一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板技术

本申请公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板，用以在源极和漏极刻蚀过程中避免有源层受损，提升薄膜晶体管的可靠性，提高薄膜晶体管的工作稳定性。本申请实施例提供的一种薄膜晶体管制备方法，包括在衬底上依次形成栅极的图案、栅绝缘层、有源层的图案的步骤，形成所述有源层的图案之后，该方法还包括：在所述有源层的图案之上形成刻蚀保护层的图案，在垂直于所述衬底方向上，所述刻蚀保护层的图案正投影覆盖部分所述有源层的图案的正投影；在所述刻蚀保护层的图案之上形成金属层，采用图形化工艺处理所述金属层形成源极、漏极的图案；去除所述刻蚀保护层的图案。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板
本申请涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板。
技术介绍
背沟道刻蚀型(Backchanneletching，BCE)结构的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)，其沟道尺寸定义精度高，容易实现器件尺寸的“小型化”，并且，BCE结构的TFT的制备工艺简单、采用的Mask数量少，其制作成本较低。但由于BCE结构的TFT的有源层(Active)和源极、漏极金属直接接触，而形成源极、漏极通常采用湿法刻蚀工艺，现有技术采用湿法刻蚀工艺形成源极、漏极的过程中容易使得Active受损，影响TFT的可靠性。
技术实现思路
本申请实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板，用以在源极和漏极刻蚀过程中避免有源层受损，提升薄膜晶体管的可靠性，提高薄膜晶体管的工作稳定性。本申请实施例提供的一种薄膜晶体管制备方法，包括在衬底上依次形成栅极的图案、栅绝缘层、有源层的图案的步骤，形成所述有源层的图案之后，该方法还包括：在所述有源层的图案之上形成刻蚀保护层的图案，在垂直于所述衬底方向上，所述刻蚀保护层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管制备方法，包括在衬底上依次形成栅极的图案、栅绝缘层、有源层的图案的步骤，其特征在于，形成所述有源层的图案之后，该方法还包括：在所述有源层的图案之上形成刻蚀保护层的图案，在垂直于所述衬底方向上，所述刻蚀保护层的图案正投影覆盖部分所述有源层的图案的正投影；在所述刻蚀保护层的图案之上形成金属层，采用图形化工艺处理所述金属层形成源极、漏极的图案；去除所述刻蚀保护层的图案。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管制备方法，包括在衬底上依次形成栅极的图案、栅绝缘层、有源层的图案的步骤，其特征在于，形成所述有源层的图案之后，该方法还包括：在所述有源层的图案之上形成刻蚀保护层的图案，在垂直于所述衬底方向上，所述刻蚀保护层的图案正投影覆盖部分所述有源层的图案的正投影；在所述刻蚀保护层的图案之上形成金属层，采用图形化工艺处理所述金属层形成源极、漏极的图案；去除所述刻蚀保护层的图案。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀保护层为有机膜，在所述有源层的图案之上形成刻蚀保护层的图案具体包括：在所述有源层之上涂布有机材料形成有机膜，对有机膜进行曝光、显影工艺，形成所述刻蚀保护层的图案。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，去除所述刻蚀保护层...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄勇潮，程磊磊，成军，周斌，赵策，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11