FBAR滤波器封装结构及封装方法技术

本发明专利技术公开了一种FBAR滤波器封装结构及封装方法，采用高阻硅材料作为滤波器芯片的芯片衬底，封装过程中采用由多个硅基板组成的硅圆片作支撑(不需临时键合做支撑)，并在芯片衬底背面做TSV互连结构，减少了键合和拆键合工艺步骤，降低了成本；且芯片衬底的高阻硅材料与硅基板的热膨胀系数接近或一致，大大减少了整个封装过程的翘曲问题，同时保障了最终产品的自身结构强度。为了避免芯片背面塑封材料的热膨胀系数与高阻硅材料不一致，研磨掉了芯片衬底背面的塑封体，形成了包围芯片衬底四周的塑封环，从而降低了晶圆封装体的翘曲，降低了工艺风险，提高了良率。

【技术实现步骤摘要】
FBAR滤波器封装结构及封装方法
本专利技术涉及半导体封装
，尤其是一种FBAR滤波器的新型封装结构及封装方法。
技术介绍
由于滤波器芯片衬底是碳酸锂或者其他金属化合物材质，现有技术无法在芯片衬底上做通孔(TSV)并互联，因此，现有的FBAR滤波器封装结构是在芯片的功能面键合基板，然后在基板上进行TSV互联结构，将芯片功能面的电性引出至基板上，由于硅是热的良导体，可以明显改善导热性能，从而延长了器件的寿命，优选的采用硅基板。但是，该封装结构为了保证后续薄片加工需要做临时键合以及拆键合动作，而且由于芯片衬底材质的热膨胀系数CTE较硅基板而言，高了很多，在后段晶圆级加工过程中容易出现因为多种材料的热膨胀系数不匹配带来的翘曲问题，甚至更严重的是对最终产品自身的结构强度带来隐患。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术提出一种FBAR滤波器封装结构，通过在芯片衬底背面做TSV互连结构，可减少键合和拆键合工艺步骤，降低成本；且整个封装过程的翘曲问题大大减少，同时保障了最终产品的自身结构强度。本专利技术的技术方案是这样实现的：一种FBAR滤波器封装结构，包括滤波器芯片、硅基板和塑封环，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种FBAR滤波器封装结构，其特征在于：包括滤波器芯片、硅基板和塑封环，所述滤波器芯片包括芯片衬底和形成于所述芯片衬底的正面的位于中部的功能区和位于功能区四周的若干焊垫，所述硅基板键合于所述芯片衬底的正面，所述芯片衬底四周被所述塑封环包裹，所述芯片衬底的背面形成有金属布线层，所述芯片衬底上形成有电连接所述焊垫和所述金属布线层的TSV互连结构。

【技术特征摘要】
1.一种FBAR滤波器封装结构，其特征在于：包括滤波器芯片、硅基板和塑封环，所述滤波器芯片包括芯片衬底和形成于所述芯片衬底的正面的位于中部的功能区和位于功能区四周的若干焊垫，所述硅基板键合于所述芯片衬底的正面，所述芯片衬底四周被所述塑封环包裹，所述芯片衬底的背面形成有金属布线层，所述芯片衬底上形成有电连接所述焊垫和所述金属布线层的TSV互连结构。2.根据权利要求1所述的FBAR滤波器封装结构，其特征在于：所述硅基板正面含有正对功能区的凹槽。3.根据权利要求1或2所述的FBAR滤波器封装结构，其特征在于：所述硅基板正面含有围堰，所述芯片衬底的正面与所述硅基板正面通过粘合剂键合，使所述围堰覆盖所述焊垫且围绕所述功能区。4.根据权利要求1所述的FBAR滤波器封装结构，其特征在于：所述金属布线层上铺设有钝化层，所述钝化层上形成有电连接所述金属布线层的焊球。5.根据权利要求1所述的FBAR滤波器封装结构，其特征在于：所述芯片衬底为高阻硅。6.根据权利要求3所述的FBAR滤波器封装结构，其特征在于：所述围堰的厚度为1μm至15μm。7.一种FBAR滤波器封装结构的封装方法，其特征在于：包括如下步骤：A.提供一由多个硅基板组...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪姣姣，
申请(专利权)人：华天科技昆山电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32