非晶质透明导电性薄膜、以及晶质透明导电性薄膜和其制造方法技术

非晶质透明导电性薄膜在厚度方向依次具备透明基材和非晶质透明导电层。非晶质透明导电层由非晶质的铟锡复合氧化物形成。非晶质透明导电层的厚度为30nm以上且40nm以下，非晶质透明导电层的电阻率为6.0×10‑4Ω·cm以上且8.0×10‑4Ω·cm以下，非晶质透明导电层的霍尔迁移率为15.0cm2/V·s以上且30.0cm2/V·s以下。

Amorphous transparent conductive thin film, crystalline transparent conductive film and manufacturing method thereof

Amorphous transparent conductive films have transparent substrates and amorphous transparent conductive layers in thickness direction. The amorphous transparent conductive layer is formed by amorphous indium tin composite oxides. The thickness of the amorphous transparent conductive layer is above 30nm and below 40nm. The resistivity of the amorphous transparent conductive layer is 6 * 10, and is above 4 Omega cm and below 8 x 4. Cm. The migration rate of the amorphous transparent conductive layer is above 15.0cm2/V. S and below 30.0cm2/V. S.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】非晶质透明导电性薄膜、以及晶质透明导电性薄膜和其制造方法
本专利技术涉及非晶质透明导电性薄膜、以及晶质透明导电性薄膜和其制造方法，详细而言涉及触摸面板用薄膜等中使用的非晶质透明导电性薄膜、晶质透明导电性薄膜、以及晶质透明导电性薄膜的制造方法。
技术介绍
一直以来，已知图像显示装置具备形成有由铟锡复合氧化物(ITO)形成的透明布线层的触摸面板用薄膜。触摸面板用薄膜通常通过在将ITO层层叠于透明基材而成的透明导电性薄膜中，将ITO层图案化为布线图案来制造。而且，对于该触摸面板用薄膜，为了减少其表面电阻值，已知通过加热等将ITO层结晶化(转化)(例如参照专利文献1)。专利文献1中公开了如下制作方法：在透明基材上，使用Sn原子量超过6重量％且为15重量％以下的靶，以水的分压为0.1％以下的气氛，在基材温度超过100℃且为200℃以下的条件下进行溅射制膜，由此形成由ITO形成的非晶质透明导电层后，对该非晶质透明导电层进行加热从而转化为结晶性透明导电层。如此得到的结晶性透明导电层具有良好的表面电阻值。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012-134085号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，近年来，伴随图像显示装置的大型化，要求进一步的表面电阻值的改良、即进一步的表面电阻值的减少。为了减少表面电阻值，可举出加厚由ITO形成的透明导电层的厚度的方法。但是，若加厚透明导电层，则会产生透明性等光学特性也降低的不良情况。另外，也期望减少非晶质的ITO结晶化的时间，提高生产率。本专利技术的目的在于，提供能够使表面电阻值、光学特性及生产率良好的非晶质透明导电性薄膜、以及晶质透明导电性薄膜和其制造方法。用于解决问题的方案本专利技术[1]包括一种非晶质透明导电性薄膜，其中，在厚度方向依次具备透明基材和非晶质透明导电层，前述非晶质透明导电层由非晶质的铟锡复合氧化物形成，前述非晶质透明导电层的厚度为30nm以上且40nm以下，前述非晶质透明导电层的电阻率为6.0×10-4Ω·cm以上且8.0×10-4Ω·cm以下，前述非晶质透明导电层的霍尔迁移率为15.0cm2/V·s以上且30.0cm2/V·s以下。本专利技术[2]包括[1]所述的非晶质透明导电性薄膜，其中，还具备配置在前述透明基材与前述非晶质透明导电层之间的光学调整层。本专利技术[3]包括[2]所述的非晶质透明导电性薄膜，其中，还具备配置在前述透明基材与前述光学调整层之间的硬涂层。本专利技术[4]包括晶质透明导电性薄膜，其中，其是将[1]～[3]中任一项所述的非晶质透明导电性薄膜加热而成的，其在厚度方向依次具备前述透明基材和由晶质的铟锡复合氧化物形成的晶质透明导电层。本专利技术[5]包括[4]所述的晶质透明导电性薄膜，其中，前述晶质透明导电层的电阻率为1.8×10-4Ω·cm以上且2.3×10-4Ω·cm以下。本专利技术[6]包括[4]或[5]所述的晶质透明导电性薄膜，其中，前述晶质透明导电性薄膜对于波长450nm的光的透过率与前述透明基材对于波长450nm的光的透过率之差为7.0％以下。本专利技术[7]包括一种晶质透明导电性薄膜的制造方法，其中，具备如下工序：准备非晶质透明导电性薄膜的工序，所述非晶质透明导电性薄膜在厚度方向依次具备透明基材和由非晶质的铟锡复合氧化物形成的非晶质透明导电层；以及对前述非晶质透明导电性薄膜进行加热，由此将前述非晶质的铟锡复合氧化物转化为晶质的铟锡复合氧化物的工序，前述非晶质透明导电层的厚度为30nm以上且40nm以下，前述非晶质透明导电层的电阻率为6.0×10-4Ω·cm以上且8.0×10-4Ω·cm以下，前述非晶质透明导电层的霍尔迁移率为15.0cm2/V·s以上且30.0cm2/V·s以下。