基板边缘处理方法、掩膜版技术

本发明专利技术提出了一种基板边缘处理的方法、掩模版，所述基板边缘处理方法包括利用第一装置在待处理基板上形成第一光阻层；其次，在曝光机中利用第一掩膜版对第一光阻层进行曝光；最后，通过利用第二装置对待处理基板进行处理，完成待处理基板的洗边工艺；本发明专利技术通过利用曝光机对待处理基板进行边缘曝光工艺，提高了待处理基板的洗边精度；本发明专利技术还省去了曝边机的使用，节省了机台的成本，缩短制程时间，提高了制程效率。

【技术实现步骤摘要】
基板边缘处理方法、掩膜版
本专利技术涉及显示领域，特别涉及一种基板边缘处理方法、掩膜版。
技术介绍
液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)是目前市场上应用最为广泛的显示产品，其生产工艺技术十分成熟，产品良率高，生产成本相对较低，市场接受度高。而TFT-LCD(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，薄膜晶体管液晶显示器)面板制造行业已经发展多年，对于产品的生产流程已经十分精炼与成熟。近年来，中小尺寸液晶显示器发展迅猛。而在制备过程中，除了必要的精密光学仪器曝光机，还需要使用到洗边的曝边机对基板进行洗边。通常对于特殊的金属层会需要使用到曝边机进行洗边，以去除基板边缘的金属层和光刻胶等；传统的TFT阵列的工艺流程包括洗净、成膜、退火、光刻、蚀刻、离子植入、去胶的循环流程，其中光刻工艺包括：基板清洗(Clean)、热板烘烤(HotPlate)、冷板冷却(CoolingPlate)、HMDS涂底(Priming)、光刻胶涂布(ResistCoating)、去除基板边缘光刻胶(EdgeRemover)、软烤(Pre-bake)、曝光(Exposure)、印制刻号(Titler)、边缘曝光(EdgeExposure)、显影(Development)、硬烤(HardBake)；其中，边缘曝光工艺即为将基板周边的光刻胶或金属层等残留物去除，以避免后续工艺污染。但是，曝边机由于受限于简单的工艺，曝边精度不高。
技术实现思路
本专利技术提供了一种基板边缘处理方法、掩膜版，以解决现有基板边缘曝光精度不高的技术问题。为实现上述方案，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术提供了一种基板边缘处理方法，其中，包括步骤：提供一待处理基板；利用第一装置在所述待处理基板上形成第一光阻层；在曝光机中利用第一掩膜版对所述第一光阻层进行曝光；利用第二装置对所述待处理基板进行边缘处理。根据本专利技术一优选实施例，在所述曝光机中利用所述第一掩膜版对所述第一光阻层进行曝光之前，还包括步骤：利用对准系统在所述第一掩膜版上进行标记。根据本专利技术一优选实施例，所述第一掩膜版上包括至少四个所述标记。根据本专利技术一优选实施例，对所述待处理基板进行洗边处理的步骤包括：利用第二装置对所述待处理基板上的所述第一光阻层进行显影；利用第三装置对经过显影后的所述待处理基板进行蚀刻工艺。根据本专利技术一优选实施例，所述掩膜版包括透光区域和遮光区域，所述遮光区域的面积小于所述第一光阻层的面积。根据本专利技术一优选实施例，所述遮光区域为规则的长方形。根据本专利技术一优选实施例，每一所述遮光区域的边界与每一所述第一光阻区域的边界的间距为9.5mm～10.5mm。本专利技术还提出了一种掩膜版，其中，所述掩膜版应用于上述基板边缘处理方法。根据本专利技术一优选实施例，所述掩膜版包括透光区域和遮光区域，所述遮光区域的面积小于待处理基板上第一光阻层的面积。根据本专利技术一优选实施例，所述遮光区域为规则的长方形，每一所述遮光区域的边界与每一所述第一光阻区域的边界的间距为9.5mm～10.5mm。本专利技术的有益效果：本专利技术通过利用曝光机对完成一道光罩制程工艺的待处理基板进行边缘曝光工艺，提高了待处理基板的洗边精度；本专利技术还省去了曝边机的使用，节省了机台的成本，缩短制程时间，提高了制程效率。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术优选实施例一种显示面板的制作方法步骤示意图；图2为本专利技术优选实施例一种基板边缘处理方法中掩膜版与待处理基板位置摆放图；图3为本专利技术优选实施例一种掩膜版的结构图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。