一种多晶硅定向长晶热场结构制造技术

技术编号:1827489 阅读:254 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种多晶硅定向长晶热场结构,属太阳能多晶硅晶体的定向生长热场结构技术领域,主要由保温隔热笼体(1),置于保温隔热笼体(1)内的加热器(6)和热交换台(5),置于保温隔热笼体(1)底部可上下垂直运动的带支撑导杆(4)的保温隔热底板(2),置于保温隔热笼体(1)的侧面与热交换台(5)之间的保温隔热隔板(7)等构成;保温隔热笼体(1)和保温隔热底板(2)形成一个腔室(3),加热器(6)和保温隔热底板(2)分别由外设的控制器(8)控制。通过保温隔热笼体底部保温隔热底板的升降式结构设置,来获得多晶硅定向长晶所需要的工艺手段,在控制上更容易实现动态调整,从而最大化实现长晶速度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种多晶硅定向长晶热场结构,属太阳能多晶硅晶体 的定向生长热场结构

技术介绍
硅(Si)是一种半导体元素,太阳能硅电池片就是利用这一特性,在硅表面形成光伏特效应,产生电能。为制备太阳能电池片,需要将 多晶硅原料重熔后定向凝固,然后切片做成电池片组件。为实现多晶 硅的定向长晶凝固过程,需要一个能稳定长晶的热场,构成多晶硅长 晶热场的主要部件是保温隔热笼体、以及置于其内部的加热器、热交 换台,根据需要,还可以有通水冷却块。保温隔热笼体是一个四方六 面体,主要是保证热场温度能维持起来,根据技术设计,可以将底板、顶板、四侧板分开做成部件,以实现运动需要;加热器主要是提供热 场升温所需要的热能;热交换台作为多晶硅原料的工作平台,起散热 作用;通水冷却块因其内部通有水冷却剂,在个别技术方案中是作为 强制冷却作用而存在的。为描述方便,可以将现有的多晶硅定向长晶 热场技术分为侧板提拉法,隔板抽拉法等。侧板提拉法主要是将构成热场的保温隔热笼体的四侧板设计为一 个运动部件,侧板往下运动可以将多晶硅重熔长晶的热场封闭起来, 通电使热场里的加热器升温,以加热熔化多晶硅原料;侧板部件往上 提升,则打开热场腔室,暴露出热交换台,形成热场垂直温度梯度, 通过一定的工艺步骤,实现定向长晶过程。隔板抽拉法是将构成热场 的保温隔热笼体的中间设置一组保温隔热隔板,将热场底部的通水冷却块与热交换台隔开,当多晶硅原料完全熔化后,按一定工艺步骤抽 去中间的隔热隔板,使通水冷却块与热交换台发生热交换,形成热场 垂直温度梯度,实现定向长晶过程。上述的两种方法,虽然都能达到 晶体定向生长的目的,但都存在结构复杂,能耗偏高,热冲击大,长 晶缓慢,晶体生长质量差等问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种设计合理,结构简单,定向长晶效果好 的多晶硅定向长晶热场结构。本专利技术为一种多晶硅定向长晶热场结构,包括保温隔热笼体,置 于保温隔热笼体内的加热器和热交换台,其特征在于保温隔热笼体的 底部还设有可上下垂直运动的保温隔热底板,保温隔热笼体和保温隔 热底板形成一个腔室。所述的保温隔热笼体底部可与保温隔热底板的表面直接连接。所述的保温隔热笼体底部可为L型结构并与保温隔热底板两端错位连 接。所述的保温隔热底板两端可为L型结构并与保温隔热笼体底部错 位连接。所述的保温隔热底板可在支撑导杆的作用下上下垂直运动。 所述保温隔热笼体的侧面与热交换台之间还设有保温隔热隔板。 所述的加热器和保温隔热底板分别由外设的控制器控制。 本专利技术经多次计算机模拟与反复试验比较,通过保温隔热笼体底 部保温隔热底板的升降式结构设置,来获得多晶硅定向长晶所需要的工艺手段,与现有技术相比,具有以下突出优点和积极效果1、结构简单,升降式的保温隔热底板重量轻,运动方式单一,与 热场外部其他结构部件非常容易整合;而且保温隔热底板与保温隔热 笼体的交接面少,减少了运动时因相互之间摩擦产生的粉尘对高纯多 晶硅原料的污染;2、 通过计算机模拟和实际测试,热场垂直温度梯度更为理想,结晶趋势朝理想化发展,排杂效果好;3、 热冲击小,硅液结晶时内应力小,结晶位错率低。保温隔热笼体底部保温隔热底板向下运动时,不会造成热场腔室内温度的急剧下 降,且由于通过计算机模拟优化,使得晶体生长界面水平高度基本一致,结晶应力小,位错可能性低;4、 能耗低,在加热器两端设置保温隔热隔板,把腔室分隔成上下 两部分,在保温隔热底板向下运动后,能进一步阻挡腔室上半部对外 散热,从而减少加热器的加热功率,降低电能消耗。