一种石墨烯的生长设备制造技术

技术编号:18371240 阅读:39 留言:0更新日期:2018-07-05 20:14
本实用新型专利技术公开了一种石墨烯的生长设备,它包括第一输气管、外壳、第二输气管及加热器;所述设备内部开有腔体;所述外壳一侧设有门体,所述门体上部设有把手,外壳左侧外壁下部设有调温钮;所述第一输气管从外壳左侧外壁顶部穿入设备内部腔体,第一输气管上设有流量阀;所述第二输气管从外壳右侧外壁顶部穿入设备内部腔体;所述加热器置于所述设备内部腔体底部,加热器上设置有四个支座,所述支座上设置有加热板,所述加热板上可放置III族氮化物衬底。本实用新型专利技术可以在功能性衬底上直接长出石墨烯,实现不需要转移石墨烯而直接应用的目的,使其独特的电性能、导热性能和光学性质获得较好的体现,对实现石墨烯的广泛应用具有重要价值。

A growth equipment for graphene

The utility model discloses a growth equipment for graphene, which includes a first gas pipeline, a shell, a second gas transmission pipe and a heater; the equipment has a cavity inside, a door body is provided on one side of the shell, a handle is provided on the upper part of the door, and a temperature regulating button is provided in the lower part of the outer outer wall of the outer shell; the first gas pipeline is from the left of the outer shell. The top of the lateral wall is penetrated into the inner cavity of the equipment, the first gas pipeline is provided with a flow valve; the second gas transmission pipe is penetrated from the top of the outer outer wall of the outer shell, and the heater is placed at the bottom of the inner cavity of the equipment, and the heater is provided with a heating plate on the heater plate, and the heating plate is arranged on the heating plate. The III family of nitride substrates can be placed. The utility model can directly grow graphene on a functional substrate to achieve the purpose of direct application without the need for transfer of graphene, so that its unique electrical properties, thermal conductivity and optical properties are better reflected, and it is of great value to the wide application of graphene.