图1所示为本专利技术优实施例基板边缘处理方法的步骤示意图，其中，所述基板边缘处理方法包括：步骤S10、提供一待处理基板；本步骤中所提供的所述待处理基板102为经过一道光罩制程工艺后的待处理基板102，所述光罩制程工艺可以是完成栅极层、源漏极或其他金属层等膜层的制备；所述待处理基板102周边会残留光刻胶或金属层等残留物，未避免后续工艺污染，因此需要进行洗边处理。步骤S20、利用第一装置在所述待处理基板上形成第一光阻层；本专利技术主要利用曝光机对所述待处理基板102进行边缘处理，而曝光机主要是利用灯光发出UVA波长的紫外线，将胶片或其他透明体上的图像信息转移到涂有感光物质的表面上的机器设备；因此，在使用曝光机之前，所述待处理基板102需要在第一装置中涂覆一第一光阻，形成第一光阻层，优选的，所述第一装置为光阻涂布机；另外，传统的洗边方式利用曝边机对基板进行洗边处理，传统的曝边机不要使用掩膜版，直接采用已有工装对待处理基板102进行洗边处理；传统的曝边机的精度只能到达0.5mm左右，而采用曝光机进行边缘曝光工艺的精度能达到微米级别；因此，相比现有技术，本专利技术在曝光机中增加了一第一掩膜版101，所述第一掩膜版101仅对待处理基板102进行边缘曝光处理。步骤S30、利用对准系统在所述第一掩膜版上进行标记；曝光机(未画出)主要由照明系统、对准系统、掩膜版载台、玻璃基板载台和光学系统组成，本步骤主要是利用所述曝光机中的对准系统对第一掩膜版101进行对位标记103；在本专利技术优选实施例中，所述掩膜版包括透光区域106和遮光区域104，所述第一掩膜版101的透光区域106包括至少四个所述标记103，如图2所示，为了保证所述第一掩膜版101更加精确的对位，所述第一掩膜版101的透光区域106包括21个所述标记103。步骤S40、在曝光机中利用第一掩膜版对所述第一光阻层进行曝光；本步骤主要在曝光机中，利用所述第一掩膜版101对所述待处理基板102上的第一光阻层进行边缘曝光；如图2所示，所述第一掩膜版101中遮光区域104的面积小于所述待处理基板102上所涂布的第一光阻层的面积；其中，所述遮光区域至所述待处理基板102的外围区域105为本步骤中需要进行处理的区域；优选的，所述第一掩膜版101以及所述第一掩膜版101的遮光区域均为规则的形状，比如长方形或者正方形等；另外，所述遮光区域的每一边界与所述第一光阻层的每一边界的间距为10±0.5mm，即大致范围为9.5mm～10.5mm。步骤S50、利用第二装置对所述待处理基板进行洗边处理。本步骤主要为对经过曝光的待处理基板102进行后续的显影以及蚀刻工艺；首先，利用第二装置对所述待处理基板102上的所述第一光阻层进行显影，一般利用显影剂将经过曝光部分的第一光阻清洗掉，即只剩下未曝光的第一光阻，然后用去离子水将已经溶解的第一光阻冲走；而显影之后对所述待处理基板102进行加热烘烤，让未曝光的第一光阻更加坚固的依附在所述待处理基板102上；其次，还本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板边缘处理方法，其特征在于，包括步骤：提供一待处理基板；利用第一装置在所述待处理基板上形成第一光阻层；在曝光机中利用第一掩膜版对所述第一光阻层进行曝光；利用第二装置对所述待处理基板进行边缘处理。

【技术特征摘要】
1.一种基板边缘处理方法，其特征在于，包括步骤：提供一待处理基板；利用第一装置在所述待处理基板上形成第一光阻层；在曝光机中利用第一掩膜版对所述第一光阻层进行曝光；利用第二装置对所述待处理基板进行边缘处理。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述曝光机中利用所述第一掩膜版对所述第一光阻层进行曝光之前，还包括步骤：利用对准系统在所述第一掩膜版上进行标记。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第一掩膜版上包括至少四个所述标记。4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述待处理基板进行洗边处理的步骤包括：利用第二装置对所述待处理基板上的所述第一光阻层进行显影；利用第三装置对经过显影后的所述待处理基板进行蚀刻工艺。5.根据权利要求1所述的制作方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：王威，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42