一种用于去除晶片表面PR杂质的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种用于去除晶片表面PR杂质的装置，包括加热炉，所述加热炉的底部设有电磁加热单元，电磁加热单元的下方设有升降单元，加热炉的外部设有可转动的支撑架，支撑架的两端对称的设有用于放置碳化硅舟的可拆卸的工作台，工作台可固定在第一位置和第二位置。本实用新型专利技术摒弃了传统酸洗的方式，将装有待处理晶片的碳化硅舟放入加热炉中加热，通过高温将晶片表面附着的PE杂质融化去除，降低工人的劳动强度，改善了工人的劳动环境，同时也提高了工作效率。

A device for removing PR impurities on a wafer surface

The utility model discloses a device for removing PR impurities on a wafer surface, including a heating furnace, an electromagnetic heating unit at the bottom of the heating furnace, a lifting unit below the electromagnetic heating unit, a rotating support frame outside the heating furnace, and a symmetrical two end of the support frame for placing a silicon carbide boat. A detachable worktable that can be fixed in the first and second positions. The utility model abandoned the traditional pickling method, and heated the silicon carbide boat equipped with the chip to be heated in the heating furnace, melted the PE impurity attached to the wafer surface at high temperature, reduced the labor intensity of the workers, improved the working environment of the workers, and also improved the working efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种用于去除晶片表面PR杂质的装置
本技术涉及晶片表面的PR杂质清理设备
，具体的说是一种用于去除晶片表面PR杂质的装置。
技术介绍
PR，亦称为负光阻剂，是一种用在许多工业制程上的光敏材料。像是光刻技术，可以在材料表面刻上一个图案的披覆层。在生产GPP硅晶片整流器的工艺过程中，晶片扩散后，需要对晶片采用表面涂上PR，再用MASK定位照光，显影后用化学法腐蚀出小晶粒的沟槽后。一般采用化学的方式去除晶片表面的PR，使其成为干净的硅面时，才能进入下道工序，在沟槽中上玻璃粉，完成每粒晶粒的PN结保护。整流器的晶粒是面接触，一片晶片上可做几千颗晶粒，晶片上开出沟槽后，PR就失去作用了，必须清除。如果切割成的晶粒接触面带杂质，会严重影响整流器的导电性能。晶片表面PR清除的干净与否，是决定此晶片能否向下道工序传递的关键。现有技术中，通常是使用化学法去除PR，通过人工的方式将每篮晶片(一般为30片)放进旋转的硫酸锅中加热，让硅晶片表面的PR在热硫酸中溶解，取出晶片后冷却，然后再把晶片用纯水清洗干净。但是上述方式中存在诸多弊端，使用热硫酸将PR溶解，不仅对环保不利，容易造成环境污染，同时也会对工人的身体健康造成影响。
技术实现思路
根据以上现有技术的不足，本技术提出一种用于去除晶片表面PR杂质的装置，致力于解决前述
技术介绍
中存在的技术问题。本技术解决其技术问题采用以下技术方案来实现：一种用于去除晶片表面PR杂质的装置，包括加热炉，所述加热炉的底部设有电磁加热单元，电磁加热单元的下方设有升降单元，加热炉的外部设有可转动的支撑架，支撑架的两端对称的设有用于放置碳化硅舟的可拆卸的工作台，工作台可固定在第一位置和第二位置。作为本技术的进一步的改进，所述升降单元包括底板与支撑板，底板与支撑板之间设有用于驱动支撑板上升与下降的液压缸，液压缸安装在底板与支撑板的中心位置处，底板上表面设有第一支架，第一支架的一侧设有一个第一水平腰型孔，支撑板下表面设有第二支架，第二支架上设有一个与第一水平腰型孔位置相对应的等长的第二水平腰型孔，底板与支撑板之间还设有可升降的推拉连杆，推拉连杆同侧两端分别固定在第一支架与第二支架上，另一侧的两端可分别沿第一水平腰型孔和第二水平腰型孔移动。作为本技术的进一步的改进，所述工作台呈星型，工作台的中心与支撑架可拆卸的连接，工作台的每个触角的末端均设有托架。作为本技术的进一步的改进，所述工作台的触角的数量可以是三个、四个或者五个。作为本技术的进一步的改进，所述支撑架的中心处安装有第一斜齿轮，支撑架的外部设有电机，电机的输出轴上安装有第二斜齿轮，第一斜齿轮与第二斜齿轮相互捏合。作为本技术的进一步的改进，所述加热炉的侧壁包裹有保温罩，保温罩包括导热层与绝热层。本技术的有益效果是：本技术摒弃了传统酸洗的方式，将装有待处理晶片的碳化硅舟放入加热炉中加热，通过高温将晶片表面附着的PE杂质融化去除，降低工人的劳动强度，改善了工人的劳动环境，同时也提高了工作效率。