晶片的清洗方法技术

本发明专利技术提供晶片的清洗方法，其能够抑制晶片上形成由臭氧水引起的高低差缺陷。本发明专利技术是在使晶片旋转的同时向该晶片的表面上供给清洗液的晶片的清洗方法，其特征在于，向前述晶片表面上，开始氢氟酸的供给，在停止前述氢氟酸的供给之前或者在停止的同时，开始纯水的供给，在停止前述氢氟酸的供给以后且停止前述纯水的供给之前，开始臭氧水的供给，设置向前述晶片表面上同时供给纯水和臭氧水的期间，其后停止前述纯水的供给，向前述晶片表面上仅供给臭氧水。

Cleaning method of wafer

The invention provides a wafer cleaning method, which can inhibit the formation of high and low difference defects caused by ozone water on the wafer. The present invention is a method of cleaning a wafer that supplies a cleaning liquid to the surface of the wafer while rotating the wafer. It is characterized by a supply of hydrofluoric acid on the surface of the wafer, and the supply of pure water before stopping the supply of the foregoing hydrofluoric acid or at a stop, and stopping the supply of the foregoing hydrofluoric acid. The supply of ozonate water is started and the supply of pure water and ozone water is provided on the surface of the wafer before the supply of the prior pure water is provided and the supply of pure water is stopped, and the surface of the wafer is supplied only with ozone water.

