垂直半导体装置制造方法及图纸

提供了一种垂直半导体装置。垂直半导体装置包括：多个层间绝缘层图案，在基底上彼此间隔开并在垂直方向上被堆叠；多个导电层图案，布置在所述多个层间绝缘层图案之间并且均具有倒圆的端部，其中，导电层图案中的至少一个导电层图案被构造为从每个层间绝缘层图案的一个侧壁延伸并且包括焊盘区，焊盘区包括被构造为从至少一个导电层图案的表面突出的凸起焊盘部分；上层间绝缘层，覆盖多个层间绝缘层图案和多个导电层图案；接触插塞，被构造为穿透上层间绝缘层以与至少一个导电层图案的凸起焊盘部分接触。

【技术实现步骤摘要】
垂直半导体装置本申请要求于2016年12月14日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0170416号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
本专利技术构思涉及一种半导体装置，更具体地，涉及一种垂直半导体装置。
技术介绍
在与基底的表面垂直的方向上堆叠有存储器单元的垂直半导体装置可以包括连接布线，连接布线通过使包括在每个存储器单元中的导电层图案与接触插塞接触来形成，使得电信号独立地施加到每个存储器单元。因为半导体装置已经变得高度集成，所以难以在每个垂直地堆叠的导电层图案上与接触插塞形成连接布线。
技术实现思路
本公开提供了一种能够容易地在每个垂直地堆叠的导电层图案上与接触插塞形成连接布线的垂直半导体装置。根据这里描述的主题的示例实施例的一方面，提供了一种垂直半导体装置，所述垂直半导体装置包括：多个层间绝缘层图案，在基底上彼此间隔开并在垂直方向上被堆叠；多个导电层图案，布置在多个层间绝缘层图案之间，并且每个导电层图案具有倒圆的端部，其中，多个导电层图案中的至少一个导电层图案被构造为从每个层间绝缘层图案的一个侧壁延伸出并且包括焊盘区，焊盘区包括被构造为从至少一个导电层图案的表面突出的凸起焊盘部分；上层间绝缘层，覆盖层间绝缘层图案和导电层图案；接触插塞，被构造为穿透上层间绝缘层以与至少一个导电层图案的凸起焊盘部分接触。根据另一示例实施例，提供了一种垂直半导体装置，所述垂直半导体装置包括：垂直结构，被构造为位于单元块区的基底上在垂直方向上突出并且包括沟道层；多个导电层图案，被构造为在围绕垂直结构的同时延伸到连接区中，并且在垂直方向上通过层间绝缘层图案彼此间隔开的同时被堆叠；多个接触插塞，每个接触插塞与作为每层的导电层图案的边缘的焊盘区接触，其中，每个导电层图案的一端被倒圆，焊盘区包括从每个导电层图案的表面突出的凸起焊盘部分。根据另一示例实施例，提供了一种垂直半导体装置，所述垂直半导体装置包括：多个导电层图案，在基底上以垂直结构堆叠，并在垂直方向上通过层间绝缘层图案彼此间隔开；多个接触插塞，每个接触插塞与相应的导电层图案的边缘处的焊盘区接触，其中，每个相应的导电层图案的一端被倒圆。附图说明通过下面结合附图的详细描述将更清楚地理解示例实施例，在附图中：图1是根据示例实施例的垂直半导体装置的存储器单元阵列的等效电路图；图2是根据示例实施例的垂直半导体装置的框图；图3是根据示例实施例的垂直半导体装置的平面图；图4A至图4C是图3的单元阵列区中的单元块区和连接区的布置的平面图；图5是根据示例实施例的垂直半导体装置的连接区的局部剖视图；图6A至图6F是示出制造图5的垂直半导体装置的连接区的方法的局部剖视图；图7是根据示例实施例的垂直半导体装置的连接区的局部剖视图；图8是根据示例实施例的垂直半导体装置的连接区的局部剖视图；图9A至图9G是示出制造图7的垂直半导体装置的连接区的方法的局部剖视图；图10是根据示例实施例的垂直半导体装置的局部透视图；图11是图10的局部放大图；以及图12是沿图10的线A-A'截取的根据示例实施例的垂直半导体装置的重要且局部的剖视图。具体实施方式现在将在下文中参照附图更充分地描述本公开，附图中示出了各种示例性实施例。然而，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并且不应该被解释为受限于这里所阐述的示例性实施例。这些示例性实施例仅是示例，许多实施例和变型是可能的并且不需要在这里提供细节。还应该强调的是，本公开提供了可替代的示例的细节，但替代物的这样的列表并不详尽。此外，各种示例性实施例之间的细节的任何一致性不应被解释为需要这样的细节，为这里所描述的每个特征列出每种可能的变化是不切实际的。在确定本专利技术的要求时，应参考权利要求的语言。在附图中，为了清楚起见可以夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。同样的标记始终指同样的元件。虽然不同的图示出了示例性实施例的变化，但这些图不必意图彼此相互排斥。相反，如将从下面的详细描述的内容看到的，当将附图和对它们的描述作为整体考虑时，不同的图中描绘和描述的特定特征可以与来自其它图的其它特征结合以获得各种实施例。尽管可以使用诸如“一个实施例”或“某些实施例”的语言来引用这里描述的图，但是除非上下文如此指示，否则这些图及与之对应的描述并不意图与其它图或描述相互排斥。因此，某些图中的某些方面可以与其它图中的某些特征相同，和/或者某些图可以是具体的示例性实施例的不同表现或不同部分。这里使用的术语仅是出于描述具体示例性实施例的目的，并不意图对本专利技术进行限制。如这里使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式的“一个(种、者)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。如在此使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意和全部组合，并且可以简写为“/”。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”及其变型时，说明存在所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。将理解的是，当元件被称作为“连接”或“结合”到另一元件或者“在”另一元件“上”时，该元件可以直接连接或直接结合到所述另一元件或者直接在所述另一元件上，或者可以存在中间元件。相反，当元件被称作为“直接连接”或“直接结合”到另一元件、或者被称作为“接触”另一元件或“与”另一元件“接触”时，不存在中间元件。应当以类似的方式解释用于描述元件之间关系的其它词语(例如，“位于……之间”与“直接位于……之间”、“相邻”与“直接相邻”等)。为了易于描述，在这里可使用诸如“在……下面”、“在……下方”、“下”、“在……上方”和“上”等的空间相对术语来描述如图中示出的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语意在包含除了在图中描绘的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则描述为“在”其它元件或特征“下方”或“下面”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，术语“在……下方”可包括上方和下方两种方位。所述装置可被另外定位(旋转90度或者在其它方位)，并相应地解释这里使用的空间相对描述符。此外，如这里使用的诸如“上方”和“下方”的这些空间相对术语具有它们的普通的广泛的意义，例如，即使当俯视两个元件时它们之间不叠置，元件A也可以在元件B上方(就像天空中的某物通常在地面上的某物的上方，即使不是直接地上方)。图1是根据示例实施例的垂直半导体装置的存储器单元阵列的等效电路图。更详细地，存储器单元阵列可以包括彼此串联连接的n个存储器单元MC1至MCn以及多个存储器单元串，多个存储器单元串包括串联连接到存储器单元MC1至MCn的两端的地选择晶体管GST和串选择晶体管SST。彼此串联连接的n个存储器单元MC1至MCn可以连接到用于选择存储器单元MC1至MCn中的至少一些的字线WL1至WLm。地选择晶体管GST的栅极端子可以连接到地选择线GSL，其源极端子可以连接到共源极线CSL。同时，串选择晶体管SST的栅极端子可以连接到串选择线SSL，其源极端子可以连接到存储器单元MCn的漏极端子。图1示出了地选择晶体管GST和串选择晶体管SST连接到彼此串联连接的n个存储器单元本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种垂直半导体装置，所述垂直半导体装置包括：多个层间绝缘层图案，在基底上彼此间隔开并在垂直方向上堆叠；多个导电层图案，布置在所述多个层间绝缘层图案之间并且均具有倒圆的端部，其中，所述多个导电层图案中的至少第一导电层图案被构造为从相邻的层间绝缘层图案的一个侧壁延伸并且包括焊盘区，焊盘区包括被构造为从第一导电层图案的表面突出的凸起焊盘部分；上层间绝缘层，覆盖所述多个层间绝缘层图案和所述多个导电层图案；以及接触插塞，被构造为穿透上层间绝缘层以与第一导电层图案的凸起焊盘部分接触。

