镀覆装置、镀覆方法及可计算机读取的记录介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供镀覆装置、镀覆方法及可计算机读取的记录介质。本发明专利技术使基板表面的亲水性提高，并且抑制各基板的亲水性的程度不均。镀覆装置对具有抗蚀剂图案的基板进行镀覆处理。该镀覆装置具有：使基板的表面与前处理液接触的前处理单元；及对使被处理面与前处理液接触的基板进行镀覆处理的镀覆槽。前处理单元具有：将基板的被处理面保持朝向上方的保持台；构成为使保持台旋转的电机；构成为对被处理面照射紫外线的亲水化处理部；以及构成为对由亲水化处理部亲水化后的被处理面供给前处理液的前处理液供给部。

Plating device, plating method, and computer-readable recording medium

The invention provides a plating device, a plating method and a computer-readable recording medium. The invention improves the hydrophilicity of the surface of the substrate and inhibits the uneven degree of hydrophilicity of the substrates. The plating device is plated on the substrate with resist pattern. The plating device consists of a pre treatment unit that contacts the surface of the substrate with the pretreatment liquid, and a plating coating for plating a substrate to which the substrate is exposed to the front treatment liquid. The preprocessing unit has a retaining table that keeps the face of the substrate facing upward; constitutes an electric motor that rotates the retaining table; forms a hydrophilic treatment unit for irradiating the treated surface with ultraviolet light; and a pre treatment liquid supply to the treated surface of the hydrophilic processing surface.

