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本发明公开一种形成非晶硅(Amorphous silicon)多层结构的方法，包含有以下步骤:首先，提供一基底材料层，接着形成一第一非晶硅层于该基底材料层上，该第一非晶硅层包含有氢原子位于其中，然后对该第一非晶硅层进行一紫外线固化步骤，以移...该专利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。