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本发明公开了一种深沟槽外延填充方法，在对深沟槽进行外延填充时，在晶圆边缘的留边区域，同样刻蚀与晶圆中心区域相同的深沟槽，所述的留边区域，是在晶圆边缘留出的，具有一定宽度的不制作任何器件及结构的空白区域。本发明所述的深沟槽外延填充方法，通过在...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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