【技术实现步骤摘要】
镀覆装置、镀覆方法及可计算机读取的记录介质
本专利技术涉及镀覆装置、镀覆方法及可计算机读取的记录介质。
技术介绍
在以往，进行在设置于半导体晶片等表面的细微的配线用槽、孔或抗蚀剂开口部形成配线，或在半导体晶片等表面形成与封装电极等电连接的凸起(突起状电极)。作为形成该配线及凸起的方法，例如已知有电解镀覆法、沉积法、印刷法、球凸起法等，但伴随半导体芯片的I/O数的增加、细间隙化，大多使用能够细微化且性能比较稳定的电解镀覆法。在形成有配线的基板的规定位置通过电解镀覆法形成凸起或配线时，广泛进行使用抗蚀剂作为掩膜。具体而言，在基板的表面形成作为供电层的晶种层，在该晶种层的表面涂覆例如高度为20～120μm的抗蚀剂后，在该抗蚀剂层的规定的位置设置例如直径5～200μm左右的开口部，形成抗蚀剂图案。在将凸起形成于抗蚀剂图案的内部(抗蚀剂开口部)的电解镀覆中，使阳极与基板浸渍于镀覆液而在阳极与基板之间施加电压。由于镀覆液容易侵入基板表面的抗蚀剂开口部或贯通孔，因此进行用预湿液(前处理液)置换存在于这些抗蚀剂开口部或贯通孔内的空气的预湿处理。作为这样的预湿处理，已知使基板浸渍于在预湿槽内保持的预湿液中的处理(参照专利文献1)。另外，对在绝缘膜的表面形成称为通孔的凹部，在绝缘膜的平坦的表面及凹部的表面上形成晶种层等导电层的晶片埋入金属的电解镀覆中，也在电解镀覆前进行上述预湿处理。另外，还已知如下镀覆装置(参照专利文献2)：在这样的预湿处理前，通过灰化装置使抗蚀剂表面亲水化。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007-138304号公报专利文献2：日本特开2005-240108号公报专利技术要解决的课题如专利文献1所述，以往的预湿处理使基板整体浸渍于预湿液中，因此需要大量的预湿液。进一步，每对一片基板进行预湿处理时，需要更换预湿槽内的预湿液。将预湿液从预湿槽排出，并将新的预湿液储存到预湿槽需要较长时间。因此，在以往的预湿处理中，希望使用的预湿液的量的降低及预湿处理时间的缩短。在以往的镀覆方法中，在配线形成工序中对抗蚀剂进行灰化处理后，未必立刻进行镀覆处理。即，在配线形成工序中进行灰化处理后经过多长时间进行镀覆是根据其工艺条件而不同的。伴随着在配线形成工序中进行灰化处理后的时间的经过，基板的抗蚀剂表面及/或晶种层附着有机物，抗蚀剂表面及/或晶种层从亲水性变化为疏水性。在对进行灰化处理后经过了较长时间的基板进行镀覆的情况下，基板的表面变得疎水化，因此预湿液不进入基板的抗蚀剂开口部内，或者在基板的被镀覆面吸附气泡而难以去除。因此，有时在被镀覆的基板产生缺陷。在专利文献2所述的镀覆装置中，通过灰化装置，在预湿处理前进行抗蚀剂表面的亲水化。然而，在该镀覆装置中，灰化装置与预湿槽分开配置，对保持于基板保持架之前的基板进行灰化处理，对保持于基板保持架的基板进行预湿处理。因此，有时由于镀覆处理的状况而无法迅速地进行基板的搬运，无法在进行灰化后立刻进行预湿处理。因此，有各基板的从灰化处理到预湿处理的时间不同，而亲水性的程度产生不均的担忧。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述问题而完成的。其目的在于，使基板的抗蚀剂表面及/或晶种层的亲水性提高，并抑制各基板的亲水性的程度不均。用于解决课题的手段根据本专利技术的一方式，提供一种对基板进行镀覆处理的镀覆装置。该镀覆装置具有：前处理单元，该前处理单元使前处理液与所述基板的表面接触；以及镀覆槽，该镀覆槽对使所述前处理液与所述表面接触后的所述基板进行镀覆处理，所述前处理单元具有：保持台，该保持台将所述基板的表面保持为朝向上方；电机，该电机构成为使所述保持台旋转；亲水化处理部，该亲水化处理部构成为对所述表面照射紫外线；以及前处理液供给部，该前处理液供给部构成为对由所述亲水化处理部进行了亲水化的所述表面供给所述前处理液。根据本专利技术的另一方式，提供一种镀覆方法。该镀覆方法具有如下工序：将基板配置于保持台的工序；对配置于所述保持台的所述基板的表面照射紫外线来进行亲水化处理的工序；对进行了所述亲水化处理的所述基板的表面供给前处理液的工序；使保持有向所述表面供给了所述前处理液的所述基板的所述保持台旋转的工序；以及对向所述表面供给了所述前处理液的所述基板进行镀覆处理的镀覆工序。附图说明图1是表示本实施方式的镀覆装置的整体配置图。图2是镀覆装置所使用的基板保持架的立体图。图3是表示基板保持架的电接点的剖视图。图4是表示镀覆装置1中的基板的处理的流程图。图5A是本实施方式的前处理单元的概略侧剖视图。图5B是本实施方式的前处理单元的概略俯视图。图6是表示在前处理单元中进行基板的前处理的流程图。图7A表示对基板进行紫外线照射的前处理单元。图7B表示对基板供给前处理液的前处理单元。图7C表示对基板吹送干燥气体的前处理单元。图8是其他实施方式的前处理单元的概略俯视图。符号说明1…镀覆装置45…控制部60…基板保持架80…前处理单元81…吸附板84…紫外线照射装置85…前处理液供给喷嘴86…干燥气体供给喷嘴87…电机具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的实施方式的镀覆装置进行说明。在以下所说明的附图中，对相同或等同的结构要素标记相同的符号而省略重复的说明。另外，以下对作为镀覆装置的一例的电解镀覆装置进行说明，但不限于此，作为本专利技术的镀覆装置，也能够采用无电解镀覆装置。图1表示本实施方式的镀覆装置的整体配置图。如图1所示，镀覆装置1整体由框架100包围，由框架100包围的空间被划定为镀覆装置1。镀覆装置1具备：搭载收纳有半导体晶片等基板的晶片盒10的两台的晶片盒台12；使基板的定向平面(orientationflat)、缺口等位置与规定的方向对齐的对准器14；相对于被载置的基板保持架60进行基板的装卸的基板装卸部20；以及一边使镀覆处理后的基板旋转，一边供给用于清洗基板表面的清洗液(纯水)来清洗基板，之后使基板高速旋转而使基板表面干燥的清洗装置(旋转冲洗干燥机)16。此外，镀覆装置1具备对基板进行前处理的前处理单元80。如后所述，前处理单元80构成为在对基板的被处理面进行改性后，对基板进行预湿处理。在这些单元的大致中央配置有基板搬运装置22，基板搬运装置22是在这些单元间搬运基板的例如搬运用自动装置。另外，镀覆装置1也可以仅具备前处理单元80和清洗装置16的任意一方。在该情况下，前处理单元80及清洗装置16的任意一方构成为进行前处理与清洗及干燥双方。基板装卸部20具备能够沿着导轨50在水平方向上滑动的平板状的载置板。在两个基板保持架60以水平状态并列地载置于载置板的状态下，基板搬运装置22与一方的基板保持架60进行基板的交接。之后，基板搬运装置22使载置板在水平方向上滑动，进行与另一方的基板保持架60的基板的交接。另外，镀覆装置1具有储料器24，预浸槽28，第一清洗槽30a，吹风槽32，第二清洗槽30b及镀覆槽34。在储料器24中，进行基板保持架60的保管及暂时放置。在预浸槽28中，形成于基板的表面的晶种层等导电层的表面的氧化膜被蚀刻去除。在第一清洗槽30a中，预浸后的基板与基板保持架60一起通过清洗液(纯水等)清洗。在吹风槽32中，进行清洗后的基板的沥干。在第二清洗槽30b中，镀覆后的基板与基板保持架60一起通过清洗液清洗。储料本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种镀覆装置，对基板进行镀覆处理，所述镀覆装置的特征在于，具有：前处理单元，该前处理单元使前处理液与所述基板的表面接触；以及镀覆槽，该镀覆槽对使所述前处理液与所述表面接触后的所述基板进行镀覆处理，所述前处理单元具有：保持台，该保持台将所述基板的表面保持为朝向上方；电机，该电机构成为使所述保持台旋转；亲水化处理部，该亲水化处理部构成为对所述表面照射紫外线；以及前处理液供给部，该前处理液供给部构成为对由所述亲水化处理部进行了亲水化的所述表面供给所述前处理液。

