深沟槽外延填充方法技术

本发明专利技术公开了一种深沟槽外延填充方法，在对深沟槽进行外延填充时，在晶圆边缘的留边区域，同样刻蚀与晶圆中心区域相同的深沟槽，所述的留边区域，是在晶圆边缘留出的，具有一定宽度的不制作任何器件及结构的空白区域。本发明专利技术所述的深沟槽外延填充方法，通过在晶圆留边区域设置与中心区域相同的深沟槽，协助消耗晶圆边缘的反应气体，降低边缘区域的填充速率，使晶圆获得较好的面内填充均一性。

【技术实现步骤摘要】
深沟槽外延填充方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是指一种超级结器件工艺中的深沟槽外延填充方法。
技术介绍
在超级结项目中，四代工艺在三代基础上，深沟槽由原来的88.6度优化至90度，pitch(原胞尺寸)由原来的4:5缩小至2:3，沟槽CD面内范围也明显减小，器件性能因此得到显著提升。但另一方面，沟槽形貌及尺寸的优化将在很大程度上增加了外延填充的难度。由于受loadingeffect(载入效应)及EPIchamber(外延工艺腔)结构的影响，晶圆边缘到EE5mm范围内的沟槽填充速率快，中间位置较慢，从而导致边缘位置沟槽填满，而中间位置仍存在较深“V”型口，面内均一性不好。如图1所示。沟槽形貌优化后，该问题表现得更加明显，边缘与中间位置沟槽填充速率的差异更大。若单纯增加填充时间，可将中间位置沟槽填满，但边缘由于硅生长过厚会产生缺陷，而外延缺陷会直接影响器件性能，图2中所示，上面两图是在保证边缘位置刚好填充满时中心区域的沟槽还未填满，存在V型口(图2上左)，而在保证中心区域的沟槽完全填满时，边缘区域的深沟槽填充过厚并引起一些缺陷(图2下右)。在原来的沟槽刻蚀过程中，光刻和刻蚀均会留本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种深沟槽外延填充方法，其特征在于：在对深沟槽进行外延填充时，在晶圆边缘的留边区域，同样刻蚀与晶圆中心区域器件相同的深沟槽。

【技术特征摘要】
1.一种深沟槽外延填充方法，其特征在于：在对深沟槽进行外延填充时，在晶圆边缘的留边区域，同样刻蚀与晶圆中心区域器件相同的深沟槽。2.如权利要求1所述的深沟槽外延填充方法，其特征在于：所述的留边区域，是在晶圆边缘留出的，具有一定宽度的空白区域。3.如权利要求2所述的深沟槽外延填充方法，其特征在于：所述的留边区域，不形成任何器件。4.如权利要求1所述的深沟槽外延填充...

【专利技术属性】
技术研发人员：伍洲，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31