一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。外延片中的电子阻挡层包括层叠设置在低温P型层上的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层，第一子层为InxGa1‑xN层，0

【技术实现步骤摘要】
一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode，发光二极管)是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源，正在被迅速广泛地得到应用，如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源等，提高芯片发光效率是LED不断追求的目标。LED外延片是LED中的重要组成部分，现有的氮化镓基LED外延片包括衬底和设置在衬底上的外延层，外延层包括依次层叠设置在衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、多量子阱层、低温P型层、电子阻挡层、高温P型层和P型接触层，N型层中产生的电子和P型层中产生的空穴，在电场力的作用下向多量子阱层迁移，并在多量子阱层中发生辐射复合发光。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：随着氮化镓基LED工作电流的增加，电流密度随之增大，在这种大电流密度下，注入多量子阱层中的电子也随之增多，导致部分电子未能与空穴在多量子阱层中复合而迁移至P型GaN载流子层中，致使电子溢漏的程度增加，LED的抗静电能力变本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠设置在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、浅阱层、多量子阱层、低温P型层、电子阻挡层、高温P型层和P型接触层，其特征在于，所述电子阻挡层包括层叠设置在所述低温P型层上的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层，所述第一子层为InxGa1‑xN层，0

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠设置在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、浅阱层、多量子阱层、低温P型层、电子阻挡层、高温P型层和P型接触层，其特征在于，所述电子阻挡层包括层叠设置在所述低温P型层上的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层，所述第一子层为InxGa1-xN层，0<x<1，所述第二子层为GaN层，所述第三子层为AlyGa1-yN层，0<y<1，所述第四子层为AlN层，其中所述第一子层中的In的含量从靠近所述低温P型层的一侧到远离所述低温P型层的一侧逐渐降低，且所述第一子层中的In的含量小于所述多量子阱层中的In的含量，所述第三子层中Al的含量从靠近所述低温P型层的一侧到远离所述低温P型层的一侧逐渐升高。2.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述电子阻挡层的厚度为17～50nm。3.根据权利要求1或2所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述第一子层的厚度为1～10nm，所述第二子层的厚度为10～20nm，所述第三子层的厚度为5～15nm，所述第四子层的厚度为1～5nm。4.根据权利要求1或2所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，0.3≤x≤0.5，0.1≤y≤0.3。5.一种氮化镓基发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供一衬底；在衬底上依次生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、浅阱层、多量子阱层、低温P型层、P型电子阻挡层、高温P型层和P型接触层，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖云飞，刘春杨，胡加辉，李鹏，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32