【技术特征摘要】
2016.12.14 KR 10-2016-01704161.一种垂直半导体装置，所述垂直半导体装置包括：多个层间绝缘层图案，在基底上彼此间隔开并在垂直方向上堆叠；多个导电层图案，布置在所述多个层间绝缘层图案之间并且均具有倒圆的端部，其中，所述多个导电层图案中的至少第一导电层图案被构造为从相邻的层间绝缘层图案的一个侧壁延伸并且包括焊盘区，焊盘区包括被构造为从第一导电层图案的表面突出的凸起焊盘部分；上层间绝缘层，覆盖所述多个层间绝缘层图案和所述多个导电层图案；以及接触插塞，被构造为穿透上层间绝缘层以与第一导电层图案的凸起焊盘部分接触。2.根据权利要求1所述的垂直半导体装置，其中，凸起焊盘部分的一端和另一端被倒圆。3.根据权利要求1所述的垂直半导体装置，其中，与形成在第一导电层图案下面的相邻的层间绝缘层图案相比，凸起焊盘部分的一端在水平方向上延伸较远，凸起焊盘部分从俯视图中被构造为占据被第二导电层图案暴露的整个部分，第二导电层图案形成为与第一导电层图案相邻且位于第一导电层图案上方。4.根据权利要求1所述的垂直半导体装置，其中，层间绝缘层图案中的一些包括从各个相邻的导电层图案的一端凹陷的凹部。5.根据权利要求4所述的垂直半导体装置，其中，每个凹部填充有上层间绝缘层。6.根据权利要求1所述的垂直半导体装置，其中，随着导电层图案在垂直方向上距基底越远，导电层图案的水平宽度变得越小。7.根据权利要求6所述的垂直半导体装置，所述多个导电层图案包括第一导电图案和第二导电图案，其中，第一导电层图案形成在垂直半导体装置的下部处，第二导电层图案来自所述多个导电层图案之中且形成在垂直半导体装置的上部处，其中，第一导电层图案从所述多个层间绝缘层图案中的一个层间绝缘层图案的一个侧壁延伸，并且包括焊盘区和凸起焊盘部分。8.根据权利要求1所述的垂直半导体装置，其中，所述多个导电层图案具有阶梯的形式，其中，随着导电层图案在垂直方向上距基底越远，导电层图案的水平宽度变得越小。9.根据权利要求8所述的垂直半导体装置，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴照英，姜昌锡，李昌燮，张世美，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR