液晶显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供的液晶显示装置，包括上基板、下基板、夹设于上基板与下基板之间的液晶层以及正对且间隔设置的第一金属线栅层和第二金属线栅层；所述上基板包括第一衬底和叠设于所述第一衬底的靠近所述液晶层一侧的彩色滤光片，所述第一金属线栅层夹设于所述液晶层与所述彩色滤光片之间；所述下基板包括第二衬底和叠设于所述第二衬底的靠近所述液晶层一侧的TFT层，所述第二金属线栅层夹设于所述液晶层与所述TFT层之间；所述第一金属线栅层和所述第二金属线栅层均包括偏光单元和遮光单元，所述遮光单元穿插于相邻两个所述偏光单元之间。与相关技术比较，本发明专利技术提供的液晶显示装置显示精度高且制造成本低。

【技术实现步骤摘要】
液晶显示装置
本专利技术涉及液晶显示装置领域，尤其涉及一种采用金属线栅层结构的液晶显示装置。
技术介绍
相关技术中的液晶显示装置包括背光源、上偏光片、下偏光片、夹设于所述上偏光片与所下偏光片中的液晶层、夹设于所上偏光片与所述液晶层之间的彩色滤光片以及夹设于所液晶层与所下偏光片之间的TFT层，所述背光源设置于所述下偏光片的远离所述液晶层的一侧。液晶显示装置的工作原理是利用液晶的双折射性质，通过电压控制液晶层中液晶的转动，使经过下偏光片后的线偏振光随之发生旋转，从上偏光片(与所述下偏光片的偏振方向垂直)射出，所述上偏光片、所述下偏光片以及所述液晶层共同作用下对透过的光起到控制的作用。所述背光源出射的光可以分解为垂直于所述下偏光片的吸收轴的第一光分量和平行于所述下偏光片的吸收轴的第二光分量，其中所述第二光分量被所述下偏光片吸收，所述第一光分量穿过所述下偏光片，通过电压控制液晶的转动，使经过所述下偏光所述第一光分量将被吸收，由于平行于所述下偏光片的吸收轴的第二光分量被吸收，进而造成光的利用率小于50％，从而极大的降低了所述液晶显示装置的整体光透过率，对所述液晶显示装置的亮度、对比度和透过率等造成严重影响，增加了所述液晶显示装置能耗的同时，也降低了所述液晶显示装置的光透过率和亮度均匀性。另外，相关技术中具有碘分子或者染料的所述上偏光片与所述下偏光片的制作过程中，需要多层保护膜和光学补偿膜，不仅造成所述液晶显示装置的整体厚度增加，而且成本提高，制造工艺复杂，使所述液晶显示装置在节能和轻薄化等领域的应用大大受限。相关技术中，在所述液晶显示装置的制造过程中，为了提高对比度、避免所述彩色滤光片混色、减少外界光反射以及防止外界光线照射TFT层而增加漏电流，一般都会使用黑色矩阵进行遮光。但是，使用所述黑色矩阵遮光不仅需要单独的一道光罩及制造工艺，而且由于所述黑色矩阵的制作尺寸的精度较低，经常由于贴合偏差等造成漏光，进而大大影响所述液晶显示装置的显示效果。因此，有必要提供一种新的液晶显示装置以解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种显示精度高、结构简单且制造成本低的液晶显示装置。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种液晶显示装置，包括上基板、下基板、夹设于所述上基板与所述下基板之间的液晶层和相互正对且间隔设置的第一金属线栅层和第二金属线栅层。所述上基板包括第一衬底和叠设于所述第一衬底的靠近所述液晶层一侧的彩色滤光片，所述第一金属线栅层夹设于所述液晶层与所述彩色滤光片之间；所述下基板包括第二衬底和叠设于所述第二衬底的靠近所述液晶层一侧的TFT层，所述第二金属线栅层夹设于所述液晶层与所述TFT层之间；所述第一金属线栅层和所述第二金属线栅层均包括偏光单元和遮光单元，所述遮光单元夹设于相邻两个所述偏光单元之间；所述偏光单元包括多个呈阵列间隔设置的纳米级导电条，所述遮光单元包括微米级导电条，所述纳米级导电条与所述微米级导电条平行且间隔设置；所述第一金属线栅层的所述偏光单元充当所述彩色滤光片的偏光电极，所述第二金属线栅层的所述遮光单元充当所述TFT层的像素电极。优选的，所述第一金属线栅层和所述第二金属线栅层均由导电性薄膜通过纳米压印技术制成。优选的，所述液晶层为自取向液晶体系，所述液晶层包括95.0％～99.5％质量百分比的液晶分子，0.45％～4.5％质量百分比的反应型垂直取向添加剂，0.05％～3.0％质量百分比的可聚合单体。优选的，所述可聚合单体含有以1～4个苯基其以取代基团为核心及其左右对称分布的-(CH2)n及其取代基团、可聚合基团、-OH/-COOH/-NH2等亲水基团、具有10～20个左右的直链或者支链化的烷基及其取代基团等组成的聚合性单体。优选的，所述纳米级导电条与所述微米级导电条之间的间隙内以及相邻所述纳米级导电条之间填充透明光刻胶和PFA中的任意一种介质后形成防反射层和表面亲水层。优选的，所述第一金属线栅与所述第二金属线栅的材料为铝、铬、金、银以及镍中的任意一种。优选的，位于同一所述偏光单元的所述纳米级导电条的宽度为50～200nm，相邻所述纳米级导电条之间的间距为50～100nm，所述纳米级导电条沿垂直于所述上层基板方向的厚度为50～500nm。优选的，所述公共电极与所述像素电极等电位。优选的，所述液晶显示装置是曲面液晶显示装置。与相关技术相比较，本专利技术提供的液晶显示装置，采用纳米压印技术制成的第一金属线栅与第二金属线栅层均包括偏光单元和遮光单元，由于所述偏光单元同时具有导电性和偏光性而同时作为偏光片和偏光电极，由于所述遮光单元包括微米级导电条，所述导电条作为遮光片的同时也用于充当公共电极和像素电极，从而大大的简化了所述液晶显示装置的结构，使所述液晶显示装置更薄、透光率更高；同时，通过在所述第一金属线栅与所述第二金属线栅层的表面设置防反射层和表面亲水层，增加所述第一金属线栅和所述第二金属线栅层分别与所述液晶层之间的锚定力，可以改善了所述液晶层的响应速度，从而增强了所述液晶显示装置的显示效果；而且，所述遮光单元厚度较薄且精度高，在应用于曲面的所述液晶显示装置时可随着玻璃进行弯曲，弯曲后分别位于所述第一金属线栅与所述第二金属线栅层的所述遮光单元的相对位置基本不变，可有效解决曲面的所述液晶显示装置由于上下对位偏移而造成的漏光问题。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：图1为本专利技术液晶显示装置的偏光单元的结构示意图；图2为本专利技术液晶显示装置的结构示意图；图3为本专利技术液晶显示装置的液晶显示层、公共电极以及像素电极的结构示意图。具体实施方式下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。请同时参阅图1与图2，其中，图1为本专利技术液晶显示装置的偏光单元的结构示意图；图2为本专利技术液晶显示装置的结构示意图。本专利技术提供一种液晶显示装置100，其包括上基板1、下基板2以及夹设于所述上基板1与所述下基板2之间的液晶层3、第一金属线栅层4以及第二金属线栅层5。所述第一金属线栅层4夹设于所述上基板1与所述液晶层3之间，所述第二金属线栅层5夹设于所述下基板2与所述液晶层3之间。请结合参阅图3，为本专利技术液晶显示装置的液晶显示层、公共电极以及像素电极的结构示意图。所述上基板1包括第一衬底11和叠设于所述第一衬底11的靠近所述液晶层3一侧的彩色滤光片12，所述第一金属线栅层4夹设于所述液晶层3与所述彩色滤光片12之间。所述下基板2包括第二衬底21和叠设于所述第二衬底21的靠近所述液晶层3一侧的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)层22，所述第二金属线栅层5夹设于所述液晶层3与所述TFT层22之间。所述第一金属线栅层4包括偏光单元41和遮光单元42，所述遮光单元42夹设于相邻两个所述偏光单元41之间。所述偏光单元41夹设于所述二相邻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种液晶显示装置，包括上基板、下基板以及夹设于所述上基板与所述下基板之间的液晶层，其特征在于，所述液晶显示装置还包括相互正对且间隔设置的第一金属线栅层和第二金属线栅层；所述上基板包括第一衬底和叠设于所述第一衬底的靠近所述液晶层一侧的彩色滤光片，所述第一金属线栅层夹设于所述液晶层与所述彩色滤光片之间；所述下基板包括第二衬底和叠设于所述第二衬底的靠近所述液晶层一侧的TFT层，所述第二金属线栅层夹设于所述液晶层与所述TFT层之间；所述第一金属线栅层和所述第二金属线栅层均包括偏光单元和遮光单元，所述遮光单元夹设于相邻两个所述偏光单元之间；所述偏光单元包括多个呈阵列间隔设置的纳米级导电条，所述遮光单元包括微米级导电条，所述纳米级导电条与所述微米级导电条平行且间隔设置；所述第一金属线栅层的所述偏光单元充当所述彩色滤光片的偏光电极，所述第二金属线栅层的所述遮光单元充当所述TFT层的像素电极。