实际检测,结晶 功率相比可降低20%之多;5、 本专利技术使热场结构的整体设计更趋合理简单,使得加热(加热 器功率)与散热(底板下降量)位于不同的区域,两个量值相互干扰 性降低,在控制上更容易实现两个量值的动态调整,从而最大化实现 长晶速度。附图说明图1为本专利技术的整体结构剖视图;图2为图1所示B处L型保温隔热笼体底部的结构示意图; 图3为图1所示B处L型保温隔热底板的结构示意图; 图4为本专利技术的工作原理图。具体实施方式本专利技术主要由保温隔热笼体l,置于保温隔热笼体1内的加热器6 和热交换台5,置于保温隔热笼体1底部可上下垂直运动的带支撑导 杆4的保温隔热底板2,置于保温隔热笼体1的侧面与热交换台5之 间的保温隔热隔板7等构成;保温隔热笼体1和保温隔热底板2形成 一个腔室3,加热器6和保温隔热底板2分别由外设的控制器8控制; 保温隔热笼体1与保温隔热底板2的连接方式有保温隔热笼体1底部与保温隔热底板2的表面直接连接、保温隔热笼体1底部为L型结构并与保温隔热底板2两端错位连接、保温隔热底板2两端为L型结构 并与保温隔热笼体1底部错位连接等,如附图l、 2、 3所示。以下结合多晶硅定向长晶的工艺流程对本专利技术作进一步描述1、 将多晶硅原料9装满坩埚10,搁放在热交换台5上;2、 操作控制器8,升起保温隔热底板2,封闭腔室3;3、 按现有多晶硅的常规生产工艺将腔室3抽真空;4、 当达到常规工艺设定的真空度时,通电启动加热器6,对多晶 硅原料进行加热。由于腔室3的保温隔热效果,按常规生产工艺约十 多小时,即可将数百公斤多晶硅原料完全熔化;5、 按常规工艺继续保温一段时间,让多晶硅原料中的杂质充分熔 化、挥发或气化;6、 改变控制模式,逐步、缓慢下降保温隔热底板2,此时,在腔 室3下半部的热交换台5暴露出来,大量的热经由热交换台5下部按 附图4所示空心箭头方向向外辐射散发,此时,坩埚10与热交换台5 必然也发生热交换,从而使坩埚10底部的硅液温度降低发生结晶现 象。同时,在保温隔热底板2打开后,腔室3中的保温隔热隔板7使 腔室3上部依然围成一个高温区,在加热器6的作用下,可维持工艺 需要的温度,下部由于散热作用,形成一个低温区,这样,在整个工 艺过程中,通过加热器6的加热作用以及保温隔热底板2位置的双重 调节作用,在硅的整个结晶面以下形成一个平坦的向下有一定温度梯 度温度曲线,使得硅的长晶凝固得到有效控制,从而生产出高品质的 多晶硅铸锭。本专利技术在实际应用中经测试,不仅能生产出高品质的多晶硅铸锭, 也縮短了整个工艺时间,降低了结晶过程中的能耗。权利要求1、一种多晶硅定向长晶热场结构,包括保温隔热笼体(1),置于保温隔热笼体(1)内的加热器(6)和热交换台(5),其特征在于保温隔热笼体(1)的底部还设有可上下垂直运动的保温隔热底板(2),保温隔热笼体(1)和保温隔热底板(2)形成一个腔室(3)。2、 按权利要求1所述的一种多晶硅定向长晶热场结构,其特征在 于所述的保温隔热笼体(1)底部与保温隔热底板(2)的表面直接连接。3、 按权利要求1所述的一种多晶硅定向长晶热场结构,其特征在 于所述的保温隔热笼体(1)底部为L型结构并与保温隔热底板(2)两 端错位连接。4、 按权利要求1所述的一种多晶硅定向长晶热场结构,其特征在 于所述的保温隔热底板(2)两端为L型结构并与保温隔热笼体(1)底 部错位连接。5、 按权利要求1或2或3所述的一种多晶硅定向长晶热场结构, 其特征在于所述的保温隔热底板(2)在支撑导杆(4)的作用下上下垂 直运动。6、 按权利要求1所述的一种多晶硅定向长晶热场结构,其特征在 于所述保温隔热笼体(1)的本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种多晶硅定向长晶热场结构,包括保温隔热笼体(1),置于保温隔热笼体(1)内的加热器(6)和热交换台(5),其特征在于保温隔热笼体(1)的底部还设有可上下垂直运动的保温隔热底板(2),保温隔热笼体(1)和保温隔热底板(2)形成一个腔室(3)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:赵波徐芳华孙海梁
申请(专利权)人:绍兴县精工机电研究所有限公司
类型:发明
国别省市:33[中国|浙江]

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