)人：佛山市陶莹新型材料有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44