【技术实现步骤摘要】
晶片的清洗方法
本专利技术涉及晶片的清洗方法，特别涉及使用臭氧水、氢氟酸和纯水的晶片的单片式清洗方法。
技术介绍
以往，硅晶片等半导体晶片的清洗步骤中，通常使用臭氧水、氢氟酸，提出了例如反复进行臭氧水清洗和氢氟酸清洗来进行清洗从而去除颗粒的方法。这样的方法中，通过臭氧水清洗而在晶片表面上形成氧化膜，接着，通过氢氟酸清洗将氧化膜与晶片表面的颗粒等一同去除。但是，这样的方法中，在切换清洗液时，在晶片表面上臭氧水和氢氟酸共存，在晶片表面上同时发生通过臭氧水进行的氧化膜形成和通过氢氟酸进行的氧化膜去除(蚀刻)，由此存在表面粗糙度恶化的问题。此外，如果通过氢氟酸来去除氧化膜，则露出晶片裸面，但颗粒非常容易附着于该晶片裸面。因此，通过氢氟酸去除氧化膜后，再次使用臭氧水进行清洗时，在晶片外周部臭氧水因晶片裸面的拒水性而被弹开，臭氧水不会顺利地遍布，其结果是，存在在晶片外周部残留颗粒的问题。作为解决这些问题的技术，专利文献1中记载了晶片的清洗方法，在包括使用臭氧水的清洗步骤、和使用氢氟酸的清洗步骤的晶片的清洗方法中，通过在前述使用臭氧水的清洗步骤与前述使用氢氟酸的清洗步骤之间具有使用纯水的旋转清洗步骤，从而按照(1)使用臭氧水的清洗步骤、(2)使用纯水的旋转清洗步骤、(3)使用氢氟酸的清洗步骤的顺序进行清洗，或者按照(1)使用氢氟酸的清洗步骤、(2)使用纯水的旋转清洗步骤、(3)使用臭氧水的清洗步骤的顺序进行清洗，其特征在于，前述使用纯水的旋转清洗步骤中的纯水流量为1.2L/分钟以上，晶片的转速为1,000rpm以上。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015-220284号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的问题专利文献1中记载的技术中，通过避免臭氧水与氢氟酸的共存来抑制清洗后的晶片的表面粗糙度的恶化，此外，通过以特定的纯水流量和晶片转速进行纯水旋转清洗，从而使纯水遍布至晶片外周部，改善了清洗后的晶片外周部处的颗粒残留。然而，本专利技术人等意识到：在使晶片旋转的同时向该晶片的表面上供给清洗液的晶片的清洗方法(以下也简称为“旋转清洗”)中，在如以往那样的反复进行臭氧水清洗和氢氟酸清洗的方法、如专利文献1那样地在臭氧水清洗与氢氟酸清洗之间进行纯水清洗的方法的情况下，在减少其后的晶片检查步骤中的LPD(亮点缺陷：Lightpointdefect)方面存在极限。在专利文献1的技术中，由于应该能够减少由颗粒引起的LPD，因此可以认为存在由除颗粒之外的某种缺陷引起的LPD。本专利技术人等在对研磨后的晶片进行以往的清洗方法(臭氧水清洗→氢氟酸清洗→臭氧水清洗)后，对在该晶片表面处观察到的LPD进行了调查。其结果详见后述，发现存在大量如图6所示那样的圆形的高低差缺陷。可以确认，这样的高低差缺陷与专利文献1视作问题的颗粒不同，即使经过其后的精加工清洗步骤也会残留。并且，为了找到形成该高低差缺陷的原因，本专利技术人等通过高速照相机详细地观察了旋转清洗时的晶片表面。结果发现，从氢氟酸清洗切换成臭氧水清洗的瞬间，引发了下述(A)、(B)现象。即，(A)晶片表面上的清洗液量在仅极少的期间减少，部分地露出裸硅面；(B)在臭氧水从喷嘴最初喷出(喷射)的时点，臭氧水以喷雾的形态被释放，因此该喷雾附着于裸硅面，引发局部氧化。该局部氧化部分在其后的清洗步骤中难以通过氢氟酸处理、SC1处理而被蚀刻，因此在清洗后的晶片上形成高低差缺陷。因此，本专利技术鉴于上述课题，目的在于提供能够抑制晶片上形成由臭氧水引起的高低差缺陷的晶片的清洗方法。用于解决问题的方法本专利技术人等基于上述那样的详细研究，研究了清洗方法，以使得在从氢氟酸清洗切换成臭氧水清洗的瞬间，即使在臭氧水从喷嘴最初喷射的时点产生喷雾，也不会使喷雾附着于裸硅面。并且得到的构思是：将在臭氧水清洗之前进行的向晶片表面供给纯水在开始供给臭氧水之后也继续规定期间，从而使向晶片表面供给纯水的期间与供给臭氧水的期间重叠。根据该方法，在开始供给臭氧水的时点，晶片的整面被充分量的纯水的层覆盖，因此即使产生臭氧水的喷雾，喷雾也不会附着于裸硅面。基于上述见解而完成的本专利技术的主要构成如下所示。(1)晶片的清洗方法，其是在使晶片旋转的同时向该晶片的表面上供给清洗液的晶片的清洗方法，其特征在于，向前述晶片表面上，开始氢氟酸的供给，在停止前述氢氟酸的供给之前或者在停止的同时，开始纯水的供给，在停止前述氢氟酸的供给以后且停止前述纯水的供给之前，开始臭氧水的供给，设置向前述晶片表面上同时供给纯水和臭氧水的期间，其后停止前述纯水的供给，向前述晶片表面上仅供给臭氧水。(2)根据上述(1)所述的晶片的清洗方法，其中，在前述晶片表面上，在停止前述氢氟酸的供给之前开始前述纯水的供给，设置同时供给氢氟酸和纯水的期间。(3)根据上述(2)所述的晶片的清洗方法，其中，在前述晶片表面上，在停止前述氢氟酸的供给之后开始前述臭氧水的供给，设置仅供给纯水的期间。(4)根据上述(1)~(3)中任一项所述的晶片的清洗方法，其中，从第一喷嘴喷出前述氢氟酸，从与前述第一喷嘴不同的共通喷嘴喷出前述纯水和前述臭氧水。(5)根据上述(1)~(3)中任一项所述的晶片的清洗方法，其中，分别从各自的喷嘴喷出前述氢氟酸、前述纯水和前述臭氧水。专利技术的效果根据本专利技术的晶片的清洗方法，能够抑制晶片上形成由臭氧水引起的高低差缺陷。附图说明图1(A)、(B)是示出本专利技术的一个实施方式所述的晶片的清洗方法中使用的清洗液的供给喷嘴的构成例的图。图2(A)、(B)是示出分别使用图1(A)、(B)的供给喷嘴时的清洗液的供给顺序的一例的图。图3(A)、(B)是示出分别使用图1(A)、(B)的供给喷嘴时的清洗液的供给顺序的其它例的图。图4是示出以往的清洗方法中的清洗液的供给顺序的一例的图。图5是示出以往的清洗方法中的清洗液的供给顺序的其它例的图。图6是通过原子力显微镜(AFM)观察由臭氧水引起的高低差缺陷而得到的图像。具体实施方式本专利技术涉及通过在使晶片旋转的同时向该晶片的表面上供给清洗液的旋转清洗来清洗晶片的方法。该清洗适合在检查将晶片进行镜面研磨处理而得到的抛光晶片(polishedwafer)之前进行。图1(A)、(B)中，示出本专利技术的一个实施方式所述的晶片的清洗方法中使用的清洗液的供给喷嘴的构成例。图1(A)示出分别从各自的喷嘴喷出氢氟酸、纯水和臭氧水的方式。在该方式中，氢氟酸供给系统10(记作Nz1)包括：第一配管11、位于其前端部的第一喷嘴(喷出口)12、和设置于第一配管11上的用于调整氢氟酸流量的阀13。同样地，纯水供给系统20(记作Nz2)包括：第二配管21、位于其前端部的第二喷嘴22、和设置于第二配管21上的用于调整纯水流量的阀23。同样地，臭氧水供给系统30(记作Nz3)包括：第三配管31、位于其前端部的第三喷嘴32、和设置于第三配管31上的用于调整臭氧水流量的阀33。各喷嘴12、22、32均设置于晶片中心部的上方，将来自各喷嘴的清洗液滴加·供给至正在旋转的晶片的中心部。图1(B)示出从共通喷嘴喷出纯水和臭氧水的方式。在该方式中，氢氟酸供给系统10(记作Nz1)与图1(A)相同。纯水·臭氧水供给系统40(记作Nz4)包括：纯水用配管41、臭氧水用配管42、由它们合流而得到的第四配管43、位本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.晶片的清洗方法，其是在使晶片旋转的同时向该晶片的表面上供给清洗液的晶片的清洗方法，其特征在于，向所述晶片表面上，开始氢氟酸的供给，在停止所述氢氟酸的供给之前或者在停止的同时，开始纯水的供给，在停止所述氢氟酸的供给以后且停止所述纯水的供给之前，开始臭氧水的供给，设置向所述晶片表面上同时供给纯水和臭氧水的期间，其后停止所述纯水的供给，向所述晶片表面上仅供给臭氧水。

【技术特征摘要】
2016.12.27 JP 2016-2539361.晶片的清洗方法，其是在使晶片旋转的同时向该晶片的表面上供给清洗液的晶片的清洗方法，其特征在于，向所述晶片表面上，开始氢氟酸的供给，在停止所述氢氟酸的供给之前或者在停止的同时，开始纯水的供给，在停止所述氢氟酸的供给以后且停止所述纯水的供给之前，开始臭氧水的供给，设置向所述晶片表面上同时供给纯水和臭氧水的期间，其后停止所述纯水的供给，向所述晶片表面上仅供给臭氧水。2.根据权利要求1所述的晶片的...

【专利技术属性】
技术研发人员：若杉胜郎，小渊俊也，兼子优起，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP