一种弧形电极等离子体增强化学气相沉积装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种弧形电极等离子体化学气相沉积装置，能够避免板间电缆与电极的相对滑动，消除了划痕缺陷。该装置的放卷室、镀膜室、收卷室三个腔室相连，形成真空腔体，真空泵与所述真空腔体相连，形成抽气系统；卷绕机构与纠偏机构相连，圆形电极和弧形电极安装在镀膜室内，基底材料紧贴圆形电极表面并与圆形电极同步转动；送气单元、射频功率源与弧形电极相连，送气单元将工作气体送入圆形电极与弧形电极之间，在射频功率源的作用下，在圆形电极和弧形电极之间产生等离子体，基膜紧贴在圆形电极上，通过卷绕机构和纠偏机构控制基膜的运动，在基膜上沉积涂层。

An arc electrode plasma enhanced chemical vapor deposition device

The invention provides an arc electrode plasma chemical vapor deposition device, which can avoid the relative sliding between the cable and the electrode between the boards, and eliminates scratch defects. The reel room, the coating room and the reel room are connected to form a vacuum cavity. The vacuum pump is connected to the vacuum cavity and forms a pumping system. The winding mechanism is connected with the rectifying mechanism, and the circular electrode and arc electrode are installed in the coating room. The base material is closely attached to the surface of the circular electrode and is synchronously transferred with the circular electrode. The gas unit, the radio frequency power source and the arc electrode are connected. The gas unit sends the working gas to the circular electrode and the arc electrode. Under the function of the radio frequency power source, the plasma is produced between the circular electrode and the arc electrode. The base film is tightly attached to the circular electrode and passes through the winding mechanism and the rectifying mechanism to control the base film. A movement in which a coating is deposited on the basement membrane.

【技术实现步骤摘要】
一种弧形电极等离子体增强化学气相沉积装置
本专利技术涉及一种弧形电极等离子体化学气相沉积(PECVD)装置，属于表面工程
可利用本专利技术在多种基底材料上制备硅氧烷涂层，用于低轨道航天器表面材料的原子氧防护及民用产品的高阻隔涂层。
技术介绍
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术是利用等离子体辅助化学气相沉积(CVD)的方式之一，被广泛用于获取性能良好的低温薄膜。通常采用平行平板电极，在低压容器内的两极上加高频电压，产生射频放电形成等离子体，射频电源采用电容或电感耦合方式。工业应用上，通常需要较高沉积速率并保证大面积基片上的薄膜均匀性，薄膜的均匀性包括薄膜厚度的均匀分布和薄膜性能的均匀一致性。目前所应用的设备在镀制大面积薄膜时存在的主要问题是：1)射频电流在等离子体电极边缘分布的不均匀性造成等离子体电位和功率密度的分布不均匀。2)当等离子体或基片的尺寸远大于波长时，驻波效应引发等离子体的不均匀分布。3)由于等离子体的流动性和气体注入过程中以及电场分布的不均匀性，造成薄膜厚度和结构的非均匀性。4)连续镀膜过程中，平板电极容易对基底材料产生划伤。为了得到高质量的薄膜，依赖于多本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种弧形电极等离子体化学气相沉积装置，其特征在于，该装置由放卷室，卷绕机构，离子源，圆形电极，镀膜室，收卷室，纠偏机构，真空系统，弧形电极，送气单元，射频功率源组成；其中，放卷室、镀膜室、收卷室三个腔室相连，形成真空腔体，真空泵与所述真空腔体相连，形成抽气系统；卷绕机构与纠偏机构相连，圆形电极和弧形电极安装在镀膜室内，基底材料紧贴圆形电极表面并与圆形电极同步转动；送气单元将工作气体送入圆形电极与弧形电极之间，在射频功率源的作用下，在圆形电极和弧形电极之间产生等离子体，基膜紧贴在圆形电极上，通过卷绕机构和纠偏机构控制基膜的运动，在基膜上沉积涂层。

【技术特征摘要】
1.一种弧形电极等离子体化学气相沉积装置，其特征在于，该装置由放卷室，卷绕机构，离子源，圆形电极，镀膜室，收卷室，纠偏机构，真空系统，弧形电极，送气单元，射频功率源组成；其中，放卷室、镀膜室、收卷室三个腔室相连，形成真空腔体，真空泵与所述真空腔体相连，形成抽气系统；卷绕机构与纠偏机构相连，圆形电极和弧形电极安装在镀膜室内，基底材料紧贴圆形电极表面并与圆形电极同步转动；送气单元将工作气体送入圆形电极与弧形电极之间，在射频功率源的作用下，在圆形电极和弧形电极之间产生等离子体，基膜紧贴在圆形电极上，通过卷绕机构和纠偏机构控制基膜的运动，在基膜上沉积涂层。2.如权利要求1所述的一种弧形电极等离子体化学气相沉积装置，其特征在于，所述卷绕机构由放卷轴和收卷轴组成，实现基底材料的卷绕。3.如权利要求1或2所述的一种弧形电极等离子体化学气相沉积装置，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：李中华，周晖，何延春，王志民，郑军，马占吉，
申请(专利权)人：兰州空间技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：甘肃,62