【技术实现步骤摘要】
一种基于新型空穴传输层的光电探测器及其制备方法
本专利技术属于光电探测
，具体为一种基于新型空穴传输层的光电探测器及其制备方法。
技术介绍
光电探测器具有将光信号转变为电信号的功能，是支撑光信息
的基本器件，在光通信、传感、安全以及生物传感等领域有着广泛的应用。目前商品化的光电探测器主要是基于Si，GaN，InGaAs等无机半导体材料。这类探测器在响应速度、灵敏度以及稳定性方面均具有很好的性能。但与此同时，基于Si，GaN，InGaAs的光电探测器制备工艺复杂、成本高。因此，开发性能良好，且低成本的光电探测器对光信息领域的发展有着重要意义。有机光电探测器由于具有柔性、廉价和易于集成等众多优点，它在消费类电子产品、家用器具、智能建筑照明、工业、生产安全、卫生保健和生命科学、环境、玩具和教育等领域将有广泛的应用。但是目前报道的有机光电探测器在响应范围的响应度都较低，特别是其寿命与无机探测器相比有较大差距。所以提供一种新的响应度高寿命长的光电探测器成为我们要解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种高响应度的宽光谱响应光电探测器，以解决上述
技术介绍
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【技术保护点】
1.一种基于新型空穴传输层的光电探测器，包括透明导电基底层(1)、新型空穴传输层(2)、探测光敏层(3)、电子传输层(4)和反射电极层(5)，其特征在于：所述新型空穴传输层(2)为四层结构，包括第一介质层(201)、第二介质层(202)、第三纳米金属层(203)和第四介质层(204)，且所述第一介质层(201)层叠在透明导电基底层(1)之上，所述第二介质层(202)层叠在第一介质层(201)之上，所述第三纳米金属层(203)层叠在第二介质层(202)之上，所述第四介质层(204)层叠在第三纳米金属层(203)之上，所述的第一介质层(201)为原子层沉积技术生长的Al2O3，...
【技术特征摘要】
1.一种基于新型空穴传输层的光电探测器，包括透明导电基底层(1)、新型空穴传输层(2)、探测光敏层(3)、电子传输层(4)和反射电极层(5)，其特征在于：所述新型空穴传输层(2)为四层结构，包括第一介质层(201)、第二介质层(202)、第三纳米金属层(203)和第四介质层(204)，且所述第一介质层(201)层叠在透明导电基底层(1)之上，所述第二介质层(202)层叠在第一介质层(201)之上，所述第三纳米金属层(203)层叠在第二介质层(202)之上，所述第四介质层(204)层叠在第三纳米金属层(203)之上，所述的第一介质层(201)为原子层沉积技术生长的Al2O3，Al2O3厚度为2nm，所述的第二介质层(202)为CH3NH3PbI3，CH3NH3PbI3的厚度为10-50nm，所述的第三纳米金属层(203)为金属铜的纳米颗粒，所述的第三纳米金属层(203)的名义厚度为2nm，金属铜的纳米颗粒的粒径在10-20nm，所述第四介质层(204)为PEDOT:PSS与NPB的复合材料制备而成，其中PEDOT:PSS与NPB的摩尔比为5：(1-2)，所述第四介质层(204)的厚度为30-50nm。2.根据权利要求1所述的一种基于新型空穴传输层的光电探测器，其特征在于：所述透明导电基底层(1)包括第一玻璃基底以及沉积在第一玻璃基底之上的氧化铟锡构成，所述的第一玻璃基底的厚度0.5-7mm，所述氧化铟锡的厚度为100-300nm，所述透明导电基底层(1)的可见光透过率大于80％，方块电阻小于10欧姆。。3.根据权利要求1所述的一种基于新型空穴传输层的光电探测器，其特征在于：所述的探测光敏层(3)为PIN型结构，包括第一P型层,第一I型层和第一N型层，所述第一P型层为空穴传输型有机材料，且空穴传输型有机材料的禁带宽度大于2eV，所述第一P型层的厚度为20-50nm，所述第一N型层为电子传输型有机材料，且电子传输型有机材料的禁带宽度大于2.4eV，所述第一N型层的厚度为20-50nm，所述的第一I型层为三元复合结构，包括摩尔比为0.5：0.5：0.5的第一P...
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