形成非晶硅多层结构的方法技术

本发明专利技术公开一种形成非晶硅(Amorphous silicon)多层结构的方法，包含有以下步骤:首先，提供一基底材料层，接着形成一第一非晶硅层于该基底材料层上，该第一非晶硅层包含有氢原子位于其中，然后对该第一非晶硅层进行一紫外线固化步骤，以移除该第一非晶硅层中的氢原子，以及形成一第二非晶硅层于该第一非晶硅层上。

【技术实现步骤摘要】
形成非晶硅多层结构的方法
本专利技术涉及半导体领域，特别是涉及一种改善形成非晶硅多层结构过程中会产生气泡缺陷的方法。
技术介绍
非晶硅(Amorphoussilicon)是应用于各种电子元件，例如太阳能电池、薄膜晶体管、图像传感器或微机电系统等的主要材料。在制造该些电子元件过程中，通常在沉积或图案化薄膜之后，在一基板上进行沉积非晶硅薄膜的步骤。非晶硅薄膜通常通过化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition，CVD)，例如等离子体辅助化学气相沉积(plasma-enhancedCVD，PECVD)沉积。图1为一现有气泡缺陷产生的示意图。首先提供一含氮材料层10，例如为一氮化硅(Si3N4)或是一氮碳化硅(SiCN)材料层，接着进行一PECVD步骤P0，以沉积一非晶硅层12在含氮材料层10上。申请人发现，通过PECVD等方式，沉积非晶硅层12在含氮材料层10上时。由于PECVD的过程中将会使用SiH4气体进行沉积，而SiH4气体会与含氮材料层(例如SiCN)中的氮产生反应，并产生SiCN:H的键结，换句话说，部分的氢原子将会进入到含氮材料层10中。这些氢原子在沉积非晶硅的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成非晶硅(Amorphous silicon)多层结构的方法，包含有：提供一基底材料层；形成一第一非晶硅层于该基底材料层上，该第一非晶硅层包含有氢原子位于其中；对该第一非晶硅层进行一紫外线固化步骤，以移除该第一非晶硅层中的氢原子；以及形成一第二非晶硅层于该第一非晶硅层上。

【技术特征摘要】
1.一种形成非晶硅(Amorphoussilicon)多层结构的方法，包含有：提供一基底材料层；形成一第一非晶硅层于该基底材料层上，该第一非晶硅层包含有氢原子位于其中；对该第一非晶硅层进行一紫外线固化步骤，以移除该第一非晶硅层中的氢原子；以及形成一第二非晶硅层于该第一非晶硅层上。2.如权利要求1所述的方法，其中该第一非晶硅层的厚度小于300埃。3.如权利要求1所述的方法，还包含形成一掩模层于该第二非晶硅层上。4.如权利要求1所述的方法，其中该紫外线固化步骤为一同位(insitu)紫外线固化步骤。5.如权利要求1所述的方法，其中该紫外线固化步骤为一异位(exsitu)紫外线固化步骤。6.如权利要求1所述的方法，该基底材料层包含有氮化硅或...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈美玲，刘玮鑫，陈意维，张景翔，李瑞珉，张家隆，吴姿锦，邹世芳，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71