A power step suppression circuit, including the RF working state recognition circuit, control circuit and power management circuit, before RF communication, the RF work state recognition circuit receives the RF closed signal, starts the power management circuit to close the large power consumption module on the chip, and the control circuit will minimize the power consumption of the whole chip, after the end of RF communication, R After the F working status recognition circuit receives the RF open signal, the power management circuit opens the module closed before RF communication and restores the power consumption state of the chip before communication.
【技术实现步骤摘要】
功耗阶跃抑制电路
本专利技术涉及智能卡电路技术,尤其涉及一种应用于非接智能卡中的功耗阶跃抑制电路。
技术介绍
非接智能卡在通信信号的凹槽(slot)期间的电源只能由芯片内部的储能电容提供,受芯片面积限制,内部的储能电容都不会很大,提供的存储电能的能力也不会很强。因此在RF通信期间如果芯片的功耗较大,片上储能电容供电能力有限,会造成凹槽期间整个芯片的功耗较大波动,从而影响到芯片上其他模块的正常工作,严重时还可能会造成芯片下电。如何解决RF通信期间功耗的阶跃影响非接智能卡性能是本专利技术所要解决的问题。本专利技术提出一种功耗阶跃抑制电路,主要用于抑制非接智能卡在通信期间引起的功耗阶跃。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于,克服现有技术中存在的问题,提供一种应用于非接智能卡的功耗阶跃抑制电路,可以抑制非接智能卡在通信期间引起的功耗阶跃。为了解决上述问题,本专利技术的技术方案是这样的:一种功耗阶跃抑制电路包括RF工作状态识别电路,控制电路和电源管理电路,RF通信前,RF工作状态识别电路接收到RF关闭信号,启动电源管理电路关闭芯片上大功耗模块,控制电路将整个芯片的功耗调至最小,RF通信结束后,RF工作状态识别电路接收到RF开启信号后,电源管理电路打开RF通信前关闭的模块,恢复芯片在通信前的功耗状态。所述RF关闭信号为时钟管理模块输入的RF模块睡眠使能信号。所述RF开启信号为RF数字模块输入的通信结束信号。所述控制电路通过调节可配置恒流源ICS和限幅补偿VMB电路将整个芯片的功耗调至最小。RF工作状态识别电路接收到RF开启信号后,所述控制电路调节可配置恒流源I ...
【技术保护点】
1.一种功耗阶跃抑制电路,其特征在于,包括RF工作状态识别电路,控制电路和电源管理电路,RF通信前,RF工作状态识别电路接收到RF关闭信号,启动电源管理电路关闭芯片上大功耗模块,控制电路将整个芯片的功耗调至最小,RF通信结束后,RF工作状态识别电路接收到RF开启信号后,电源管理电路打开RF通信前关闭的模块,恢复芯片在通信前的功耗状态。
【技术特征摘要】
1.一种功耗阶跃抑制电路,其特征在于,包括RF工作状态识别电路,控制电路和电源管理电路,RF通信前,RF工作状态识别电路接收到RF关闭信号,启动电源管理电路关闭芯片上大功耗模块,控制电路将整个芯片的功耗调至最小,RF通信结束后,RF工作状态识别电路接收到RF开启信号后,电源管理电路打开RF通信前关闭的模块,恢复芯片在通信前的功耗状态。2.如权利要求1所述的功耗阶跃抑制电路,其特征在于,所述RF关闭信号为时钟管理模块输入的RF模块睡眠使能信号。3.如权利要求1所述的功耗阶跃抑制电路,其特征在于,所述RF开启信号为RF数字模块输入的通信结束信号。4.如权利要求1所述的功耗阶跃抑制电路,其特征在于,所述控制电路通过调节可配置恒流源ICS和限幅补偿VMB电路将整个芯片的功耗调至最小。5.如权利要求1所述的功耗阶跃抑制电路,其特征在于,RF工作状态识别电路接收到RF开启信号后,所述控制电路调节可配置恒流源ICS、限幅补偿VMB电路,恢复芯片在通信前的功耗状态。6.如权利要求1所述的功耗阶跃抑制电路,其特征在于,所述控制电路包括可配置恒流源控制电路和限幅补偿控制电路。7...
【专利技术属性】
技术研发人员:叶宏伟,
申请(专利权)人:上海华虹集成电路有限责任公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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