The invention discloses a flexible substrate structure, a preparation method and a flexible device. The flexible base structure includes a first flexible base, a barrier layer, and a second flexible substrate, which are arranged in succession; the first flexible substrate and the surface of the one side of the barrier layer form a first concave convex surface, and the barrier layer is continuously covered on the first concave convex surface of the first flexible base, and the barrier layer and the insulating layer are provided. The second surface of the contact side of the flexible substrate forms a second concave convex surface, and the second flexible substrate is continuously covered on the second concave convex surface of the barrier layer. The invention also provides a method for preparing the flexible substrate structure and a flexible device including the flexible substrate structure. The invention makes the flexible substrate and the barrier layer of the stereoscopic structure superimposed into the flexible base structure of two stereoscopic structures, and makes the flexible base and barrier layer of the stereoscopic structure mutual as a buffer layer, thus effectively relieving and releasing the stress produced by the stripping of the flexible device from the hard substrate.
【技术实现步骤摘要】
柔性基底结构及其制备方法与柔性器件
本专利技术涉及半导体器件领域,特别是涉及一种柔性基底结构及其制备方法,以及包括该柔性基底结构的柔性器件。
技术介绍
如图1所示,在制备柔性半导体器件,例如柔性TFT时,通常在硬性基底1上设置聚酰亚胺层2作为柔性基底,并在聚酰亚胺层2上制备一层氮化硅层4来阻隔水氧对后续制备的各膜层的侵害,同时,由于氮化硅层4与聚酰亚胺层2的结合力较差,而氧化硅与氮化硅和聚酰亚胺的结合力均较好,因此,通常在氮化硅层4和聚酰亚胺层2之间设置一层氧化硅层3来提高氮化硅和聚酰亚胺的结合力。然而,上述聚酰亚胺层2、氧化硅层3和氮化硅层4彼此之间存在承受应力不匹配的问题,容易使制备完成的柔性半导体器件从硬性基底上分离时发生卷曲,严重影响柔性半导体器件的正常工作。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对于现有技术的不足,提供一种能够缓解应力的柔性基底结构及其制备方法与包括该柔性基底结构的柔性器件。为此,在本专利技术中提供了一种柔性基底结构,包括依次层叠设置的第一柔性基底、阻隔层和第二柔性基底;所述第一柔性基底与所述阻隔层相接触一侧的表面形成第一凹凸面,所述阻隔层连续的覆盖在所述第一柔性基底的第一凹凸面上,且所述阻隔层与所述第二柔性基底相接触一侧的表面形成第二凹凸面,所述第二柔性基底连续的覆盖在所述阻隔层的第二凹凸面上。在其中一个优选实施例中,所述第二凹凸面中各凹部相应的嵌套在各第一凹凸面中各凹部内。在其中一个优选实施例中,所述第一柔性基底远离所述阻隔层一侧的表面为平坦面,和/或,所述第二柔性基底远离所述阻隔层一侧的表面为平坦面。在其中一个优选实施例中,所述第 ...
【技术保护点】
1.一种柔性基底结构,其特征在于,所述柔性基底结构包括依次层叠设置的第一柔性基底、阻隔层和第二柔性基底;所述第一柔性基底与所述阻隔层相接触一侧的表面形成第一凹凸面,所述阻隔层连续的覆盖在所述第一柔性基底的第一凹凸面上,且所述阻隔层与所述第二柔性基底相接触一侧的表面形成第二凹凸面,所述第二柔性基底连续的覆盖在所述阻隔层的第二凹凸面上。
【技术特征摘要】
1.一种柔性基底结构,其特征在于,所述柔性基底结构包括依次层叠设置的第一柔性基底、阻隔层和第二柔性基底;所述第一柔性基底与所述阻隔层相接触一侧的表面形成第一凹凸面,所述阻隔层连续的覆盖在所述第一柔性基底的第一凹凸面上,且所述阻隔层与所述第二柔性基底相接触一侧的表面形成第二凹凸面,所述第二柔性基底连续的覆盖在所述阻隔层的第二凹凸面上。2.根据权利要求1所述的柔性基底结构,其特征在于,所述第二凹凸面中各凹部相应的嵌套在各第一凹凸面中各凹部内。3.根据权利要求1所述的柔性基底结构,其特征在于,所述第一柔性基底远离所述阻隔层一侧的表面为平坦面,和/或,所述第二柔性基底远离所述阻隔层一侧的表面为平坦面。4.根据权利要求1所述的柔性基底结构,其特征在于,所述第一凹凸面和/或所述第二凹凸面由凹凸部组成,所述凹凸部的形状选自三角形、矩形、弧形和半圆形中的一种或几种;优选地,所述第一凹凸面和所述第二凹凸面均由矩形的凹凸部组成。5.根据权利要求1所述的柔性基底结构,其特征在于,所述第一凹凸面的凹部的深度为所述第一柔性基底最大厚度的10%~90%;和/或,所述第二凹凸面的凹部的深度为所述第二柔性基底最大厚度的10%~90%。6.根据权利要求1所述的柔性基底结构,其特征在于,...
【专利技术属性】
技术研发人员:李阳,于锋,杨海涛,刘玉成,刘晓佳,国天增,
申请(专利权)人:云谷固安科技有限公司,
类型:发明
国别省市:河北,13
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。