一种防静电电路和移动终端制造技术

本实用新型专利技术提供了一种防静电电路和移动终端。所述防静电电路包括信号输入端、第一晶体管、第二晶体管、第一静电释放端和第二静电释放端；所述信号输入端分别连接所述第一晶体管的栅极、所述第一晶体管的第一极和所述第二晶体管的第二极；所述第一晶体管的第二极连接所述第一静电释放端，以使所述第一晶体管在所述信号输入端的输入电压大于第一设定阈值时，释放静电电流；所述第二晶体管的栅极分别连接所述第二晶体管的第一极和所述第二静电释放端，以使所述第二晶体管在所述信号输入端的输入电压大于第二设定阈值时，释放静电电流。本实用新型专利技术中的防静电电路节省空间，便于设计；同时制程简单，节省成本，能避免静电释放影响显示面板的正常工作。

An antistatic circuit and mobile terminal

The utility model provides an anti-static circuit and a mobile terminal. The antistatic circuit includes a signal input terminal, a first transistor, a second transistor, a first electrostatic release end, and a second electrostatic release end, which are respectively connected to the gate of the first transistor, the first pole of the first transistor and the second pole of the second transistor, and second of the first transistor. The first electrostatic release end is connected to the first transistor to release an electrostatic current when the input voltage of the signal input end is greater than the first setting threshold, and the gate of the second transistor is connected to the first pole of the second transistor and the second electrostatic release end, so that the second transistors are in the place. When the input voltage of the signal input terminal is greater than second set threshold, the electrostatic current is released. The anti static circuit of the utility model saves space and is convenient for design; at the same time, it has simple process and saves cost, and can avoid the normal work of the display panel with electrostatic release.