【技术特征摘要】
1.一种液晶显示装置，包括上基板、下基板以及夹设于所述上基板与所述下基板之间的液晶层，其特征在于，所述液晶显示装置还包括相互正对且间隔设置的第一金属线栅层和第二金属线栅层；所述上基板包括第一衬底和叠设于所述第一衬底的靠近所述液晶层一侧的彩色滤光片，所述第一金属线栅层夹设于所述液晶层与所述彩色滤光片之间；所述下基板包括第二衬底和叠设于所述第二衬底的靠近所述液晶层一侧的TFT层，所述第二金属线栅层夹设于所述液晶层与所述TFT层之间；所述第一金属线栅层和所述第二金属线栅层均包括偏光单元和遮光单元，所述遮光单元夹设于相邻两个所述偏光单元之间；所述偏光单元包括多个呈阵列间隔设置的纳米级导电条，所述遮光单元包括微米级导电条，所述纳米级导电条与所述微米级导电条平行且间隔设置；所述第一金属线栅层的所述偏光单元充当所述彩色滤光片的偏光电极，所述第二金属线栅层的所述遮光单元充当所述TFT层的像素电极。2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第一金属线栅层和所述第二金属线栅层均由导电性薄膜通过纳米压印技术制成。3.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述液晶层为自取向液晶体系，所述液晶层包括95.0％～99.5％质量百分比的液晶分子，0.45％～4....

【专利技术属性】
技术研发人员：韦宏权，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44