【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及铝酸锂晶片，到
为易挥发晶体高温处理工艺，薄膜制备缓冲层技术，GaN基LEDs和LDs；HVPE等技术制备GaN自支撑衬底；无极化M面GaN制备；新型GaN基衬底的制备；衬底剥离技术。具有广阔的应用前景和市场潜力。
技术介绍
近年来，蓝绿光发光二极管(简称LED)、激光二极管(简称LD)及其相关器件以其巨大市场应用前景成为研究热点，其中以GaN基系列材料的研究最为突出。目前，GaN基蓝绿光LED已实现商品化。在1997年，Nichia公司利用GaN研制的蓝光LD连续工作的寿命已超过10000h。但是目前LED和LD的发光效率和寿命都难以进一步提高，这主要是因为膜与衬底的晶格失配和热失配导致制备工艺的复杂化和巨大的应力引起的高缺陷密度。为了解决这个问题，人们专利技术了很多技术，如侧向外延技术，缓冲层技术，图形衬底技术等。但是解决这个问题的根本方法还是要靠同质外延。GaN体单晶的生长因其蒸汽压过高而存在很大的技术困难，特别是大块的GaN体单晶。因此，人们努力寻求可以取代GaN体单晶的GaN厚膜的制备方法，如目前用HVPE法制备GaN自支撑衬底已...
【技术保护点】
一种铝酸锂晶片的氮化方法，其特征在于该方法的具体工艺流程如下：〈１〉将经过化学机械抛光的具有较好表面的铝酸锂晶片放入马弗炉的石英管或钢管中，打开氮化源气路，调节气压至超过大气压０．００５－０．０５ＭＰａ并在石英管或钢管中流动； 〈２〉马弗炉按１００℃／小时的升温速率升温至８００－１０００℃，保温５－２５分钟，然后按照１００℃／小时的速率降温至室温；〈３〉从马弗炉取出氮化的铝酸锂晶片。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：邹军，周圣明，黄涛华，王军，周健华，
申请(专利权)人：中国科学院上海光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。