一种电子装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种电子装置。在至少一个总体方面，电子装置可以包括第一场效应晶体管(FET)器件和第二FET器件。该电子装置可以包括耦接到第一FET器件和第二FET器件的表征电路，其中，该表征电路可以被配置为表征第一FET器件和第二FET器件各自的响应性。该电子装置可以包括平衡器，其被配置为基于第一FET器件的响应性为第一FET器件产生修正栅极驱动信号。

【技术实现步骤摘要】
一种电子装置
本技术涉及一种电子装置。
技术介绍
当单个场效应晶体管(FET)具有不足的能量吸收能力时，可以使用多个FET来补偿该不足。然而，使用多个FET可能导致与例如使FET匹配相关的额外挑战。因此，需要系统、方法和装置来解决当前技术的缺点和提供其他新的创新功能。
技术实现思路
在至少一个总体方面，电子装置可以包括第一场效应晶体管(FET)器件和第二FET器件。所述电子装置可以包括耦接到第一FET器件和第二FET器件的表征电路，其中，所述表征电路可以被配置为表征所述第一FET器件和所述第二FET器件各自的响应性。所述电子装置可以包括平衡器，所述平衡器被配置为基于所述第一FET器件的响应性为所述第一FET器件产生修正栅极驱动信号。在附图和下面的描述中阐述了一种或多种实施方式的细节。从这些描述和附图以及权利要求书中，将明白其他特征。附图说明图1是包括以并联配置方式布置并且耦接到平衡器的多个FET器件的电路。图2示出了包括在图1所示平衡器中的反馈电路。图3示出了图2所示电路的变型。图4示出了包括在图1所示平衡器中的表征电路。图5是示出被配置为表征并联器件的表征电路的图。图6是图1所示电路的变型。图7示出了表征过程和运行过程的示例。具体实施方式许多系统可以包括多个场效应晶体管(FET)，以在切换转换期间等以线性模式吸收能量。在单个FET的能量吸收能力不足的应用中，可以使用并联的功率FET。然而，如果并联的功率FET的阈值不匹配(例如，即使FET是使用相同的制造加工步骤生产的，也会由于使用不同的制造加工步骤所产生加工变化而不能匹配)，并联的功率FET之一能够吸收大部分能量，从而导致使用小于并联的功率FET的全部容量的情况(例如，1+1＜2的情况)。在最坏的情况下，并联的功率FET中只有一个可以以所期望的方式运行，而并联的功率FET中的另一个不起作用(例如，最坏的情况1+1＝1)。因此，在许多应用中，使用阈值匹配的FET是所期望的。然而，获得阈值匹配的FET是不可能的，或者相对难以获得。在一些实践中，需要以试错法的方式测试每个FET，以找到阈值匹配的FET，这很耗时且低效。在一些实践中，为了解决上述问题，使用相对大的(例如，大于所需的)并联的功率FET。然而，这样的实践方式容易受到例如热点的影响。平衡器可以耦接到(例如，连接到、与其通信)多个FET器件，并且可以用于产生修正栅极驱动信号，从而可以平衡多个FET器件中各自的贡献。在一些实施方式中，平衡器可以被配置为驱动和平衡两个以上的FET器件。虽然这些实施方式通常以两个FET器件的情况进行讨论，但是每个实施方式可以包括两个以上的FET器件(例如，并联和/或串联配置)。图1是电路100，其包括以并联配置方式布置并且耦接到平衡器110的多个FET器件A1、A2。FET器件A1、A2被配置为基于输入(INPUT)信号(例如，V+)产生输出(OUTPUT)信号(例如，电流受限的受控输出)。平衡器110耦接到FET器件A1、A2各自相应的栅极G1、G2。在一些实施方式中，电路100中可以包括两个以上的FET器件。平衡器110被配置为分别从输出通道O-B1、O-B2为FET器件A1、A2各自产生修正栅极驱动信号B1、B2。如果FET器件A1、A2不平衡(例如，具有不平衡的阈值电压)，平衡器110可以被配置为产生修正栅极驱动信号B1、B2，使得FET器件A1、A2各自的贡献平衡。换句话说，平衡器110可以被配置为分别为FET器件A1、A2产生修正栅极驱动信号B1、B2，其补偿FET器件A1、A2各自(例如不同的)阈值电压的变化。换句话说，平衡器110可以被配置为每通道(每个FET器件A1、A2)输出一个与其相应的阈值电压匹配的修正栅极电压，使得FET器件A1、A2一致地运行并且以更加所期望的方式(例如，相等的方式)共享功率。在一些实施方式中，FET器件A1、A2可以有意地被配置为具有不同的特性(例如，不同的阈值电压，不同的尺寸)。平衡器110可以被配置为适应该不同的特性。在一些实施方式中，平衡器110可以被配置为提供不同的修正栅极驱动信号B1、B2，该不同的修正栅极驱动信号B1、B2被调谐为在FET器件A1、A2中有意配置的不同特性。在一些情况中，FET器件A1、A2之间共享的所期望的功率不需要修正栅极驱动信号B1、B2不同。在这些情况中，平衡器110可以被配置为向FET器件A1、A2各自提供相同的修正栅极驱动信号B1＝B2。