【技术实现步骤摘要】
一种石墨烯的生长设备
本技术涉及纳米材料生产设备领域,尤其涉及一种石墨烯的生长设备。
技术介绍
石墨烯作为目前发现的最薄、强度最大、导电导热性能最强的一种新型纳米材料,被称为“黑金”,是“新材料之王”,科学家甚至预言石墨烯将“彻底改变21世纪”。石墨烯是一种由碳原子构成的单层片状结构材料,因其高强度、高热导率、高导电性及高比表面积等优点受到了研究者的广泛重视,其极有可能掀起一场席卷全球的颠覆性新技术新产业革命。石墨烯的研究和应用对它的大批量、低成本制备提出了迫切要求。采用现有方法制备的石墨烯在实际应用时,都需要转移到相应的衬底上,导致石墨烯与衬底结合不紧密;加上转移过程中不可避免产生的褶皱和破裂,严重影响和限制了石墨烯的应用。如果能有一种设备,操作简单、成本低廉,在功能性衬底上直接长出石墨烯,实现不需要转移石墨烯而直接应用的目的,将改变目前的问题现状。
技术实现思路
为了解决上述问题,本技术提出了一种石墨烯的生长设备。为了实现上述目的,本技术采用如下技术方案:一种石墨烯的生长设备,它包括第一输气管、外壳、第二输气管及加热器;所述设备内部开有腔体;所述外壳一侧设置有门体,所述门体上部设置有把手,外壳左侧外壁下部设置有调温钮。所述第一输气管从外壳左侧外壁顶部穿入设备内部腔体,第一输气管上设置有流量阀;所述第二输气管从外壳右侧外壁顶部穿入设备内部腔体,第二输气管上也设置有流量阀;所述加热器置于所述设备内部腔体底部,加热器上设置有四个支座,所述支座上设置有加热板,所述加热板上可放置III族氮化物衬底。所述设备形状呈长方体。所述门体为耐高温玻璃材质,可视设备内部,以便进行操作。所述调温钮调节温度为“0”数值时,即自动关闭。所述第一输气管输送气体为非氧化性气体,所述第二输气管输送气体为碳源气体。所述非氧化性气体为氮气、惰性气体或者其混合物,所述碳源气体为甲烷、乙烷、乙烯、乙炔、丙烷、丙烯、丁烷、液化石油气和一氧化碳之中的一种或者多于一种的混合物。与现有技术相比,本技术的有益效果在于:本技术可以在功能性衬底上直接长出石墨烯,实现不需要转移石墨烯而直接应用的目的,使其独特的电性能、导热性能和光学性质获得较好的体现,对实现石墨烯的广泛应用具有重要价值。附图说明图1为本技术的结构示意图;附图标记说明:1-第一输气管;2-外壳;3-第二输气管;4-加热器;5-流量阀;6-把手;7-门体;8-加热板;9-III族氮化物衬底;10-调温钮。具体实施方式为了对本技术的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解,现对照附图说明本技术的具体实施方式,但本技术的保护范围不局限于以下所述。如图1所示,一种石墨烯的生长设备,它包括第一输气管1、外壳2、第二输气管3及加热器4;所述设备内部开有腔体;所述外壳2一侧设置有门体7,所述门体7上部设置有把手6,外壳左侧外壁下部设置有调温钮10。如图1所示,所述第一输气管1从外壳2左侧外壁顶部穿入设备内部腔体,第一输气管1上设置有流量阀5;所述第二输气管3从外壳2右侧外壁顶部穿入设备内部腔体,第二输气管3上也设置有流量阀;所述加热器4置于所述设备内部腔体底部,加热器4上设置有四个支座,所述支座上设置有加热板8,所述加热板8上可放置III族氮化物衬底9。如图1所示,所述设备形状呈长方体。所述门体7为耐高温玻璃材质,可视设备内部,以便进行操作。所述调温钮10调节温度为“0”数值时,即自动关闭。所述第一输气管1输送气体为非氧化性气体,所述第二输气管3输送气体为碳源气体。所述非氧化性气体为氮气、惰性气体或者其混合物,所述碳源气体为甲烷、乙烷、乙烯、乙炔、丙烷、丙烯、丁烷、液化石油气和一氧化碳之中的一种或者多于一种的混合物。本技术的工作原理如下:首先打开所述石墨烯的生长设备的门体7,将III族氮化物衬底9置于加热器4上的加热板8中心区域;然后打开第一输气管1的流量阀3,输送非氧化性气体,并旋扭调温钮10,升高加热器4温度对III族氮化物衬底9进行加热;同时打开第二输气管3的流量阀,向III族氮化物衬底9表面输送碳源气体持续10~100min,进行石墨烯的生长;最后关闭第二输气管3的流量阀,继续保持非氧化性气体的通入,使所述设备降温至室温。以上所揭露的仅为本技术较佳实施例而已,当然不能以此来限定本技术之权利范围,因此依本技术权利要求所作的等同变化,仍属本技术所涵盖的范围。本文档来自技高网...
一种石墨烯的生长设备

【技术保护点】
1.一种石墨烯的生长设备,其特征在于:它包括第一输气管(1)、外壳(2)、第二输气管(3)及加热器(4);所述设备内部开有腔体;所述外壳(2)一侧设置有门体(7),所述门体(7)上部设置有把手(6),外壳左侧外壁下部设置有调温钮(10);所述第一输气管(1)从外壳(2)左侧外壁顶部穿入设备内部腔体,第一输气管(1)上设置有流量阀(5);所述第二输气管(3)从外壳(2)右侧外壁顶部穿入设备内部腔体,第二输气管(3)上也设置有流量阀;所述加热器(4)置于所述设备内部腔体底部,加热器(4)上设置有四个支座,所述支座上设置有加热板(8),所述加热板(8)上可放置III族氮化物衬底(9)。

【技术特征摘要】
1.一种石墨烯的生长设备,其特征在于:它包括第一输气管(1)、外壳(2)、第二输气管(3)及加热器(4);所述设备内部开有腔体;所述外壳(2)一侧设置有门体(7),所述门体(7)上部设置有把手(6),外壳左侧外壁下部设置有调温钮(10);所述第一输气管(1)从外壳(2)左侧外壁顶部穿入设备内部腔体,第一输气管(1)上设置有流量阀(5);所述第二输气管(3)从外壳(2)右侧外壁顶部穿入设备内部腔体,第二输气管(3)上也设置有流量阀;所述加热器(4)置于所述设备内部腔体底部,加热器(4)上设置有四个支座,所述支座...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘兴翀魏欣魏泽忠
申请(专利权)人:成都格莱飞科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:四川,51

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