蚀刻设备制造技术

本实用新型专利技术公开一种蚀刻设备。蚀刻设备包括蚀刻腔体、电极板、第一支撑装置和设置在第一支撑装置之间的第二支撑装置。电极板、第一支撑装置和第二支撑装置位于蚀刻腔体内。第一支撑装置被配置成通过工件部分地放置在第一支撑装置上以使工件与电极板间隔设置。第二支撑装置被配置成支撑工件相对于电极板上升或下降。本实用新型专利技术实施方式的蚀刻设备中，第一支撑装置工件可以使得工件与电极板在蚀刻过程中间隔设置，工件下表面不容易或避免因电极板的静电吸附力影响而产生凸起印记(Emboss ink)，进而提高工件的良率。

etcher

The utility model discloses an etching device. The etching device comprises an etching cavity, an electrode plate, a first supporting device and a second supporting device arranged between the first supporting device. The electrode plate, the first supporting device and the second supporting device are positioned in the etching cavity. The first supporting device is configured to partially place the workpiece on the first supporting device through the workpiece to make the workpiece spaced from the electrode plate. The second supporting device is configured to support the workpiece to rise or fall relative to the electrode plate. In the etching equipment of the utility model, the first support device can make the workpiece and the electrode plate set apart in the etching process. The surface of the workpiece is not easy or avoids the Emboss ink because of the influence of the electrostatic adsorption force of the electrode plate, and then the good rate of the workpiece is raised.

【技术实现步骤摘要】
蚀刻设备
本技术涉及蚀刻
，尤其涉及一种蚀刻设备。
技术介绍
在相关技术的蚀刻设备中，在对玻璃基板进行干式蚀刻时，因玻璃基板受下部电极静电吸附力影响，玻璃基板的表面容易产生凸起印记(Embossink)，是纳米或微米级别的损伤，此印记在经过后续酸湿制程后会在玻璃基板的表面形成凸凹不平的结构，进而影响玻璃基板的良率。
技术实现思路
本技术实施方式提供一种蚀刻设备。本技术实施方式的一种蚀刻设备包括蚀刻腔体、电极板、第一支撑装置和设置在所述第一支撑装置之间的第二支撑装置，所述电极板、所述第一支撑装置和所述第二支撑装置位于所述蚀刻腔体内，所述第一支撑装置被配置成通过将工件部分地放置在所述第一支撑装置上以使所述工件与所述电极板间隔设置，所述第二支撑装置被配置成支撑所述工件相对于所述电极板上升或下降。本技术实施方式的蚀刻设备中设置第一支撑装置使工件与电极板间隔设置，工件在蚀刻过程中，下表面不容易或避免因电极板的静电吸附力影响而产生凸起印记(Embossink)，进而提高工件的良率。在某些实施方式中，所述第一支撑装置包括间隔设置的至少两个支撑臂，所述支撑臂形成有台阶结构，所述台阶结构形成有支撑槽，两个所述支撑臂的所述支撑槽相对设置，所述台阶结构被配置为通过将所述工件部分的放置在所述支撑槽中以使所述工件与所述电极板间隔设置。在某些实施方式中，所述第二支撑装置包括间隔设置的多个支撑柱，所述支撑柱贯穿所述电极板并被配置成支撑所述工件上升或下降。在某些实施方式中，所述支撑臂包括设置在所述台阶结构上的减震件。在某些实施方式中，所述第一支撑装置形成有贯穿所述支撑臂并连通所述支撑槽的通气孔。在某些实施方式中，所述减震件和所述通气孔间隔设置。在某些实施方式中，所述蚀刻设备包括等离子体发生器，所述等离子体发生器被配置成形成等离子体以使所述等离子体蚀刻所述工件的表面。在某些实施方式中，所述蚀刻设备包括吹气装置，所述吹气装置被配置成将冷却气体吹向所述工件。在某些实施方式中，所述蚀刻设备包括连接所述第一支撑装置的驱动装置，所述驱动装置被配置成驱动所述第一支撑装置相对于所述电极板上升或下降。在某些实施方式中，所述第一支撑装置包括4个所述支撑臂，4个所述支撑臂的平面分布呈菱形。本技术实施方式的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。附图说明本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1是本技术实施方式的蚀刻设备的一个视角的平面结构示意图；图2是本技术实施方式的支撑臂的一个视角的平面结构示意图；图3是本技术实施方式的支撑臂的另一个视角的平面结构示意图；图4是本技术实施方式的支撑臂的再一个视角的平面结构示意图；和图5是图1的蚀刻设备沿V-V方向的剖面示意图。主要元件符号说明：蚀刻设备10、蚀刻腔体11、电极板12、气孔122、第一支撑装置13、支撑臂132、台阶结构1322、支撑槽1324、减震件1326、通气孔1328、第二支撑装置14、支撑柱142、等离子体发生器15、吹气装置16、驱动装置17、工作腔室18、工件20、等离子体30。具体实施方式下面详细描述本技术的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。在本技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本技术的不同结构。为了简化本技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本技术。此外，本技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本技术提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。请参阅图1，本技术实施方式的蚀刻设备10包括蚀刻腔体11、电极板12、第一支撑装置13和设置在第一支撑装置13之间的第二支撑装置14。电极板12、第一支撑装置13和第二支撑装置14位于蚀刻腔体11内。第一支撑装置13被配置成通过将工件30部分地放置在第一支撑装置13上以使工件20与电极板12间隔设置。第二支撑装置14被配置成支撑工件20相对于电极板12上升或下降。本技术的蚀刻设备10可以用于蚀刻工件20，蚀刻时，工件20放置在蚀刻腔体11内，等离子体30向下运动对工件20进行蚀刻。由于蚀刻时工件20会受电极板12的静电吸附力影响，因此，使用第一支撑装置13支撑工件20以使工件20和电极板12间隔设置，可以避免工件20和电极板12直接接触，使得工件20的下表面不容易或避免在蚀刻过程中产生凸起印记(Embossink)，后续进行酸湿蚀刻时不容易产生凸凹不平的结构，进而提高产品的良率。其中，第二支撑装置14可以在工件20进出蚀刻腔体11时上升以支撑工件20，在蚀刻时下降以使第一支撑装置13支撑工件20，减少蚀刻时工件20背面与物体接触。在某些实施方式中，蚀刻腔体11形成有相对密闭的工作腔室18。如此，工作腔室18为蚀刻工件20提供了密闭的空间，有利于控制工作腔室本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蚀刻设备，其特征在于，包括蚀刻腔体、电极板、第一支撑装置和设置在所述第一支撑装置之间的第二支撑装置，所述电极板、所述第一支撑装置和所述第二支撑装置位于所述蚀刻腔体内，所述第一支撑装置被配置成通过将工件部分地放置在所述第一支撑装置上以使所述工件与所述电极板间隔设置，所述第二支撑装置被配置成支撑所述工件相对于所述电极板上升或下降。

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻设备，其特征在于，包括蚀刻腔体、电极板、第一支撑装置和设置在所述第一支撑装置之间的第二支撑装置，所述电极板、所述第一支撑装置和所述第二支撑装置位于所述蚀刻腔体内，所述第一支撑装置被配置成通过将工件部分地放置在所述第一支撑装置上以使所述工件与所述电极板间隔设置，所述第二支撑装置被配置成支撑所述工件相对于所述电极板上升或下降。2.如权利要求1所述的蚀刻设备，其特征在于，所述第一支撑装置包括间隔设置的至少两个支撑臂，所述支撑臂形成有台阶结构，所述台阶结构形成有支撑槽，两个所述支撑臂的所述支撑槽相对设置，所述台阶结构被配置为通过将所述工件部分的放置在所述支撑槽中以使所述工件与所述电极板间隔设置。3.如权利要求2所述的蚀刻设备，其特征在于，所述第二支撑装置包括间隔设置的多个支撑柱，所述支撑柱贯穿所述电极板并被配置成支撑所述工件上升或下降。4.如权利要求2所述的蚀刻设...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘亚兵，杨建，刘志豪，
申请(专利权)人：深圳市柔宇科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44