The invention relates to an anticorrosive stripping composition, in more detail, relating to the following anticorrosive stripping composition, characterized by a combination of 1~15 weight% of quaternary ammonium compounds, 20~60 weight% of an aprotic polar organic solvent, an inorganic base or a salt compound of 0.01 to 1 weight%, and the chemical formula 1 expressed in the following chemical formula. 1~20% of the weight and the amount of water. In the formula R1 below, an alkyl amine with a carbon number of 1~3 is in the range of R1 to R3. At this time, the rest of R1 ~ R3 is hydrogen. [chemical type 1]
【技术实现步骤摘要】
抗蚀剂剥离液组合物
本专利技术涉及抗蚀剂剥离液组合物。
技术介绍
近年来，随着电子设备的小型化，半导体元件的高集成化和多层化正在飞速发展，因此需要用于进行光致抗蚀剂(photoresist，PR)图案的微细化而稳定地形成0.5μm以下的微细电路的技术。半导体元件或液晶显示元件的微细电路是通过光刻(photolithography)工序实现的。光刻工序以如下工序进行：在基板上所形成的铝、铝合金、铜、铜合金、钼、钼合金等的导电性金属膜或氧化硅膜、氮化硅膜等绝缘膜上，均匀地涂布光致抗蚀剂，并将其选择性地进行曝光、显影处理而形成光致抗蚀剂图案，然后将图案化的光致抗蚀剂膜用作掩模而将上述导电性金属膜或绝缘膜通过湿式或干式进行蚀刻，将微细电路图案转印至光致抗蚀剂下部层后，将无用的光致抗蚀剂层利用剥离液(stripper)去除。其中所使用的光致抗蚀剂根据照射射线后在显影液中的溶解性的差异而被分为负型或正型。负型光致抗蚀剂是指，被曝光的部位固化，对于显影液的溶解性降低，从而以图案部存在的光致抗蚀剂。与此不同，被曝光的部分发生显影时称为正型光致抗蚀剂负型光致抗蚀剂具有灵敏度、耐热性...
【技术保护点】
1.一种抗蚀剂剥离液组合物，其特征在于，包含：季铵盐化合物1～15重量％、非质子性极性有机溶剂20～60重量％、无机碱或其盐化合物0.01～1重量％、下述化学式1所表示的化合物1～20重量％、以及余量的水，化学式1
【技术特征摘要】
2017.01.25 KR 10-2017-00118541.一种抗蚀剂剥离液组合物，其特征在于，包含：季铵盐化合物1～15重量％、非质子性极性有机溶剂20～60重量％、无机碱或其盐化合物0.01～1重量％、下述化学式1所表示的化合物1～20重量％、以及余量的水，化学式1所述化学式1中，R1～R3中的一个为碳原子数1～3的烷基胺，此时，R1～R3中的其余为氢。2.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离液组合物，其特征在于，所述季铵盐化合物包含选自由四甲基氢氧化铵(TMAH)、四乙基氢氧化铵(TEAH)、四丙基氢氧化铵(TPAH)、四丁基氢氧化铵(TBAH)组成的组中的一种以上。3.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离液组合物，其特征在于，所述非质子性极性有机溶剂包含选自由二甲亚砜、二乙亚砜、二丙亚砜、环丁砜、N-乙基甲酰胺、二乙基甲酰胺、二甲...
【专利技术属性】
技术研发人员：房淳洪，金佑逸，洪宪杓，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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