一种硅片清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种硅片清洗方法，包括以下步骤：（1）、预清洗；（2）、药液清洗、纯水漂洗、化学液清洗、纯水漂洗；（3）、将硅片放入装有浓度为1‑5%的柠檬酸溶液的超声波清洗机中清洗；（4）、放入装有去离子水的超声波清洗机中清洗；（5）、放入烘箱进行干燥。本发明专利技术提供一种硅片清洗方法，以解决现有硅片采用浸泡、喷淋的清洗方式，清洗效果差、清洗不够彻底，影响成品率及产品质量的问题。

A method of silicon wafer cleaning

The invention discloses a method for cleaning silicon chips, which includes the following steps: (1), pre cleaning; (2), liquid cleaning, pure water rinsing, chemical liquid cleaning, pure water rinsing; (3) cleaning the silicon tablet in a supersonic cleaning machine with a concentration of 1 citric acid with a concentration of 5%, and (4), put in the super ionized water. Cleaning in the sonic cleaning machine; (5), drying in the oven. The invention provides a method for cleaning silicon wafers to solve the problem that the existing silicon wafer is soaked and sprinkled, the cleaning effect is poor, the cleaning is not enough, the product rate and the quality of the product are affected.

【技术实现步骤摘要】
一种硅片清洗方法
本专利技术涉及光伏
，尤其涉及一种硅片清洗方法。
技术介绍
超声波清洗由于其清洗效率高、能够节约药液等特点在在湿法工艺中得到了广泛的应用。超声波在湿法清洗工艺中的原理，主要是高频振荡信号通过换能器转换成高频机械振荡而传播到清洗药液中，声波在液体中是以正弦曲线纵向传播，强弱相间，弱的声波会对液体产生一定的负压，使得液体体积增加，液体中的分子空隙增大，形成许多微小的气泡，而当强的声波信号作用于液体时，则会对液体产生一定的正压，即液体体积被压缩减小，当液体中气泡的破裂会产生能量极大的冲击波，从而起到清洗的作用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种硅片清洗方法，以解决现有硅片采用浸泡、喷淋的清洗方式，清洗效果差、清洗不够彻底，影响成品率及产品质量的问题。本专利技术的技术方案：一种硅片清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）、预清洗，将硅片上的污染物软化、分离、溶解；（2）、药液清洗一次，将硅片表面的油污清洗干净；之后进行第一次纯水漂洗四次，清洗温度为30-40℃，清除硅片上的药液；随后化学液清洗两次，将有机物分解去除；之后再进行第二次纯水漂洗四次，清洗温度为25-35℃，去除硅片表面的化学液和泡沫；（3）、将硅片放入装有浓度为1-5%的柠檬酸溶液的超声波清洗机中清洗；（4）、将上述清洗后的硅片放入装有去离子水的超声波清洗机中清洗，所述超声波清洗机采用多重频率，该多重频率超声波选自低频20KHz-1MHz、中频1MHz-2MHz和高频2MHz-3MHz中的至少两种频率，超声清洗共分三段，第一时间段为0-30秒，第二时间段为31-50秒，第三时间段为51-60秒，每个清洗时间段均同时以两种频率的超声波进行清洗；（5）、将上述清洗后的硅片放入烘箱进行干燥。前述的一种硅片清洗方法，其特征在于，所述化学液包括浓度为10％-20％氢氧化钾溶液和15％-16％过氧化氢溶液的混合液。前述的一种硅片清洗方法，其特征在于，所述步骤（2）中，第一次纯水漂洗四次，清洗温度为40℃，第二次纯水漂洗四次，清洗温度为30℃。本专利技术的有益效果：能够有效的去除附着在硅片表面的杂质，确保硅片表面的清洁度，从而大大提高了成品率，有效保证了产品的质量。具体实施方式下面实施例对本专利技术作进一步的说明，但并不作为对本专利技术限制的依据。实施例：一种硅片清洗方法，包括以下步骤：（1）、预清洗，将硅片上的污染物软化、分离、溶解；（2）、药液清洗一次，将硅片表面的油污清洗干净；之后进行第一次纯水漂洗四次，清洗温度为30-40℃，清除硅片上的药液；随后化学液清洗两次，将有机物分解去除；之后再进行第二次纯水漂洗四次，清洗温度为25-35℃，去除硅片表面的化学液和泡沫；（3）、将硅片放入装有浓度为1-5%的柠檬酸溶液的超声波清洗机中清洗；（4）、将上述清洗后的硅片放入装有去离子水的超声波清洗机中清洗，所述超声波清洗机采用多重频率，该多重频率超声波选自低频20KHz-1MHz、中频1MHz-2MHz和高频2MHz-3MHz中的至少两种频率，超声清洗共分三段，第一时间段为0-30秒，第二时间段为31-50秒，第三时间段为51-60秒，每个清洗时间段均同时以两种频率的超声波进行清洗；（5）、将上述清洗后的硅片放入烘箱进行干燥。所述化学液包括浓度为10％-20％氢氧化钾溶液和15％-16％过氧化氢溶液的混合液。所述步骤（2）中，第一次纯水漂洗四次，清洗温度为40℃，第二次纯水漂洗四次，清洗温度为30℃。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）、预清洗，将硅片上的污染物软化、分离、溶解；（2）、药液清洗一次，将硅片表面的油污清洗干净；之后进行第一次纯水漂洗四次，清洗温度为30‑40℃，清除硅片上的药液；随后化学液清洗两次，将有机物分解去除；之后再进行第二次纯水漂洗四次，清洗温度为25‑35℃，去除硅片表面的化学液和泡沫；（3）、将硅片放入装有浓度为1‑5%的柠檬酸溶液的超声波清洗机中清洗；（4）、将上述清洗后的硅片放入装有去离子水的超声波清洗机中清洗，所述超声波清洗机采用多重频率，该多重频率超声波选自低频20KHz‑1MHz、中频1MHz‑2MHz和高频2MHz‑3MHz中的至少两种频率，超声清洗共分三段，第一时间段为0‑30秒，第二时间段为31‑50秒，第三时间段为51‑60秒，每个清洗时间段均同时以两种频率的超声波进行清洗；（5）、将上述清洗后的硅片放入烘箱进行干燥。

【技术特征摘要】
1.一种硅片清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）、预清洗，将硅片上的污染物软化、分离、溶解；（2）、药液清洗一次，将硅片表面的油污清洗干净；之后进行第一次纯水漂洗四次，清洗温度为30-40℃，清除硅片上的药液；随后化学液清洗两次，将有机物分解去除；之后再进行第二次纯水漂洗四次，清洗温度为25-35℃，去除硅片表面的化学液和泡沫；（3）、将硅片放入装有浓度为1-5%的柠檬酸溶液的超声波清洗机中清洗；（4）、将上述清洗后的硅片放入装有去离子水的超声波清洗机中清洗，所述超声波清洗机采用多重频率，该多重频率超声波选自低频20KHz-1M...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡汉涛，
申请(专利权)人：湖州五石科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33