【技术实现步骤摘要】
一种防静电电路和移动终端
本技术涉及移动终端
，特别是涉及一种防静电电路和移动终端。
技术介绍
目前移动终端的LCD(LiquidCrystalDisplay，液晶显示)模组主要包括显示面板、驱动芯片、柔性电路板等部件。移动终端主机的信号通过柔性电路板输入至驱动芯片，通过驱动芯片控制显示面板的显示。驱动芯片对于某些驱动信号的稳定性要求非常高，例如，复位信号RESET波动会导致显示面板出现复位异常的现象。因此，在复位信号RESET输入驱动芯片前，通常需要外接一个二极管或者TVS(TransientVoltageSuppressor，瞬变电压抑制二极管)作为防ESD(Electro-Staticdischarge，静电释放)的保护器件，以避免静电释放对显示面板的显示造成影响。二极管和TVS管占用了柔性电路板的部分空间，并且给移动终端的空间设计带来了很大的难题。同时，由于增加了二极管和TVS管以及焊接保护器件的工艺，也增加了移动终端的成本。
技术实现思路
本技术实施例提供一种防静电电路和移动终端，以解决现有技术中的防静电释放的保护器件占用空间的问题。为了解决上述问题，本技术提供了一种防静电电路，所述防静电电路包括信号输入端、第一晶体管、第二晶体管、第一静电释放端和第二静电释放端；所述信号输入端分别连接所述第一晶体管的栅极、所述第一晶体管的第一极和所述第二晶体管的第二极；所述第一晶体管的第二极连接所述第一静电释放端，以使所述第一晶体管在所述信号输入端的输入电压大于第一设定阈值时，释放静电电流；所述第二晶体管的栅极分别连接所述第二晶体管的第一极和所述第二静电释放端，以使所述第二晶体管在所述信号输入端的输入电压大于第二设定阈值时，释放静电电流。本技术还提供了一种移动终端，所述移动终端包括驱动芯片、柔性电路板以及上述的防静电电路；所述防静电电路的信号输入端分别连接所述柔性电路板的信号输出端和所述驱动芯片的信号输入端，使得所述柔性电路板的信号输出端输出静电电流时，所述静电电流从所述防静电电路释放。与现有技术相比，本技术实施例包括以下优点：本技术中的防静电电路包括第一晶体管和第二晶体管，晶体管占用的空间小，节省空间，便于设计；同时制程简单，节省成本。采用本技术的防静电电路，可以避免静电释放影响驱动芯片的输入信号的稳定性，从而保证了显示面板的正常工作。附图说明图1示出了本技术的一种防静电电路的结构示意图之一；图2示出了本技术的一种防静电电路的结构示意图之二；图3示出了本技术的一种移动终端的结构示意图。具体实施方式为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。详细介绍了本技术提供的一种防静电电路。参照图1所示的本技术提供的一种防静电电路的结构示意图，所述防静电电路10包括信号输入端101、第一晶体管102、第二晶体管103、第一静电释放端104和第二静电释放端105；所述信号输入端101分别连接所述第一晶体管102的栅极、所述第一晶体管102的第一极和所述第二晶体管103的第二极；所述第一晶体管102的第二极连接所述第一静电释放端104，以使所述第一晶体管102在所述信号输入端101的输入电压大于第一设定阈值时，释放静电电流；所述第二晶体管103的栅极分别连接所述第二晶体管103的第一极和所述第二静电释放端105，以使所述第二晶体管103在所述信号输入端101的输入电压大于第二设定阈值时，释放静电电流。本实施例中，采用第一晶体管102和第二晶体管103作为防静电的保护器件，第一晶体管102的栅极和第一极相连形成一个二极管，第二晶体管103的栅极和第一极相连也形成一个二极管。信号输入端101连接第一晶体管102的栅极、第一极以及第二晶体管103的第二极。第一静电释放端104连接第一晶体管102的第二极，第二静电释放端105连接第二晶体管103的第一极。当有静电产生时，会在信号输入端101产生较大的输入电压，如果输入电压大于第一设定阈值，则第一晶体管102形成的二极管导通，静电电流从第一晶体管102流向第一静电释放端104；如果输入电压大于第二设定阈值，则第二晶体管103形成的二极管导通，静电电流从第二晶体管103流向第二静电释放端105。本技术对此不作详细限定，可以根据实际情况进行设置。可选地，所述第一晶体管102和第二晶体管103均为TFT管或MOS管。本实施例中，第一晶体管102和第二晶体管103可以均为TFT管，如图1所示的防静电电路中的NTFT管，或者如图2所示的防静电电路中的PTFT管。还可以均为NMOS管，或者均为PMOS管。本技术对此不作详细限定，可以根据实际情况进行选取。其中，第一设定阈值和第二设定阈值可以根据晶体管为N型或P型进行设置。可选地，所述第一极为源极，第二极为漏极；或第一极为漏极，第二极为源极。本实施例中，当第一晶体管102和第二晶体管103均为N型晶体管时，第一晶体管102的第一极为源极，第二极为漏极，第二晶体管103的第一极为源极，第二极为漏极，见图1所示。当第一晶体管102和第二晶体管103均为P型晶体管时，第一晶体管102的第一极为漏极，第二极为源极，第二晶体管103的第一极为漏极，第二极为源极，见图2所示。可选地，形成所述第一极和第二极的膜层材料为重掺杂多晶硅。可选地，所述N型重掺杂多晶硅的方块电阻为100Ω/□-1000Ω/□；所述P型重掺杂多晶硅的方块电阻为500Ω/□-50000Ω/□。本实施例中，第一晶体管102和第二晶体管103的第一极和第二极均可以是采用低温掺杂方式制备的重掺杂多晶硅，N型重掺杂多晶硅的方块电阻为100Ω/□-1000Ω/□，P型重掺杂多晶硅的方块电阻为500Ω/□-50000Ω/□。本技术对方块电阻的值不作详细限定，可以根据实际情况进行设置。采用低温多晶硅技术制备的晶体管漏流降低，从而降低了移动终端的功耗。可选地，所述第一静电释放端104为低电平端，所述第二静电释放端105为高电平端；或所述第一静电释放端104为高电平端，所述第二静电释放端105为低电平端。本实施例中，当第一晶体管102和第二晶体管103均为N型晶体管时，第一静电释放端104为低电平端，第二静电释放端105为高电平端。当第一晶体管102和第二晶体管103均为P型晶体管时，第一静电释放端104为高电平端，第二静电释放端105为低电平端。其中，低电平端的电压可以是-7V至-15V，高电平端的电压可以是7V-15V。本技术对低电平端和高电平端的电压不作详细限定，可以根据实际情况进行设置。综上所述，本技术实施例中，防静电电路包括第一晶体管和第二晶体管，晶体管占用的空间小，节省空间，便于设计；同时制程简单，节省成本；并且晶体管采用低温多晶硅技术制备，降低了晶体管的漏流降低，从而降低了移动终端的功耗。采用本技术的防静电电路，可以避免静电释放影响驱动芯片的输入信号的稳定性，从而保证了显示面板的正常工作。参照图3所示的本技术提供的一种移动终端的结构示意图。所述移动终端包括驱动芯片20、柔性电路板30以及上述的防静电电路10；所述防静电电路10的信号本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防静电电路，其特征在于，所述防静电电路包括信号输入端、第一晶体管、第二晶体管、第一静电释放端和第二静电释放端；所述信号输入端分别连接所述第一晶体管的栅极、所述第一晶体管的第一极和所述第二晶体管的第二极；所述第一晶体管的第二极连接所述第一静电释放端，以使所述第一晶体管在所述信号输入端的输入电压大于第一设定阈值时，释放静电电流；所述第二晶体管的栅极分别连接所述第二晶体管的第一极和所述第二静电释放端，以使所述第二晶体管在所述信号输入端的输入电压大于第二设定阈值时，释放静电电流。

【技术特征摘要】
1.一种防静电电路，其特征在于，所述防静电电路包括信号输入端、第一晶体管、第二晶体管、第一静电释放端和第二静电释放端；所述信号输入端分别连接所述第一晶体管的栅极、所述第一晶体管的第一极和所述第二晶体管的第二极；所述第一晶体管的第二极连接所述第一静电释放端，以使所述第一晶体管在所述信号输入端的输入电压大于第一设定阈值时，释放静电电流；所述第二晶体管的栅极分别连接所述第二晶体管的第一极和所述第二静电释放端，以使所述第二晶体管在所述信号输入端的输入电压大于第二设定阈值时，释放静电电流。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一晶体管和第二晶体管均为TFT管或MOS管。3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一极为源极，第二极为漏极；或第一极为漏极，第二极为源极。4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，形成所述第一极和所述第二极的膜层材...

【专利技术属性】
技术研发人员：文亮，
申请(专利权)人：维沃移动通信有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44