The present disclosure provides an intracranial pressure sensor, which includes a pressure sensitive capacitance whose capacitance value varies with the change of intracranial pressure, including a pressure sensitive layer, whose shape variable changes with the change of intracranial pressure; the first electrode layer and the second electrode layer are formed on both sides of the pressure sensitive layer to form a capacitive structure, The distance varies with the shape variable of the pressure sensitive layer, and the flexible wrapping layer, wrapped in the pressure sensitive layer, the first electrode layer and the second electrode layer, attached to the skull and the dura, and the fixed inductor, and the LC oscillation circuit is formed with the pressure sensitive capacitor to be implanted in the skull, It is used to convert capacitance signals into resonant frequency signals and to be coupled to external detection devices to obtain intracranial pressure values. The capacitive part of the implanted sensor uses flexible materials, which has minimal damage to the intracranial tissue and can greatly reduce the risk of complications such as intracranial hemorrhage. Flexible materials are easily fitted with the meninges, and the measurement is more accurate.
【技术实现步骤摘要】
颅内压力传感器、检测设备及制备方法
本专利技术涉及医疗设备
,尤其涉及一种颅内压力传感器、检测设备及制备方法。
技术介绍
颅内压是脑组织、脑脊液、血液等颅腔内容物对颅腔内壁的压力,在脑外伤和神经内科病人的临床诊断上都具有重要意义。正常颅内压范围介于70至180mmH2O,临床上将颅内压持续5min以上超过180mmH2O称为颅内压增高。颅内压增高可引起一系列的神经内科和神经外科的病理改变,初期主要表现为具有头痛恶心、呕吐、视乳头水肿等;严重的颅内压增高还可导致脑积水、脑肿瘤、脑膜炎等并发症,甚至在短时间内危机生命。因此,发展颅内压监测方法对于准确诊断病情和及时确定临床治疗方案都具有非常重要的意义。现有颅内压力检测技术根据是否将传感器植入颅内,可分为植入式和非植入式两类。植入式颅内压力检测技术相较非植入式颅内压力检测技术,受环境干扰因素更小,可直接接触测量颅内压力值,在临床应用中更为广泛。目前,在临床上取得应用的植入式颅内压力检测技术均为有线式,即植入于颅内的传感器需要通过导管与外部检测设备连接,在持续监测过程中存在诸多不便,如颅内感染风险大,护理难度高等。针对这一问题,近年来多项研究中采用了无线无源技术,该技术无需导线将植入传感器与外部设备连接且不需要采用电池等任何形式的电源为传感器供电,能够有效降低感染风险,在颅内压力长期监测领域具有极大的应用潜力。然而在实现本公开的过程中,申请人发现现有技术中植入式无线无源颅内压力检测技术所采用的植入式传感器均为硬质材料,包括硅、玻璃以及塑料等,将基于硬质材料的传感器植入颅内甚至脑组织内,具有颅内出血等风险,并且 ...
【技术保护点】
1.一种颅内压力传感器,包括:压力敏感电容,其电容值随颅内压力变化而变化,包括:压力敏感层,其形变量随颅内压力变化而改变;第一电极层和第二电极层,分别形成于所述压力敏感层的两侧,形成电容结构,其间距随所述压力敏感层的形变量改变而变化;以及柔性包裹层,包裹于所述压力敏感层、所述第一电极层和所述第二电极层外侧,贴附于颅骨和硬膜之间;以及固定电感,与所述压力敏感电容形成LC振荡电路,植入于颅骨内,用于将电容信号转换为谐振频率信号,并耦合至外部检测设备,获取颅内压力值。
【技术特征摘要】
1.一种颅内压力传感器,包括:压力敏感电容,其电容值随颅内压力变化而变化,包括:压力敏感层,其形变量随颅内压力变化而改变;第一电极层和第二电极层,分别形成于所述压力敏感层的两侧,形成电容结构,其间距随所述压力敏感层的形变量改变而变化;以及柔性包裹层,包裹于所述压力敏感层、所述第一电极层和所述第二电极层外侧,贴附于颅骨和硬膜之间;以及固定电感,与所述压力敏感电容形成LC振荡电路,植入于颅骨内,用于将电容信号转换为谐振频率信号,并耦合至外部检测设备,获取颅内压力值。2.根据权利要求1所述的颅内压力传感器,所述压力敏感层上形成有空腔,所述空腔内设置有锥形凸起阵列,所述第一电极层或所述第二电极层扣合于所述空腔内,并抵设在所述锥形凸起阵列上。3.根据权利要求1所述的颅内压力传感器,所述第一电极层包括:第一子电极层;第二子电极层,与所述第一子电极层相邻设置且形状相同;所述第一子电极层和所述第二电极层以及所述第二子电极层和所述第二电极层构成双电容串联结构。4.根据权利要求3所述的颅内压力传感器,所述第一子电极层和所述第二子电极层上均设置有导线连接点;所述柔性包裹层上对应所述导线连接点处设置有导线孔。5.根据权利要求1所述的颅内压力传感器,所述固定电感为磁芯绕线电感,电感值介于10至50mH之间,直径小于8mm,高度低于8mm;和/或所述柔性包裹层的厚度介于10至20μm之间。6.根据权利要求1所述的颅内压力...
【专利技术属性】
技术研发人员:王军波,魏秋旭,陈德勇,陈健,
申请(专利权)人:中国科学院电子学研究所,
类型:发明
国别省市:北京,11
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