专利技术的效果根据本专利技术的非晶质透明导电性薄膜及使用其的晶质透明导电性薄膜的制造方法，能够生产率良好地制造表面电阻值及光学特性良好的晶质透明导电性薄膜。根据本专利技术的晶质透明导电性薄膜，表面电阻值及光学特性良好。附图说明[图1]图1示出本专利技术的非晶质透明导电性薄膜的一实施方式的侧截面图。[图2]图2示出将图1的非晶质透明导电性薄膜结晶化了的晶质透明导电性薄膜的侧截面图。[图3]图3示出本专利技术的非晶质透明导电性薄膜的另一实施方式(在单面层叠有非晶质ITO层的实施方式)的侧截面图。[图4]图4示出将图3的非晶质透明导电性薄膜结晶化了的晶质透明导电性薄膜的侧截面图。[图5]图5示出本专利技术的非晶质透明导电性薄膜的另一实施方式(在透明基材的上表面直接层叠有非晶质ITO层的实施方式)的侧截面图。[图6]图6示出将图5的非晶质透明导电性薄膜结晶化了的晶质透明导电性薄膜的侧截面图。具体实施方式图1中，纸面上下方向为上下方向(厚度方向、第1方向)，纸面上侧为上侧(厚度方向一侧、第1方向一侧)，纸面下侧为下侧(厚度方向另一侧、第1方向另一侧)。对于图2～6，也依据图1。1.非晶质透明导电性薄膜非晶质透明导电性薄膜1呈具有规定厚度的薄膜形状(包括片状)，在与厚度方向正交的规定方向(面方向)延伸，具有平坦的上表面及平坦的下表面。非晶质透明导电性薄膜1例如为图像显示装置所具备的触摸面板用基材等的一部件，即不是图像显示装置。即，非晶质透明导电性薄膜1为用于制作图像显示装置等的部件，是不包括LCD模块等图像显示元件在内的以部件自身流通、产业上可利用的器件。具体而言，如图1所示，非晶质透明导电性薄膜1例如在厚度方向依次具备透明基材2、硬涂层3、光学调整层4和非晶质透明导电层5。即，非晶质透明导电性薄膜1具备：透明基材2、配置于透明基材2的上表面的第1硬涂层3A、配置于第1硬涂层3A的上表面的第1光学调整层4A、配置于第1光学调整层4A的上表面的第1非晶质透明导电层5A、配置于透明基材2的下表面的第2硬涂层3B、配置于第2硬涂层3B的下表面的第2光学调整层4B、和配置于第2光学调整层4B的下表面的第2非晶质透明导电层5B。非晶质透明导电性薄膜1优选由透明基材2、硬涂层3(第1硬涂层3A及第2硬涂层3B)、光学调整层4(第1光学调整层4A及第2光学调整层4B)、和非晶质透明导电层5(第1非晶质透明导电层5A及第2非晶质透明导电层5B)形成。以下，对各层进行详细叙述。1-1.透明基材透明基材2是确保非晶质透明导电性薄膜1的机械强度的基材。透明基材2与硬涂层3及光学调整层4一起支撑非晶质透明导电层5。透明基材2例如为具有透明性的高分子薄膜。作为高分子薄膜的材料，例如可以举出：聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯树脂、例如聚甲基丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸类树脂(丙烯酸类树脂和/或甲基丙烯酸类树脂)、例如聚乙烯、聚丙烯、环烯烃聚合物(COP)等烯烃树脂、例如聚碳酸酯树脂、聚醚砜树脂、聚芳酯树脂、三聚氰胺树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、纤维素树脂、聚苯乙烯树脂、降冰片烯树脂等。高分子薄膜可以单独使用或组合使用2种以上。从透明性、耐热性、机械强度等观点出发，优选可举出聚酯树脂、烯烃树脂，更优选可以举出PET、COP。透明基材2对于波长450nm的光的透过率T1例如为80％以上、优选为85％以上，另外，例如为100％以下。透过率可以使用高速积分球分光透过率测定器(“DOT-3”、村上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非晶质透明导电性薄膜，其特征在于，在厚度方向依次具备透明基材和非晶质透明导电层，所述非晶质透明导电层由非晶质的铟锡复合氧化物形成，所述非晶质透明导电层的厚度为30nm以上且40nm以下，所述非晶质透明导电层的电阻率为6.0×10‑4Ω·cm以上且8.0×10‑4Ω·cm以下，所述非晶质透明导电层的霍尔迁移率为15.0cm2/V·s以上且30.0cm2/V·s以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.11.12 JP 2015-2217501.一种非晶质透明导电性薄膜，其特征在于，在厚度方向依次具备透明基材和非晶质透明导电层，所述非晶质透明导电层由非晶质的铟锡复合氧化物形成，所述非晶质透明导电层的厚度为30nm以上且40nm以下，所述非晶质透明导电层的电阻率为6.0×10-4Ω·cm以上且8.0×10-4Ω·cm以下，所述非晶质透明导电层的霍尔迁移率为15.0cm2/V·s以上且30.0cm2/V·s以下。2.根据权利要求1所述的非晶质透明导电性薄膜，其特征在于，还具备配置在所述透明基材与所述非晶质透明导电层之间的光学调整层。3.根据权利要求2所述的非晶质透明导电性薄膜，其特征在于，还具备配置在所述透明基材与所述光学调整层之间的硬涂层。4.一种晶质透明导电性薄膜，其特征在于，其是将权利要求1所述的非晶质透明导电性薄膜加热而成的，其在厚度方向依次具备所述透明基材和由晶质的铟锡复合氧化物形成的晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：矢野孝伸，成田悠，西嶋仁志，碓井圭太，鹰尾宽行，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP