【技术实现步骤摘要】
存储器高效的末级高速缓存架构本公开涉及处理器的领域,并且更具体地涉及存储器高效的末级高速缓存架构。
技术介绍
处理设备可以从存储器读取数据以执行指令。在需要多次读取相同数据的相近连续读取中,存储器中的数据可能被访问多次。一旦数据被第一次访问,可以将数据高速缓存以维持该数据的副本,以用于可被处理设备更快地访问,移除执行从存储器读取多次的成本。处理器高速缓存是被计算机的处理器使用以减少从主存储器访问数据的平均时间和/或能量的硬件高速缓存。高速缓存可以是小而快的存储器,存储来自频繁使用的主存储器位置的数据的副本。处理器可以与不同层级的高速缓存相关联。一个这种层级的高速缓存可以是末级高速缓存(LLC)。在一个实施例中,末级高速缓存可以在一个或多个处理器中共享,并且可以恰好在借助于访问主存储器之前被访问。附图简述通过下文给出的具体实施方式并通过本公开的各实施例的附图,将更完整地理解本公开的各实施例。然而,不应当认为这些附图将本公开限制为特定实现方式,而是这些附图仅用于说明和理解。图1是示出根据一个实施例的其中本公开的实现方式可以操作的示例系统架构的框图。图2是示出根据一个实施例的根据本公开的一些实现方式的示例高速缓存控制器的框图。图3是示出根据一个实施例的经缓冲的LLC写入的框图。图4是示出根据一个实施例的经缓冲的读取和写入的框图。图5是示出根据一个实施例的存储器高效的LLC架构操作的流程图。图6A是示出根据一个实施例的实现存储器高效的LLC架构操作的处理器的微架构的框图。图6B是示出根据一个实施例的有序流水线以及寄存器重命名级、乱序发布/执行流水线的框图。图7示出了根据 ...
【技术保护点】
1.一种处理器,包括:处理器核;末级高速缓存(LLC),可操作地耦合至所述处理器核;高速缓存控制器,可操作地耦合至所述LLC,所述高速缓存控制器用于:监视对所述处理器核和与所述LLC相关联的动态随机存取存储器(DRAM)设备之间的信道的带宽要求;当所述带宽超过第一阈值时,执行从所述DRAM设备的第一定义数量的连续读取;以及当所述带宽未超过所述第一阈值时,对来自所述LLC的脏的行执行到所述DRAM设备的第一定义数量的连续写入。
【技术特征摘要】
2017.01.18 US 15/408,7311.一种处理器,包括:处理器核;末级高速缓存(LLC),可操作地耦合至所述处理器核;高速缓存控制器,可操作地耦合至所述LLC,所述高速缓存控制器用于:监视对所述处理器核和与所述LLC相关联的动态随机存取存储器(DRAM)设备之间的信道的带宽要求;当所述带宽超过第一阈值时,执行从所述DRAM设备的第一定义数量的连续读取;以及当所述带宽未超过所述第一阈值时,对来自所述LLC的脏的行执行到所述DRAM设备的第一定义数量的连续写入。2.如权利要求1所述的处理器,其特征在于,所述高速缓存控制器进一步用于:确定所述LLC中的脏的行的数量是否超过第二阈值;当所述LLC中的脏的行的数量超过所述第二阈值时,对来自所述LLC的脏的高速缓存行执行到所述DRAM设备的第二定义数量的附加连续写入;以及当所述LLC中的脏的行的数量未超过所述第二阈值时,执行从所述DRAM设备的第二定义数量的附加连续读取。3.如权利要求2所述的处理器,其特征在于,为了执行到所述DRAM设备的所述第二定义数量的附加连续写入,所述高速缓存控制器用于将所述脏的高速缓存行写入所述DRAM设备中的不同区块。4.如权利要求2所述的处理器,其特征在于,到所述DRAM设备的所述第二定义数量的连续写入是256个。5.如权利要求2所述的处理器,其特征在于,从所述DRAM设备的所述第二定义数量的连续读取是可定制的。6.如权利要求1所述的处理器,其特征在于,从所述DRAM设备的所述第一定义数量的连续读取是256个。7.如权利要求1所述的处理器,其特征在于,所述高速缓存控制器进一步用于当执行从所述DRAM设备的所述第一定义数量的连续读取操作时阻止到所述DRAM设备的所有写入操作。8.如权利要求1所述的处理器,其特征在于,为了监视所述带宽要求,所述高速缓存控制器用于:对预定义数量的周期内的对所述DRAM设备的请求的数量计数;将所述请求的数量除以二;以及将所述请求的数量与所述阈值进行比较。9.如权利要求8所述的处理器,其特征在于,所述预定义数量的周期是可定制的。10.一种方法,包括:由处理器监视对处理器核和与末级高速缓存(LLC)相关联的动态随机存取存储器(DRAM)设备之间的信道的带宽要求;当所述带宽超过第一阈值时,由所述处理器执行从所述DRAM设备的第一定义数量的连续读取;以及当所述带宽未超过所述第一阈值时,由所述处理器对来自所述LLC的脏的行执行到所述DRAM设备的第一定义数量的连续写入。11.如权利要求10所述的方法,其特征在于,进一步包括:确定所述LLC中的脏的行的数量是否超过第二阈值;当所述LLC中的脏的行的数量超过所述第二阈值时,对来自所述LLC的脏的高速缓存行执行到所述DRAM设备的第二定义数量的附加连续写入;以及当所述LLC中的脏的行的数量未超过所述第二阈值时,执行从所述DRAM设备的第二定义数量的附加连续读取。12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,执行到所述DRAM设备的所述第二定义数量的附加连续写入的步骤包括将所述脏的高速缓存行写入所述DRAM设备中的不同区块。13.如权利要求10所述的方法,其特征在于,进一步包括当执行从所述DRAM设备的所述第一定义数量的连续读取操作时阻止到所述DRAM...
【专利技术属性】
技术研发人员:J·高尔,A·曼达尔,A·诺丽,S·萨布拉蒙尼,
申请(专利权)人:英特尔公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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