【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用来使硅熔化的容器或者用来盛放熔融硅的容器，及其制造方法。依据本专利技术的容器包括由烧结的熔融石英制成的模具或者烧结的熔融石英坩埚，所述模具用来制造用于由阳光发电的半导体硅片或多晶硅片，以及用来铸造硅锭；该坩埚用来将硅熔化，净化，并进一步将硅移送到铸造车间，此外还包括用来在注射之前盛放熔融硅的容器。至今，在半导体制造领域，通常通过将高纯度的硅熔融体固化成硅单晶并将其切片来生产作为半导体元件衬底的硅片。例如，通过热电阻，高频电感加热器件以及其它类似器件将纯的硅材料熔融，然后向硅熔体中种下籽晶。将该熔融体彻底混和后，向上慢慢提拉单向固化成大的圆柱状硅单晶，其具有籽晶的择优取向。在该制造工艺中，石墨，石英，氮化硼和铂是用于使硅熔融并盛放硅的容器(即坩埚)的合适材料。另外，在制造用于太阳能电池的非晶硅或者多晶硅时，必须将非常纯的硅熔融体盛放在例如上述坩埚的容器中。然而，如上所述，当用坩埚作为盛放熔融金属的容器时，硅熔融体经常会被与熔池接触的坩埚壁上的杂质金属成分污染，从而使硅的纯度降低。而且，在近些年要求提供廉价硅和高产率的背景下，廉价的熔融氧化硅材料...
【技术保护点】
硅的盛放容器，包括在该硅的盛放容器内壁至少一部分上的硅复合物热喷涂涂层，该涂层包括金属硅，氮化硅和氧化硅。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：清水孝一，F卡约，谷和美，小林吉史，
申请(专利权)人：维苏威法兰西股份有限公司，
类型：发明
国别省市：FR[法国]
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