平衡器110可以响应于来自驱动器集成电路(IC)120的信号而触发运行。没有平衡器110的话，驱动器IC120通常可以被配置为每个通道驱动1个FET器件(在这种情况下，仅一个来自通道O-Q(也可称为引脚)的栅极驱动信号Q1(例如，输入栅极驱动信号))。驱动器IC120可以被配置为从1个通道O-Q直接触发FET器件A1和A2，但是这样的话它不会补偿阈值变化，并且会导致1+1＜2的最初描述过的问题。因此，平衡器110是设置在驱动器IC120和FET器件A1、A2之间的组件，以获得来自FET器件A1、A2各自的平衡响应。平衡器110被配置为响应于来自驱动器IC120的单个输入栅极驱动信号Q1(例如，单个模拟输入、单个数字输入)来驱动多个FET器件A1、A2。在一些实施方式中，修正栅极驱动信号B1和/或修正栅极驱动信号B2可以不同于输入栅极驱动信号Q1(例如，具有不同的值(例如，电压))。从平衡器110输出的修正栅极驱动信号B1、B2(例如，多个修正栅极驱动信号)可以源自输入到平衡器110中的输入栅极驱动信号Q1(例如，信号输入栅极驱动信号)。在一些实施方式中，平衡器110可以被配置为消除(或基本上减少)在诸如图1所示的并联实施方式中实现最大功率吸收能力而匹配FET的需要。在一些实施方式中，平衡器110可以是或可以包括控制电路，该控制电路包括一个或多个输入通道。在该实施方式中，平衡器110具有来自驱动器IC电路120的单个输入通道(即，输入通道110输入)。在一些实施方式中，平衡器110可以具有来自驱动器IC电路120的多于一个的输入通道。在一些实施方式中，平衡器110可以是或可以包括控制电路，该控制电路被配置为每个输入通道驱动一个或多个电平移位输出通道。在图1所示的实施方式中，平衡器110被配置为每单个输入通道110输入驱动两个输出通道(例如，输出通道O-B1、O-B2)。在一些实施方式中，平衡器110可以被配置为每个输入通道驱动一个开关节点(例如，单个FET器件)。在一些实施方式中，平衡器110可以被配置为每个输出通道驱动一个开关节点(例如，单个FET器件)。在一些实施方式中，平衡器110可以被配置为每个输出通道驱动多个开关节点(例如，多个FET器件或一组FET器件)。例如，可以由来自平衡器的第一输出通道的第一修正栅极信号触发一对FET器件，并且可以由来自平衡器的第二输出通道的第二修正栅极信号触发单独的FET器件(或多个FET器件)。因此，在一些实施方式中，平衡器110可以被配置为每个输入通道驱动多个切换节点(例如，一个输入通道和两个以上的输出通道)。尽管图1中未示出，在一些实施方式中，平衡器110可以是或可以包括电平移位器。因此，在一些本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子装置，包括：第一场效应晶体管器件；第二场效应晶体管器件；和表征电路，所述表征电路耦接到所述第一场效应晶体管器件和所述第二场效应晶体管器件，所述表征电路被配置为表征所述第一场效应晶体管器件和所述第二场效应晶体管器件各自的响应性；和平衡器，所述平衡器被配置为基于所述第一场效应晶体管器件的响应性为所述第一场效应晶体管器件产生修正栅极驱动信号。

【技术特征摘要】
2016.09.21 US 62/397,567;2017.09.15 US 15/705,7181.一种电子装置，包括：第一场效应晶体管器件；第二场效应晶体管器件；和表征电路，所述表征电路耦接到所述第一场效应晶体管器件和所述第二场效应晶体管器件，所述表征电路被配置为表征所述第一场效应晶体管器件和所述第二场效应晶体管器件各自的响应性；和平衡器，所述平衡器被配置为基于所述第一场效应晶体管器件的响应性为所述第一场效应晶体管器件产生修正栅极驱动信号。2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述平衡器被配置为产生所述修正栅极驱动信号，以补偿所述第一场效应晶体管器件的阈值电压与所述第二场效应晶体管器件的阈值电压之间的差异。3.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述平衡器被配置为产生所述修正栅极驱动信号，使得所述第一场效应晶体管器件的输出在所述第二场效应晶体管器件的输出电压的指定电压范围内。4.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述修正栅极驱动信号是第一修正栅极驱动信号，所述平衡器被配置为基于所述第二场效应晶体管器件的响应性为所述第二场效应晶体管器件产生第二修正栅极驱动信...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿德里安·米科莱扎克，常苏·米特，
申请(专利权)人：快捷半导体公司，
类型：新型
国别省市：美国,US