用于使用改进的制作条件和周界结构修改的声谐振器或滤波器设备的结构和制造方法技术

本发明专利技术公开了一种用于使用改进的制作条件和周界结构修改的声谐振器或滤波器设备的结构和制造方法。在一个示例中，本方法可以包括形成具有不同几何区域和轮廓形状的金属电极，这些金属电极联接到衬底上面的压电层。这些金属电极还可以形成在具有变化几何区域的压电层或衬底的空腔内。结合具体的维度比例和离子注入，这类技术可以提高设备性能指标。在一个示例中，本方法可以包括形成围绕金属电极的各种类型的周界结构，该金属电极可以在压电层的顶部或底部。这些周界结构可以使用对形状、材料和连续性的多种修改的各种组合。这些周界结构还可以与沙洲结构、压电层空腔、先前讨论的几何变形组合以提高设备性能指标。

Structure and manufacturing method of acoustic resonator or filter device using improved manufacturing conditions and perimeter structure modifications

The invention discloses a structure and a manufacturing method of an acoustic resonator or a filter device for modifying an improved production condition and perimeter structure. In one example, the method can include the formation of metal electrodes with different geometric and contour shapes connected to the piezoelectric layer above the substrate. These metal electrodes can also be formed in the cavity of the piezoelectric layer or substrate with varying geometric regions. Combined with specific dimension ratio and ion implantation, such technology can improve device performance index. In one example, the present method may include the formation of various types of perimeter structures surrounding a metal electrode, which can be at the top or bottom of the piezoelectric layer. These perimeter structures can use various combinations of shapes, materials and continuity. These perimeter structures can also be combined with sand bar structure, piezoelectric layer cavity, and previously discussed geometric deformation to improve the equipment performance index.

【技术实现步骤摘要】
用于使用改进的制作条件和周界结构修改的声谐振器或滤波器设备的结构和制造方法相关申请的交叉引用本申请出于所有目的而通过引用并入如下同时递交的、全部共同拥有的专利申请：在2014年6月6日递交的名称为“RESONANCECIRCUITWITHASINGLECRYSTALCAPACITORDIELECTRICMATERIAL”的美国专利申请No.14/298,057(代理方案号No.A969RO-000100US)，在2014年6月6日递交的名称为“METHODOFMANUFACTUREFORSINGLECRYSTALCAPACITORDIELECTRICFORARESONANCECIRCUIT”的美国专利申请No.14/298,076(代理方案号No.A969RO-000200US)，在2014年6月6日递交的名称为“INTEGRATEDCIRCUITCONFIGUREDWITHTWOORMORESINGLECRYSTALACOUSTICRESONATORDEVICES”的美国专利申请No.14/298,100(代理方案号No.A969RO-000300US)，在2014年7月25日递交的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造声谐振器或滤波器设备的方法，所述方法包括：提供具有衬底表面区域的衬底；在所述衬底表面区域的上面形成单晶压电层，所述单晶压电层具有顶部压电表面区域和底部压电表面区域；在所述顶部压电表面区域的上面形成顶部金属电极，所述顶部金属电极具有一个或多个顶部金属电极边缘，所述一个或多个顶部金属电极边缘的特征在于顶部电极边缘几何形状；在所述单晶压电层的一部分内形成顶部微沟槽；在所述顶部微沟槽内形成具有顶部金属插头的顶部金属；在所述衬底内形成使所述底部压电表面区域暴露的背部沟槽，所述背部沟槽在所述顶部金属电极和所述顶部微沟槽的下面；在所述背部沟槽内、在所述底部压电表面区域的下面或附近形成背部金属电极...

【技术特征摘要】
2016.11.02 US 15/341,2181.一种用于制造声谐振器或滤波器设备的方法，所述方法包括：提供具有衬底表面区域的衬底；在所述衬底表面区域的上面形成单晶压电层，所述单晶压电层具有顶部压电表面区域和底部压电表面区域；在所述顶部压电表面区域的上面形成顶部金属电极，所述顶部金属电极具有一个或多个顶部金属电极边缘，所述一个或多个顶部金属电极边缘的特征在于顶部电极边缘几何形状；在所述单晶压电层的一部分内形成顶部微沟槽；在所述顶部微沟槽内形成具有顶部金属插头的顶部金属；在所述衬底内形成使所述底部压电表面区域暴露的背部沟槽，所述背部沟槽在所述顶部金属电极和所述顶部微沟槽的下面；在所述背部沟槽内、在所述底部压电表面区域的下面或附近形成背部金属电极，所述背部金属电极电联接到所述顶部金属，所述背部金属电极具有一个或多个背部金属电极边缘，所述一个或多个背部金属电极边缘的特征在于背部电极边缘几何形状；形成用于电连接的至少两个金属焊盘，其中，至少一个金属焊盘电联接到所述顶部金属电极，且至少一个金属焊盘电联接到所述背部金属电极；以及在所述背部沟槽内、在所述底部压电表面区域的下面形成背部金属插头，所述背部金属插头电联接到所述顶部金属插头和所述背部金属电极，其中，所述顶部微沟槽、所述顶部金属插头和所述背部金属插头形成微通孔。2.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述顶部金属电极和所述背部金属电极包括用于形成所述一个或多个顶部金属电极边缘的边缘轮廓制造过程，其中，所述边缘轮廓制造过程能够选自如下项：图案化溅射过程、图案化蒸发和剥离过程、蒸发和图案化刻蚀过程、修整过程、激光烧蚀过程和离子束研磨过程。3.如权利要求1所述的方法，其中，所述顶部电极边缘几何形状包括如下形状中的一者：下坡边缘、上坡边缘、上下坡边缘、上平下坡边缘、阶梯边缘、和圆形边缘。4.如权利要求1所述的方法，其中，所述顶部电极边缘几何形状和所述背部电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗摩克里希纳·韦特力，亚历山大·Y·费尔德曼，迈克尔·D·霍奇，阿特·盖斯，肖恩·R·吉布，马克·D·博姆加登，迈克尔·P·刘易斯，皮纳尔·帕特尔，杰弗里·B·希利，
申请(专利权)人：阿库斯蒂斯有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US