附图说明下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。图1为本技术的具体实施方式的主视图；图2为本技术的具体实施方式的升降单元的局部详图。图中：1-加热炉，2-电磁加热单元，3-升降单元，31-支撑板，32-底板，33-推拉连杆，34-液压缸，35-第二支架，36-第一支架，4-支撑架，5-工作台，6-传送带，7-电机。具体实施方式下面通过对实施例的描述，本技术的具体实施方式如所涉及的各构件的形状、构造、各部分之间的相互位置及连接关系、各部分的作用及工作原理、制造工艺及操作使用方法等，作进一步详细的说明，以帮助本领域技术人员对本技术的专利技术构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解。如图1至图2所示，一种用于去除晶片表面PR杂质的装置，包括加热炉1，加热炉1可以用现有技术中已知并使用的材料制作，例如石英炉。加热炉1的底部设有电磁加热单元2，电磁加热单元2用于将加热炉1加热到一定的温度并保持。电磁加热单元2的下方设有升降单元3，升降单元3用于提升或者降低电磁加热单元2与加热炉1，使加热炉1能够固定在高位或者低位。加热炉1的外部设有可转动的支撑架4，支撑架4的两端对称的设有用于放置碳化硅舟的可拆卸的工作台5，工作台5可固定在第一位置和第二位置，当加热炉1处于低位时，第一位置处的工作台5位于加热炉1的上方，当加热炉1处于高位时，第一位置处的工作台5位于加热炉1内。第二位置的下方设有传送带6。作为本技术的进一步的改进，加热炉1的侧壁包裹有保温罩，保温罩包括导热层与绝热层，导热层采用导热性能良好的金属材料制作，绝热层使用耐火材料制作，导热层与加热炉1的侧壁直接接触，能够将加热炉1底部的热量传导到侧壁上，使侧壁受热均匀，进而促使加热炉1内温度均匀，绝热层包裹在导热层的外部，用于降低热量的丢失，提高热量的利用效率。作为本技术的进一步的改进，升降单元3包括底板32与支撑板31，底板32与支撑板31之间设有用于驱动支撑板31上升与下降的液压缸34，液压缸34安装在底板32与支撑板31的中心位置处，底板32上表面设有第一支架36，第一支架36的一侧设有一个第一水平腰型孔，支撑板31下表面设有第二支架35，第二支架35上设有一个与第一水平腰型孔位置相对应的等长的第二水平腰型孔，底板32与支撑板31之间还设有可升降的推拉连杆33，推拉连杆33同侧两端分别固定在第一支架36与第二支架35上，另一侧的两端可分别沿第一水平腰型孔和第二水平腰型孔移动。通过液压缸34与推拉连杆33相配合的设计，能够使升降单元3实现稳定的上升与下降，防止产生较大的震动。作为本技术的进一步的改进，工作台5呈星型，工作台5的中心与支撑架4可拆卸的连接，工作台5的每个触角的末端均设有用于放置碳化硅舟的托架，根据需要，工作台5的触角的数量可以是三个、四个、五个甚至更多，能够批量处理晶片，处理能力是传统方式的数倍。支撑架4的中心处安装有第一斜齿轮，支撑架4的外部设有电机7，电机7的输出轴上安装有第二斜齿轮，第一斜齿轮与第二斜齿轮相互捏合。本技术的工作原理是：将装有待处理的晶片的碳化硅舟放在托架上，然后将工作台5安装到支撑架4上，启动电机7，使处于第二位置的工作台5旋转到第一位置，然后液压缸34启动，液压缸34推动升降单元3上升，使处于第一位置的工作台5进入加热炉1内，启动电磁加热单元2对加热炉1进行加热，使加热炉1内的温度保持在650～680℃，保温40分钟，使PE杂质融化去除。保温完成后启动液压缸34使升降单元3下降，将处于第一位置的工作台5离开加热炉1，启动电机7，使处于第一位置的工作台5旋转到第二位置，将工作台5拆下，放入传送带6上，运往他处进行自然冷却，同时处于第二位置的工作台5旋转到第一位置，重复上述加热过程。本技术摒弃了传统酸洗的方式，将装有待处理晶片的碳化硅舟放入加热炉1中加热，通过高温将晶片表面附着的PE杂质融化去除，另外在加热炉1的底部设计了升降单元3及加热炉1的外部设有可转动的支撑架4，能够便捷的将碳化硅舟从加热炉1中放入或取出，降低工人的劳动强度，改善了工人的劳动环境，同时也提高了工作效率。上面对本技术进行了示例性描本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于去除晶片表面PR杂质的装置，其特征在于：包括加热炉，所述加热炉的底部设有电磁加热单元，电磁加热单元的下方设有升降单元，加热炉的外部设有可转动的支撑架，支撑架的两端对称的设有用于放置碳化硅舟的可拆卸的工作台，工作台可固定在第一位置和第二位置。

【技术特征摘要】
1.一种用于去除晶片表面PR杂质的装置，其特征在于：包括加热炉，所述加热炉的底部设有电磁加热单元，电磁加热单元的下方设有升降单元，加热炉的外部设有可转动的支撑架，支撑架的两端对称的设有用于放置碳化硅舟的可拆卸的工作台，工作台可固定在第一位置和第二位置。2.根据权利要求1所述的用于去除晶片表面PR杂质的装置，其特征在于：所述升降单元包括底板与支撑板，底板与支撑板之间设有用于驱动支撑板上升与下降的液压缸，液压缸安装在底板与支撑板的中心位置处，底板上表面设有第一支架，第一支架的一侧设有一个第一水平腰型孔，支撑板下表面设有第二支架，第二支架上设有一个与第一水平腰型孔位置相对应的等长的第二水平腰型孔，底板与支撑板之间还设有可升降的推拉连杆，推拉连杆同侧两端分别固定...

【专利技术属性】
技术研发人员：程崑岚，
申请(专利权)人：固镒电子芜湖有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34