【技术特征摘要】
2016.12.19 JP 2016-2456511.一种镀覆装置，对基板进行镀覆处理，所述镀覆装置的特征在于，具有：前处理单元，该前处理单元使前处理液与所述基板的表面接触；以及镀覆槽，该镀覆槽对使所述前处理液与所述表面接触后的所述基板进行镀覆处理，所述前处理单元具有：保持台，该保持台将所述基板的表面保持为朝向上方；电机，该电机构成为使所述保持台旋转；亲水化处理部，该亲水化处理部构成为对所述表面照射紫外线；以及前处理液供给部，该前处理液供给部构成为对由所述亲水化处理部进行了亲水化的所述表面供给所述前处理液。2.根据权利要求1所述的镀覆装置，其特征在于，具有气体供给部，该气体供给部构成为对所述基板的周缘部吹送气体。3.根据权利要求2所述的镀覆装置，其特征在于，所述气体供给部构成为从所述基板的内侧朝向外侧对所述基板吹送气体。4.根据权利要求1所述的镀覆装置，其特征在于，具有控制部，该控制部对所述前处理液供给部、所述亲水化处理部及所述电机进行控制。5.根据权利要求4所述的镀覆装置，其特征在于，所述控制部对所述电机及所述亲水化处理部进行控制，以便在开始所述保持台的旋转后，开始对所述表面的紫外线的照射。6.根据权利要求4所述的镀覆装置，其特征在于，所述控制部对所述前处理液供给部及所述电机进行控制，以便在使所述保持台的旋转停止的状态下，将所述前处理液供给至亲水化后的所述表面。7.根据权利要求4所述的镀覆装置，其特征在于，所述控制部对所述前处理液供给部及所述电机进行控制，以便在使所述保持台旋转的状态下，将所述前处理液供给至亲水化后的所述表面。8.根据权利要求7所述的镀覆装置，其特征在于，所述控制部对所述前处理液供给部及所述电机进行控制，以便在使所述保持台的转速相比于照射所述紫外线时的所述保持台的转速增加的状态下，将所述前处理液供给至亲水化后的所述表面。9.根据权利要求1-8中任一项所述的镀覆装置，其特征在于，所述镀覆槽构成为：在将向所述表面供给了所述前处理液的所述基板保持于基板保持架的状态下，对所述基板进行镀覆处理。10.一种镀覆方法，其特征在于，具有如下工序：将基板配置于保持台的工序；对配置于所述保持台的所述基板的表面照射紫外线来进行亲水化处理的工序；对进行了所述亲水化处理的所述基板的表...

【专利技术属性】
技术研发人员：增田泰之，下山正，岸贵士，
申请(专利权)人：株式会社荏原制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP